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41.
报道了溴化十六烷基三甲胺CTMAB与乳剂OP共存时,在硫酸、盐酸介质中,用苯芴酮分光光度法测定铜合金中锡的研究.该混配颜色化合物的λmax 505nm,εmax 5.24×106 L·mol-1cm-1,锡的检量范围0~50μgmL-1,服从朗伯—比尔定律,具有较高的灵敏度、选择性,重现性、稳定性也较好,适用于工厂中铜合金锡的检测. 相似文献
42.
设H是Hilbert空间,(?)是H上的子空间格且Vφ-只有有限个.当H=V{G:G是(?)的Vφ-生成子} 时.对一切自然数n,得到Hn(M(?),B(H))= 0,其中,(?)是(?)到(?)的格同态.特别地,取(?)为恒等映射时,对完全分配的子空间格(?)有Hn(alg(?),B(H))=0.设A是完全分配的CSL代数,M是任意含A的A- 模,则Hn (A,M)= 0. 相似文献
43.
本文采用XRD,TPR和以H2,CO为探针分子的TPD—MS,TPSR-MS技术研究了Ni-CU合金负载于氧化物SiO2,MgO和γ-Al2O3上的性质变化,以及对CO加氢反应性能的影响。实验结果表明,各种载体对于负载于其上的活性组分均具有良好的分散性能;SiO2对金属相的结构和电子状态不产生影响,而γ-Al2O3和MgO对金属相则有不同程度的影响,这种相互作用主要表现在活性组分对H2和CO吸附能力的变化和CO加氢的活性和选择性的变化上。 相似文献
44.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到 相似文献
45.
以Al为研究对象,采用EAM势实施分子动力学模拟,在I型和Ⅱ型加载条件下,研究了温度和取向对位错发射,裂纹脆性及韧性扩展的影响,模拟结果表明,升高温度计等发射位的临界应力强度因子按指数规律降低,加载国速度在一定范围内将影响临界应力强度因子,临界应力强度因子随着加载速度的增大而增大。 相似文献
46.
研究了温度与碳含量对Ti(C,N)基金属陶瓷烧结性能及组织的影响,研究结果表明:材料的抗弯强度对烧结温度最敏感,而密度、硬度、平均线收缩系数对烧结温度的敏感性依次递减;材料中碳粉含量增加时,会使其烧结温度明显降低,当添加量为2.2%时,金属陶瓷组织中会出现石墨相,使材料的抗弯强度下降. 相似文献
47.
借助金相显微镜、DSC、X射线衍射和透射电镜等实验手段,研究了CuAlNiMnTi合金经高温形变热处理后对组织与性能的影响.试验结果表明,随合金变形量的增加晶粒尺寸变小,相变点M_s下降;适当形变热处理可以提高记忆性能,这是形成择优取向排列的马氏体作用的结果. 相似文献
48.
BaAl12O19高温热稳定材料制备方法 总被引:4,自引:0,他引:4
BaAl12O19是一种被用于高温催化燃烧的β-Al2O3型材料.在其制备过程中可采用柠檬酸盐无定形前驱体法.它在130℃的分解反映出硝酸盐与自由羰基的相互作用;360℃的分解对应于柠檬酸盐的氧化;在800℃时,BaCO3分解并生成BaAl2O4.BaAl2O4的产生并没有抑制BaAl12O19的形成.形成BaAl12O19的另一条途径是γ-Al2O3同分散相Ba2+之间的反应 相似文献
49.
基于SMA复合橡胶支座的桥梁隔震 总被引:1,自引:0,他引:1
针对结构减震、隔震问题,提出了一种基于SMA复合橡胶支座的智能隔震系统,应用SMA复合橡胶支座对一受代表3种场地频率地震波激励的多跨简支桥的标准跨桥梁进行了时程分析,并与应用普通橡胶支座的桥梁进行了减震、隔震效果的比较.结果表明,应用SMA复合橡胶支座隔震,不仅能取得更为显著的减震、隔震效果,而且能使地震后隔震桥梁的梁体得以复位,从而验证了SMA复合橡胶支座在桥梁隔震中的有效性、智能性和自恢复能力. 相似文献
50.
V2O5和Li2CO3共掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结行为及微波介电性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
采用固相法,制备了Mg4Nb2O9(MN)微波介质陶瓷,研究了V2O5和Li2CO3共掺杂对MgaNb2O9陶瓷烧结行为、相结构、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明,采用1.5%V2O5和1.5%Li2CO3共掺杂,能够将Mg4Nb2O9(135O℃)陶瓷的烧结温度降至925℃,且有助于Mg4Nb2O9单相的形成.3.0%(V2O5,Li2CO3)共掺杂样品在925℃空气中烧结5h可获得良好的微波介电性能(介电常数为13.7,品质因数为77975GHz). 相似文献