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91.
对W18Cr4V钢激光表面淬火工艺参数进行了试验研究.试验结果表明,激光表面淬火工艺参数d=1.5mm,q=124W/mm2,v=18mm/s时,激光淬火加热温度处于Ac1~T熔范围之内.可以得到无表面熔化的淬火层,淬火层深度0.25mm,淬火层组织为细针状马氏体+碳化物+残余奥氏体,显微硬度HV0.1950~1050  相似文献   
92.
采用酶标凝集素技术,在光镜水平对小鼠表皮发育期间蓖麻凝集素的受体进行定位,结果表明;在胚胎期间周皮细胞和角质层以及基膜中均有Gal残基分布;在表皮中间层,毛根原基处无Gal,在眼睑和眼睑缘处也无Gal分布,Gal可能参与表皮的角质化和基膜组建,与周皮在胚胎期发挥正常功能有关。  相似文献   
93.
本文合成了以4,4’-联吡啶为桥联配体的多核Cu(Ⅱ)配合物,[Cu(Phen)(μ-4,4’-bpy)(ClO4)2]n·H2O(Phen=1,10菲咯琳,4,4’bpy=4,4’联吡啶).于定温下测定了该配合物的晶体结构.Cu(Ⅱ)的配位环境是一个畸变的八面体.CU(Ⅱ)通过4,4’联吡啶连接成锯齿状的链。  相似文献   
94.
SF_6/CF_4 作为变压器的冷却和绝缘介质的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
城网规模的迅速发展迫切需要无油化的大容量SF6气体绝缘变压器。采用混合气体作冷却与绝缘介质可以综合解决SF6气体的散热和液化问题。在研究了混合比例和压力变化对混合气体性能的影响后,提出用SF6/CF4混合气体可以代替纯SF6和SF6/N2作为气体变压器的绝缘和冷却介质。当变压器内充入SF6/CF4混合气体时,采用离散化的差分模型对其温升分布特性进行理论计算,并与相同条件下充入SF6/N2和纯SF6时的计算相比较,结果表明:采用SF6/CF4混合气体不会过分影响线圈温升。研究工作为气体绝缘变压器朝高电压和大容量发展提供了参考依据。  相似文献   
95.
c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.  相似文献   
96.
3-乙氧基-4-羟基苯甲醛的合成   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种合成3-乙氧基-4-羟基苯甲醛的新方法.采用正交试验,对不同配比下的原料,反应温度和滴加速度等影响产率的因素进行了研究,所设计的合成路线简单、操作方便、易于推广.  相似文献   
97.
在四氢呋喃溶液中测量了3-甲基-4-甲氧基-4’-硝基二苯乙烯(MMONS)的三阶非线性光学效应.发现其在1.06μm处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率,并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数,χ(3)=2.52nm2/V2,与著名的PIS同数量级.非线性光学响应时间小于50ps,表明MMONS的非线性光学效应是由于分子中π-电子的极化引起的.此结果表明MMONS可能成为有价值的非线性光学材料.  相似文献   
98.
一、前言 本文以湿法处理银一锌渣为目的,对某厂火法炼铋而得银一锌渣的样品进行了综合利用工艺实验研究,实验结果表明,采用此方法可获产品:ZnSO_4、7H_2O、BiONO_3及单质银。 大部分含银铋的物料中,铋的含量均不高,为0.5~10%之间,银的含量为10~20%,这类物料的处理普遍采用湿法工艺,少数含银铋的物料中,铋含量在20%左右,银含量在20~30%之间,银铋比约1.2:1。处理这类物料是采用火法操作来分离银和铋,银的回收率较低,关于  相似文献   
99.
本文报道了新三氮烯试剂2-羧基-4-硝基苯基重氮基偶氮苯的合成及其与镉的显色反应.在非离子表面活性剂TritonX—100存在下.于pH11.0的Na4B4o3-NaOH缓冲介质中.试剂可与镉生成2:1的红色配合物,其配台物的最大吸收波长位于520nm处,表观摩尔吸光系数ε为1.566×x105L·mol-1.cm-1,镉量在0—10μg/25ml范围内符台比尔定律,方法用于标准水样及铝合金标样中微量用的测定,结果满意.  相似文献   
100.
本文介绍了在2,4—二氯甲苯的合成中,不同种类的催化剂、催化剂的用量对合成产率的影响以及三废处理和副产物的应用方面的内容。  相似文献   
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