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121.
王秀章 《湖北师范学院学报(自然科学版)》2007,27(1):21-23,43
采用溶胶-凝胶法在S i(111)衬底上制备了LaN iO3薄膜,采用相同方法在LaN iO3/S i(111)上制备了SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜,对SrB i4Ti4O15(SBT)薄膜的结晶性,厚度和电性能进行了研究. 相似文献
122.
采用热压烧结法制备了添加质量分数为10%亚微米Ti(C0.7N0.3)粉末两种组分的Ti(C,N)基复合陶瓷,研究了亚微米Ti(C0.7N0.3)对材料力学性能和显微结构的影响.和微米级材料进行了对比,结果表明,亚微米材料的加入,抑制了基体晶粒的长大,细化了晶粒,使材料的力学性能大幅提高.VC的含量为16%,材料的硬度有明显提高. 相似文献
123.
电极活性材料Li4Ti5O12的制备及电化学性能 总被引:2,自引:0,他引:2
以LiNO3和TiO2为初始反应物,固相法合成了Li4Ti5O12(M1). X射线衍射实验结果表明,所得粉体为较纯的尖晶石结构的Li4Ti5O12复合氧化物. Li4Ti5O12电极以35 mA·g-1电流密度恒流充放电,首次放电容量达到170 mAh·g-1,接近理论容量,首次充放电效率为92%. 其在大电流密度下充放电性能良好,以175, 350, 875 mA·g-1的电流密度放电,放电容量分别达到了151,140,115 mAh·g-1;与传统方法使用LiOH和TiO2固相合成的Li4Ti5O12(M2)加以比较,3个倍率下的放电容量分别提高了约5%,10%和26%. 循环伏安曲线表明:M1电极电位极化小,可逆性好,电极电化学活性高;M1电极嵌入/脱出锂后交流阻抗测试表明其电化学反应阻抗分别为16和20 Ω. 相似文献
124.
合成了纯硅和含骨架钛的HMS,MCM-41两类中孔硅分子筛,利用它们的表面羟基与钛酸异丙酯(Ti(O^iPr)或d-酒石酸二乙酯(DET)的交换反应,用四种组装方法成功地将Ti(O^iPr)4+DET手性络合物接枝到纯硅的HMS和MCM-41中孔分子筛上,从而首次制备出固载手性钛的中孔催化剂。用FT-IR表征了中孔材料与手性钛铬合物的交换作用,并测定了钛的负载量。在用固载化的手性催化剂催化苯乙烯环氧化反应中发现:DET配体对钛中心的调变作用将造成其催化活性的下降和环氧物选择性的上升;DET配体的手性诱导作用将使环氧产物具有一定的光学选择性(其中d-型环氧物异构体过剩ee.%最高可达32.4%)。 相似文献
125.
Ti(C,N)基金属陶瓷的研究现状及发展趋势 总被引:11,自引:0,他引:11
Ti(C,N)基金属陶瓷是一种新型工具材料,本文介绍其发展过程和研究现状,并指出其发展趋势。 相似文献
126.
张俊才 《黑龙江科技学院学报》2003,13(2):12-14
通过应力松弛实验,研究了不同热处理状态对软合金应力松弛行为的影响。结果表明,退火状态的软合金较固熔时效态的试样应力难于松弛,但这种差异随温度的升高而减小。由实验得出的塑性应变速率与应力关系曲线均呈现两段直线,说明在应力松弛变形中存在槛应力,固熔时效态试样应力值要小于退火态。 相似文献
127.
128.
钛合金的应力腐蚀 总被引:3,自引:0,他引:3
褚洪 《北京科技大学学报》2002,24(1):47-48
分析了环境、应力、材料对钛合金应力腐蚀的影响,介绍了钛合金应力腐蚀的3种机制(即活性通道机理、氢脆机理、氯脆机理). 相似文献
129.
新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种新型微流通池pE-ISFET集成传感器,该集成传感器采用常规IC工艺、微加工技术和键合技术,实现微流通池、四对长臂式ISFET/REFET传感器(差分测量用)和Ti/Au膜伪参考电极芯片一体化结构,芯片面积为8mm×6mm,微流通池体积为0.7mm×5.0mm×0.3mm,当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池pH-ISFET流动注入分析(FIA)系统。实验结果表明,该集成传感器和FIA系统具有响应快、耗样液量少等特点,且稳定性和可靠性大为提高。 相似文献
130.
研究了电解充氢对Ll2结构Al67Ti25Mn8金属间化合物力学性能的影响。结果表明,在压缩试验条件下,充氢不改变材料的屈服强度,但断裂强度及塑性却明显降低。通过断口分析,发现在三点弯曲的起裂边缘存在沿晶断裂的薄层,而在断口内部则基本仍为解理断裂。试样表面沿晶界开裂,并在晶界附近出现浮凸粒子。能谱分析表明为Ti富集的新相,经热力学分析应为Ti-H化合物。表明氢在晶界富集促进了晶间起裂,致使材料的强 相似文献