SF_6/CF_4 作为变压器的冷却和绝缘介质的研究

城网规模的迅速发展迫切需要无油化的大容量ＳＦ６气体绝缘变压器。采用混合气体作冷却与绝缘介质可以综合解决ＳＦ６气体的散热和液化问题。在研究了混合比例和压力变化对混合气体性能的影响后，提出用ＳＦ６／ＣＦ４混合气体可以代替纯ＳＦ６和ＳＦ６／Ｎ２作为气体变压器的绝缘和冷却介质。当变压器内充入ＳＦ６／ＣＦ４混合气体时，采用离散化的差分模型对其温升分布特性进行理论计算，并与相同条件下充入ＳＦ６／Ｎ２和纯ＳＦ６时的计算相比较，结果表明：采用ＳＦ６／ＣＦ４混合气体不会过分影响线圈温升。研究工作为气体绝缘变压器朝高电压和大容量发展提供了参考依据。     

c轴取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与光学性质

Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.     

3－乙氧基－4－羟基苯甲醛的合成

提出了一种合成３－乙氧基－４－羟基苯甲醛的新方法．采用正交试验，对不同配比下的原料，反应温度和滴加速度等影响产率的因素进行了研究，所设计的合成路线简单、操作方便、易于推广．     

3－甲基－4－甲氧基－4’－硝基二苯乙烯的三阶非线性光学性质

在四氢呋喃溶液中测量了３－甲基－４－甲氧基－４’－硝基二苯乙烯（ＭＭＯＮＳ）的三阶非线性光学效应．发现其在１．０６μｍ处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率，并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数，χ（３）＝２．５２ｎｍ２／Ｖ２，与著名的ＰＩＳ同数量级．非线性光学响应时间小于５０ｐｓ，表明ＭＭＯＮＳ的非线性光学效应是由于分子中π－电子的极化引起的．此结果表明ＭＭＯＮＳ可能成为有价值的非线性光学材料．     

新试剂2—羧基—4—硝基苯基重氮氨基偶氮苯的合成及其与镉显色反应的研究

本文报道了新三氮烯试剂２－羧基－４－硝基苯基重氮基偶氮苯的合成及其与镉的显色反应．在非离子表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ—１００存在下．于ｐＨ１１．０的Ｎａ４Ｂ４ｏ３－ＮａＯＨ缓冲介质中．试剂可与镉生成２：１的红色配合物，其配台物的最大吸收波长位于５２０ｎｍ处，表观摩尔吸光系数ε为１．５６６×ｘ１０５Ｌ·ｍｏｌ－１．ｃｍ－１，镉量在０—１０μｇ／２５ｍｌ范围内符台比尔定律，方法用于标准水样及铝合金标样中微量用的测定，结果满意．     

2，4—二氯甲苯合成条件的研究

本文介绍了在２，４—二氯甲苯的合成中，不同种类的催化剂、催化剂的用量对合成产率的影响以及三废处理和副产物的应用方面的内容。     

由间二氯苯合成2，4－二氟苯胺

以间二氯苯为原料，经硝化、氟代及还原反应合成２，４－二氟苯胺。探索了各步反应的工艺条件，对提高收率难度较大的氟代反应，研究了使用季铵盐类相转移催化剂时原料配比、反应温度及时间与收率之间的关系，并得到了较好的结果。硝化反应收率达９７％，氟代７０％，还原８９％。与其它方法相比，产品总收率由２２％～５０％提高到６０％以上，从而使文题所示的合成路线成为技术、经济上可行的方法。     

N－酰基－（R）－四氢噻唑－2－硫酮－4－羧酸乙酯的合成

在三乙胺存在下，使ＲＣＯＣｌ与（Ｒ）－四氢噻唑－２－硫酮－４－羧酸乙酯反应，得到相应的标题化合物ａ～ｆ，它们的［α］Ｄ分别为十１．４３，＋７．８，＋１．３１，－１１０．８，－４３．０，－４９．７９．实验可见，Ｒ为芳基的标题化合物的旋光度的绝对值较Ｒ为脂肪基的标题化合物的旋光度低．     

关于用K_2Cr_2O_7＋K_2CrO_4作双指示剂法示例的探讨

在酸碱滴定的双指示剂法示例中，用Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７＋Ｋ２ＣｒＯ４取代Ｎａ２ＣＯ３＋ＮａＨＣＯ３，并改用溴甲酚绿和酚酞作指示剂。其结果表明，本法滴定的终点颜色变化较明显，终点较敏锐，准确度较好。     

Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究

用粒度为 ５０～７０ ｎｍ的纳米级 ＳｉＣ粉体与微米级的 Ｓｉ３Ｎ４粉体复合来制备 Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料，对纳米ＳｉＣ含量不同的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明：纳米ＳｉＣ质量分数为１０％时，经热压烧结法制备的Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 ８４４ ＭＰａ，断裂韧性为 ９． ７ ＭＰａ· ｍ１／２。微观组织结构的研究还表明，纳米ＳｉＣ的不同含量影响着基体Ｓｉ３Ｎ４的晶粒形貌，从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级ＳｉＣ在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。