Mo/CuZSM-5的微波辐射法制备及其性能研究

借助微波辐射，制备出一系列具有不同Cu^2＋交换度的Mo／CuZSM-5催化剂，并探讨了交换液浓度、固液比、微波强度以及微波加热时间对交换度的影响．研究了不同交换方法、不同交换度下的催化剂对甲烷无氧芳构化反应的催化效果，并进一步对反应条件进行了优化．实验结果表明：交换液浓度和固液比对交换度有较大的影响；与室温离子交换法相比，微波辐射下的离子交换速率和交换度大幅度提高．对不同催化刺样品催化性能的研究结果表明：催化活性与Cu^2＋含量密切相关，Cu^2＋的适量引入有助于提高催化剂的活性和稳定性。红外光谱、X射线衍射测试结果表明：微波辐射离子交换并未改变分子筛载体的结构；Cu^2＋的引入促使更多的活性物种分布在催化剂外表面。     

基于网络结构的安全管理信息系统设计

文章根据安全管理信息系统的实际需要，结合计算机、非接触式IC卡、网络、数据库等技术，提出了基于网络体系结构的安全管理信息系统设计与实现方法．在系统的设计与实现过程中，分析了系统的硬件拓扑结构、软件功能结构、系统所用到的关键技术，同时对系统的性能机制给予了相应的说明．系统的硬件拓扑结构在计算机端采用星型拓扑结构，在下位机端采用总线拓扑结构，两种拓扑结构之间采用485—232转换器进行连接．软件系统针对不同的功能需要采用B／S、C／S混合结构，该种软件结构充分利用的C／S、B／S两种结构的优势，使系统的安全性、稳定性得到很大程度的提高．该系统已在天津人民广播电台投入实际使用，取得了良好的实际效果．     

基于GSM和Internet相结合的远程监控系统的开发

以基于远程无线采集某地下水水位数据的开发系统为例,阐述了以VB6.0为开发环境,基于GSM网络和Internet网络两种通信方式相结合的远程监控系统的开发过程,并给出了基于Winsock的数据传输的部分代码。其设计方法具有一定的新颖性,并且具有可移植的通用性,因此可以广泛地应用于其它计算机监控系统的设计。     

铜锌铝合金"类流态"振荡时间序列的相空间重构

摘为了揭示固体“类流态”的非线性振荡机理，利用普通的光学显微镜、原子力显微镜（AFM）对Cu—Zn-Al合金表面金相组织进行了观察和研究．用计算机编程技术构建了系统的非线性动力模型，重构了系统的相空间．结果表明，系统存在混沌吸引子，最小嵌入维数为5；控制误差在5％以内，非线性模型可以由原始数据的1000个点预测100个点，超过100点时误差变大，说明了短期的非线性预报的可行性；R／S方法对时间序列演化特征进行分析，得到拟合线近似为直线，且斜率为0．86，表明“类流态”序列具有明显的Hurst效应，H〉1／2，是分式布朗运动，运动具有较强的持续性．     

基于DEA理论对碳纤维/铝粉/BMI树脂复合材料的有效性分析

加入适当的碳纤维和铝粉对双马来酰亚胺（BMI）树脂进行复合增韧，可以有效改善其力学性能，通常只能通过多次试验结果的优劣比较来评价BMI树脂的力学性能，而不能判断其力学性能是否达最优值。为此，基于数据包络分析理论，给出BMI树脂力学性能的评价模型和计算方法，利用试验数据可以有效测算其最优值，控制碳纤维和铝粉的加入量，使BMI树脂的力学性能达到最优。     

NGN和3G的演进及务实发展战略思考

介绍了下一代网络(NGN)和第三代移动通信(3G)研究的发展进程与现状,给出了对NGN概念、定义与框架目标的更深层次的理角,讨论了3G标准及其演进,探讨了3G与NGN的关系.     

光聚合和热聚合蒙脱土插层纳米复合材料的制备

利用光引发聚合和热引发聚合研究了单体(MMA)和蒙脱土(Mot)插层复合材料(PMMA/Mot)的制备.用X衍射技术对两种产物内蒙脱土的结构进行了表征.结果表明,蒙脱土经改性后能很好地使聚合单体插入蒙脱土层内并在光或热的作用下发生原位聚合反应生成复合材料.利用DSC、SEM研究了产物的结构和形态,并对两种聚合方法制备蒙脱土纳米复合材料的特点进行了初步讨论.     

基于B/S结构和ASP.NET技术的Web应用研究及实现

首先对ASP．NET技术的特点进行分析，然后对基于B／S结构和ASP．net技术的Web应用程序开发过程进行了探讨，最后给出了一个网络考试系统应用实例。     

复合地基中桩与桩间土应力分配实验

在实验室条件下，用碎石或灰土圆柱芯增强体与黏性土组成的复合地基单位桩模型，通过复合试样的三轴实验模拟现场碎石桩和灰土桩的工作状态，探讨桩与土的相互作用问题。实验结果表明：复合体的竖向强度不是两种材料按一定几何比例简单叠加。复合试样在荷载及应变不大时，桩土应力比增加很快，随后荷载逐渐向桩周土集中，桩土应力比减少。这种规律与现场测试的桩土应力比是一致的。实验揭示了桩土应力比变化规律及其机理。     

InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律．结果表明，随着量子点高度L和半径R的增加，结合能降低，随着量子点中In含量的增加，激子的结合能增大．对给定体积的量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内．对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1．7nm附近取得.