镁合金疲劳研究现状及展望

对镁合金疲劳研究的现状进行了总结,包括镁合金的低周疲劳行为、高周疲劳行为、腐蚀环境下的疲劳行为以及镁合金疲劳寿命的预测方法,并归纳了镁合金疲劳性能强化的主要方法,包括添加稀土元素、热处理、表面处理等;在此基础上,对镁合金疲劳研究的不足进行了分析,并对镁合金疲劳研究的发展方向进行了展望。     

TC4钛合金压坯的吸氢行为

利用管式氢处理炉研究了TC4钛合金压坯的温度-平衡氢分压关系以及吸氢动力学行为,测定了吸氢速率常数和激活能,并分析了吸氢反应各个阶段的反应机理.结果表明,随着吸氢温度的升高,达到平衡所需要的时间缩短,吸氢后的平衡氢分压升高.在350℃吸氢时,反应机制分别是形核长大、幂函数定律和三维扩散.在400℃吸氢时,反应机制分别是幂函数定律和三维扩散.在450～750℃吸氢时,反应机制均是三维扩散.TC4钛合金压坯吸氢反应的激活能为14.55kJ·mol-1.     

Thermoelectric properties of quaternary Mg2Sn0.4Si0.6−xGex alloys

Quaternary alloys Mg₂Sn_0.4Si_0.6−xGe_x (x=0, 0.02, 0.05, 0.08 0.1, and 0.2) were prepared using induction melting followed by hot-pressing. Relative densities of the sintered samples were over 97% of the theoretical values. Multiple phases were detected in the samples. It was found that the Seebeck coefficient was sensitive to the content of Mg₂Ge and a maximum value of about 350 μ V.K⁻¹ was obtained. The introduction of Ge increases the electrical conductivity and the thermal conductivity simultaneously. The mechanism of this phenomenon was discussed. A maximum dimensionless figure of merit, ZT, of about 0.28 was obtained for Mg₂Sn_0.4Si_0.55Ge_0.05 at 550 K.     

ZCY真空充氩箱及其在钛合金焊接中的应用

分析了钛及其合金的焊接性,重点介绍了ZCY真空充氩箱的特点、结构及使用流程,并对钛及其合金焊接的关键技术问题和解决方案进行了探讨.     

Al—11.7%Si合金锶变质效果的预报

针对Ｓｒ变质Ａｌ－１１．７％Ｓｉ共晶合金,通过实测获得冷却曲线,计算出结晶过程固相生长速率曲线。结果表明,固相生长速率最大值是表征Ａｌ－Ｓｉ合金变质效果的有效参数,通过计算机检测该参数可实现变质效果的准确预报。     

生理盐水中TiNi基形状记忆合金耐蚀机理研究

采用电化学测试技术对 Ti Ni基形状记忆合金在生理盐水中的腐蚀机理进行了研究 .结果表明 ,Ti Ni合金与 Ti Ni Cu合金相比 ,阳极钝化区拓宽、孔蚀电位正移、腐蚀率减小 .通过EDX分析和 SEM观察发现 ,Ti Ni基形状记忆合金蚀孔内存在富 Ti贫 Ni的 Ti2 Ni析出相 ,是萌生孔蚀的敏感位置 .在生理盐水中 Ti Ni Cu合金的耐蚀性比 Ti Ni合金劣 ,是由于 Ti Ni Cu合金存在不同晶体结构区域 ,造成电化学性质不均匀 ,加之晶界疏松状态的 Cu的表面富集 ,促进阳极溶解过程所致     

深冷处理下铝和铝合金的晶粒转动

在80K,47～60h条件下,对1～8系12种铝合金进行了深冷处理．通过研究发现,长时间的深冷处理可以使铝和铝合金的XRD衍射峰值的强弱发生明显的变化,即深冷处理使铝和铝合金晶粒发生了转动,出现了择优取向即织构现象．为了进一步证实这种现象,对深冷处理前后的高纯电容铝箔进行了面密度扫描,并计算了各(HKL)晶面的轴密度ρ(HKL)和晶面占参与衍射的晶面总数的比A(HKL)．此外,对深冷处理下铝和铝合金发生晶粒转动的机理进行了讨论．结果表明,从高纯电容铝箔轧制材和工业纯铝(1230合金)的挤压材深冷处理后的衍射峰值增强并非同一衍射晶面,可以认为深冷处理引起的择优取向不仅取决于铝合金的成分,还与加工工艺有关     

纳米二氧化钛催化剂的制备及其光催化性能

利用酸催化的溶胶-凝胶(Sol—Gel)法制备了纳米二氧化钛半导体催化剂．用XRD,TEM技术对其结构进行了表征．并利用环己烷在其上的光催化氧化进行了结构与其催化性能关系的研究．结果表明：利用热处理技术可以制得不同粒径、不同相结构的纳米粒子;粒子粒度分布均匀,粒径分布范围窄;该纳米催化剂的光催化活性随粒子粒径的大小、相结构的不同而改变;催化剂对产物环己醇具有很高的选择性(选择性大于85％)．     

Ti-47Al-1.5Cr-0.5Mn-2.8Nb合金高温力学性能应变速率敏感性及机制分析

在温度1123～1273K和应变速率5×10-5～5×10-3s-1范围内,研究了具有复相组织的Ti-47Al-1.5Cr-0.5Mn-2.8Nb合金拉伸性能的应变速率敏感性.发现提高应变速率或降低温度均可使合金的延伸率下降、强度增加,不同温度下拉伸强度与应变速率对数之间存在线性关系;利用热激活理论不仅解释了这一关系,还获得了应变速率方程,指出控制合金拉伸形变的微观机制是原子扩散过程.形变亚结构透射电镜观察证实该微观机制是位错攀移     

氮掺杂p型MgxZn1-xO薄膜的制备及其表征

采用不同氮分压（RN2）的氩气和氮气混和气体溅射Mg0．18Zn0.82O合金靶材,在石英衬底上生长了MgxZn1-xO（MgZnO）合金薄膜,研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质．结果表明：薄膜中的Mg含量（x）随着RN2的增加呈线性增加,导致其结构和光学带隙（Eg）随氮分压变化．Mg含量随氮分压的变化归因于：当氮分压增加时,与N反应形成NO2的O原子数目增加,导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少．而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO,导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO．未反应的Zn将以原子的形式沉积到衬底上继而因高的衬底温度发生二次蒸发离开衬底,导致薄膜中Zn含量减小,即Mg含量增大．当对由氮分压不为零制备的高阻MgZnO薄膜进行真空退火后,薄膜呈p型导电,说明这种p型导电与氮掺杂有关．本文讨论了Vegard定理用于估算MgZnO中Mg含量的正确表达式．