3DNSRMMCs网络骨架结构几何特征分析

用β-Si3N4颗粒浆料浸渍有机前驱体多孔聚合物材料，通过加热烧蚀掉聚合物，制备出三维空间连续网络结构预制块体。其几何特征遵循Euler定律、Aboav-Weaire定律和Levis准则等拓扑规律，在复制过程中，孔穴结构产生扭曲、变形，使其结构在空间三维方向上出现各向异性，各向异性率因扭曲变形程度不同而不同。通过实验数据测量和拓扑规律计算，定性和定量地描述了作为金属基复合材料增强相网络结构的几何特征，为获取复合材料优良性能奠定了基础。     

纳米ZrO2的超声沉淀法制备与表征

将超声辐射应用于以氯氧化锆(ZrOCl2·8H2O)和氨水(NH3·H2O)为原料的沉淀法制备纳米ZrO2粉体的工艺过程,制备出纳米ZrO2粉体。通过XRD、DTA／TG和SEM等技术研究了纳米ZrO2的合成过程及粉体性能。结果表明:超声辐射引入普通沉淀法,超声波的空化作用可使前驱体颗粒细化,抑制其团聚并延缓其向凝胶转变,从而可制备出ZrO2 纳米粉体;这种方法所得纳米ZrO2粒子外貌为球形,粒度分布均匀,分散性好。     

2,4-二乙酰基间苯三酚对两种常见田间病害的防治效果

2,4-二乙酰基间苯三酚能够防治多种土传病原菌引起的根部病害和苗期病害,是一种新型广谱抗生素。通过田间小区试验发现,2,4-二乙酰基间苯三酚对两种常见田间病害具有很好的防治效果,1%可湿性粉剂拌种处理对棉花立枯病的防效达到61.74%,200ug/mL浓度下对小麦白粉病的防治效果达到47.5%。     

一种基于离散度的决策树改进算法

在数据挖掘中，决策树方法是一个重点研究方向．很多学者从不同角度对ID3算法进行改进和优化，提高了分类的效率和速度．本文从离散度的角度，对ID3算法进行改进．实验表明，利用改进后的算法挖掘分类规则，不仅提高了分类的正确率，而且非常高效．     

泛圈图的一个充分条件

在文[1]中给出定理,设G是一个n-阶2-连通图且δ（G）≥t,若对于G的任意两个不相邻的点u和v,均有｜N（u）∪N（v）｜≥n-t成立,则G是一个泛圈图或G≌Kn/2,n/2.本文的目的在于将此定理的条件减弱,只对图中距离为2的点进行讨论,得出了泛圈图的一个充分条件.文中主要用数学归纳法对定理进行证明,先在引理中给出了几种特殊情况的证明,接着在定理的证明中讨论了一般情形.     

镍(Ⅱ)和铜(Ⅱ)配合物的氧化还原与pH值相关性的研究

用循环伏安法研究了两个新的三元配合物[Ni(phendio)(TPA)](CIO_4)_2(1)和[Cu(phendio)(TPA)] (CIO_4)_2(2)(phendio=1,10-菲咯啉-5,6-二酮,TPA=三(2-吡啶甲基)胺)在pH 2～9的磷酸盐缓冲溶液中的电化学性质．实验结果表明,在-0．3～0．4 V(vs．SCE)电位扫描范围内这两个配合物都表现出与pH值相关的氧化还原活性,pH＜4时,是2e~-/3H~ 过程,pH＞4时为2e~-/2H~ 过程．     

基于可逆RS码的第Ⅱ类多进制混合ARQ及其性能分析

针对二进制第Ⅱ类混合自动请求重传差错控制系统流量偏低的问题,提出了基于Reed-Solomon(RS)码的多进制混合自动请求重传方案.该方案将信息经RS码编码后,采用多进制调制,信息部分与校验部分分开传输,码的可逆性使得仅由无误的校验部分便可恢复出信息,利于提高流量.数值结果表明,该方案在Rician衰落信道下的流量比传统的二进制方案有了明显提高,同时可靠性依然保持与二进制方案相同的水平.     

两个角度描述的η-η′混合的研究

根据PDG-2004给出的J/ψ→VP各衰变道的分支比的世界平均值,利用对能量有依赖的η-η′混合角方案,对赝标量介子混合重新作了分析,由此得到η和η′的混合角θη=(-9.0±4.9)°,ηθ′=(-20.8±3.0)°.对J/ψ衰变中DOZI的贡献和SU(3)破坏也作了讨论和分析.     

强子对撞机上中性top—pion介子产生过程（pp（pp）→Ⅱt^0Ⅱt^0，bⅡt^0）的研究

描述电弱相互作用的电弱统一模型即Glashow—Weinberg—Salam（GWS）模型和描述强作用的量子色动力学（QCD）组成了粒子物理学中的标准模型（SM）．迄今为止，它是大家普遍承认的最好的描述弱、电、强3种相互作用的理论，大量实验成功地验证了这一模型．但是，其电弱理论中为产生电弱对称性破缺而引入的Higgs粒子，至今仍未在高能物理实验中发现，电弱对称性破缺（EWSB）机制还不清楚．     

Fabrication of MgB2 superconducting films by different methods

MgB₂ superconducting films have been successfully fabricated on single crystal MgO(111) and c-AL₂O₃ substrates by different methods. The film deposited by pulsed laser deposition is c-axis oriented with zero resistance transition temperature of 38.4 K, while the other two films fabricated by chemical vapor deposition and electrophoresis are c-axis textured with the zero resistance transition temperature of 38 K and 39 K, respectively. Magnetization hysteresis measurements yield critical current density J_c of 10⁷ A/cm² at 15 K in zero field for the thin film and of 10⁵ A/cm² for the thick film. For the thin film deposited by chemical vapor deposition, the microwave surface resistance at 10 K is found to be as low as 100 μΩ, which is comparable with that of a high-quality high-temperature superconducting thin film of YBCO.