连续映射的扩充I

本文采用格论观点研究拓扑学中连续映射的扩充问题，给出陪域为局部紧的Ｔ＿２空间时连续映射扩充的充要条件，此结果包括陪域为紧空间或实数域的情况作为特例．     

循环伏安法对聚合物LB膜屏蔽效应的研究

利用电化学循环伏安法研究了沉积在ＩＴＯ导电玻璃电极上液晶聚合物ＬＢ膜的屏蔽效应．通过测量各种成膜条件下循环伏安图的变化，结合Ｘ－射线衍射和紫外光谱的结果，对ＬＢ膜的微细结构进行了探讨．     

单频散斑光栅膜研测面内位移场

本报道了利用作研制的一种新的光学元件－单频散斑光栅模进行面内位移场测量的方法及原理。     

2－连通简单MCD图边数的一个新的下界

设Ｇ是具有ｎ个顶点的２－连通简单ＭＣＤ图，ｆ２（ｎ）表示Ｇ的边数．本文证明了当ｎ≥８时，其中ｘｍ＝ｕｍ－２ｕｍ－５，ｕｍ是Ｆｉｂｏｎａｃｃｉ数．     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

dl－2，3－二氰基－2，3－二（3，4－二甲氧基苯基）丁二酸二乙酯的晶体和分子结构

用Ｘ射线晶体结构测定和分析了ｄｌ－２，３－二氰基－２，３－二（３，４－二甲氧基苯基）丁二酸二乙酯的分子和晶体结构。晶体学数据为Ｃ（２６）Ｈ（２８）Ｎ２Ｏ８，Ｍｒ＝４９６．５２，空间群Ｐｌ，ａ＝１２．０４７（１）Ａ，ｂ＝１３．２７１（１）Ａ，ｃ＝８．７２８（２）Ａ，α＝９０．７１（１）°，β＝１０８．８１（１）°，γ＝８４．８７（１）°，Ｖ＝１　３１５．４（２）Ａ３，Ｚ＝２，Ｄｃ＝１．２５４ｇ．ｃｍ（－３）．计算表明分子内有许多非键连原子间距小于ｖａｎｄｅｒＷａａｌｓ半径和，基团间的空间排斥作用使两苄碳原子间的σ键键长较正常的碳－碳单键键长明显增长，且分子内苯环上取代基的电子效应对上述σ键的变化亦有较大影响．     

白岩尾矿库初期坝Ⅲ号冲沟斜坡稳定性评价及防渗处理

因变更了初期坝轴线，Ⅲ号冲沟斜坡在清基中发现了隐蔽发育于中厚层白云岩中的卸荷裂隙，裂隙宽度０．１０～１．００ｍ，深度３．２０～４．５０ｍ。根据勘探及试验资料，进行了斜坡稳定性和渗透性评价。结论得出：（１）在天然状态下，Ｋ＞１，斜坡稳定；（２）在饱水状态下，沿ｍ２滑移结构面，Ｋ＜１，斜坡不稳定；（３）斜坡浅层管道式渗透作用，将产生渗透破坏。建议采用团结——帷幕溉浆作防渗处理。     

（R）－2－硫代四氢噻唑－4－羧酸甲酯的合成及消旋化

Ｌ－半胱氨酸甲酯盐酸盐和二硫化碳在三乙胺存在下反应，当摩尔比为１：１．５：２时，得到的（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯，产率８０％；摩尔比为１：１．５１３．５时，得到Ｒ，Ｓ－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯。另外，由（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸与甲醇及二氯亚硫酰反应，也得到（Ｒ）－２－硫代四氢噻唑－４－羧酸甲酯，产率为９８％，     

真空弧镀过程中阴极耗损率的研究

在真空弧镀过程中，阴极耗损率随阴极材料特性、真空室的温度、压力、气体成分、阴极和阳极的结构等因素而变化。笔者测量了铜、铝、铁、镍、钼、不锈钢、软铁和黄铜等工程上常用镀层材料的阴极耗损率，并分析了弧电流强度、真空室内气体成分和压力等因素对阴极耗损率的影响。     

组坯方式对竹帘板胶合强度的影响

研究了组坯方式对竹帘板胶合强度的影响，结果表明，当厚、薄竹片单板相间组坯时，薄单板和脲醛树脂在板材内可形成“复合胶层”、竹帘板胶合强度得以提高，并削弱了其变异性。