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31.
提出了可变频时钟写入方法和锁相环倍频时钟写入方法,给出了这两种写入法的读/写电路,并分析了其性能。结果证明,可变频时钟写入方法电路简单,刻写时钟周期短;锁相环倍频时钟写入过程较前者长,但其频率范围容易调整。两者均适合高密度小型温盘的时钟录写。 相似文献
32.
33.
34.
张平 《华中科技大学学报(自然科学版)》1988,(6)
本文根据光盘读出数学模型,分析了系统中各光学元件产生的象差和聚焦误羞对探测信号的影响并对系统和各元件的象差容限进行了研究。 相似文献
35.
36.
为TMS320DM270嵌入式系统开发平台添加了USB数据通道。首先初始化USB控制器,使PC机能够识别USB设备。然后,将开发平台上的SRAM格式化为FAT16格式的文件系统,这样在Windows的浏览器下,该SRAM就可以视作操作系统的一个RAM盘。最后,只需要执行简单的拷贝与粘贴命令,就可以实现PC机到开发平台的数据下载。这样向开发板传送数据的速度比串口明显提高。 相似文献
37.
旋转圆盘上液固两相流冲刷磨损数值模拟研究 总被引:4,自引:0,他引:4
对旋转圆盘内液固两相流冲刷腐损过程进行了数值模拟研究.数值模拟研究采用欧拉-拉格朗日方法来模拟液固两相流动,即通过在欧拉坐标系下求解流体相的雷诺时均方程组来模拟流体流场,通过拉格朗日坐标系下的随机轨道模型来获得固体颗粒相的运动轨迹.将最终数值模拟结果和实验测量数据进行了比较,结果表明文中构建的综合模型基本上是正确和可行的. 相似文献
38.
利用X射线衍射仪 ,分光光度计对Sb Se系和Ge Sb Te系相变光盘记录介质材料非晶态薄膜相变前后结构的变化 ,光学性能进行了系统的研究 ,X射线衍射分析表明 :SbSe非晶态薄膜退火后有Sb的析晶峰 ,SbSe2 有Se的析晶峰 ,符合化学计量比的Sb2 Se3 全部是Sb2 Se3 的共晶峰 .GeSb2 Te4 非晶态薄膜在热退火过仇逐首先形成fcc亚稳相 ,升高退火温度 ,Fcc相转变为稳定的hex相 ,GeSb4 Te4 非晶态薄膜退火后在发生上述变化的同时 ,还有Sb的析晶峰 .分光光度计测试表明 :Sb Se系非晶态的光稳定性很不理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化太快 .对于Ge Sb Te系合金 ,在各种波段处 ,两种合金都有较大的反衬度 ,其非晶态的光稳定性也较理想 ,随着波长的改变 ,反射率变化不大 相似文献
39.
研究了 Pb2 / Ag欠电位沉积 (UPD)体系在不同阴离子 (Cl-,NO-3 ,Cl O-4)存在下的行为 .发现 Pb2 UPD峰电位随溶液中 Cl-离子浓度增加负向移动 ,而随溶液中 Pb2 离子浓度增加正向移动 ;NO-3 在银电极上不但有吸附而且有反应 ,但其吸附竞争力较 Cl-而言明显较弱 ;Cl-的诱导吸附有利于取得稳态条件下 UPD Pb的最大表面覆盖度 ;Cl O-4则未发现有明显的吸附行为 . 相似文献
40.