镁修饰丝光沸石对萘异丙基化选择性的影响

2，6-二异丙基萘是制备高级聚酯材料PEN和液晶聚合物的原料。用择形催化剂丝光沸石代替传统的Friedel—Crafts催化剂，在高压釜中以萘和丙烯为原料经异丙基化反应合成了2，6-DIPN。采用浸渍法用少量镁盐修饰水汽脱铝氢型丝光沸石（SDHM），减少了SDHM外表面的强B酸中心和非择形产物的生成，从而使2，6-DIPN的择形率提高到71％。2，6-DIPN／2，7-DIPN摩尔比达到2．89，有利于2，6-DIPN的分离提纯。     

基于TMS320C5409的语音处理系统

介绍了一个基于DSP(TMS320C5409)的语音采集、编码、回放系统实例,对于DSP与CODEC芯片如何连接和配合工作提出了较为详细的解决方案,并从硬件、软件两个方面做出了说明.     

2,2''''-二苯基二硫的间接电解氧化合成

以KJ—NaI为间接电解质，丙酮为溶剂，用间接电解氧化的方法对硫酚进行偶联，高产率地得到了偶联产物2，2’-二苯基二硫(Ph2S2)．     

MgAlON-Al2O3复合材料的抗渣性能

采用坩埚法研究MgAlON-Al2O3系复合材料的抗渣性能，分析了复合材料的高温稳定性能和材料受渣侵蚀后的显微结构变化。研究结果表明，MgAlON的抗渣性能优于刚玉和刚玉-MgAlON系复合材料；同时在Mg-AlON-Al2O3系复合材料中，随着MgAlON含量增加，复合材料抗渣性能增加。     

染料中间体1-氨基-2-羟基-4-萘磺酸的催化合成研究

本文采用催化方法合成得到1-氨基-2-羟基-4-萘磺酸，探讨了硫酸铜、硫酸亚铁催化剂对反应的影响．结果发现．CuSO4比FeSO4催化能力强，催化剂用量增大，产品收率提高．当CuSO4用量为0.2g，反应时间为8h、反应温度为50℃，产品收率为68．4％．     

基于J2EE的三层B/S企业信息系统

针对企业信息服务的特点,阐述了基于J2EE的三层B/S企业信息系统的构建方法,分析了J2EE与企业数据库之间的接口连接问题,最后结合实际情况,给出了一个银行企业信息系统的设计方案,并讨论了系统代码实现的关键技术问题。该系统具有可伸缩性好、易维护、使用灵活等特点。     

反相流动注射化学发光法测定盐酸小檗碱

在酸性条件下,盐酸小檗碱对联吡啶钌(Ⅱ)-铈(Ⅳ)反应体系的化学发光有显著的增强作用,据此建立了反相流动注射化学发光法测定盐酸小檗碱的新方法.对影响流动注射化学发光的各因素进行了实验研究,优化了反应条件和各项测定参数.结果表明,优化条件下,在质量浓度为1.0×10-7~1.5×10-5g/mL的范围内,相对发光强度与盐酸小檗碱的浓度成对数线性关系,检出限(3σ)为3.6×10-8g/mL,对浓度为1.0×10-6g/mL的盐酸小檗碱进行11次平行测定,相对标准偏差(RSD)为2.3%.本方法用于复方黄连素片剂中盐酸小檗碱含量的测定,具有良好的选择性,标准加入法的回收率在97.8%~101.5%之间.分析效率为140/h.     

2,4-二羟基二苯甲酮在硫酸介质中的极谱行为研究

用单扫示波极谱法研究了2,4-二羟基二苯甲酮在不同浓度H2SO4介质中的极谱行为。实验表明,在0.2mol·L-1的H2SO4介质中其二阶导数峰电位为-1.01V(vs.SCE),峰电流与其浓度在2.5×10-8mol·L-1～1.0×10-6mol·L-1范围内有线性关系,线性方程为ip″(nA·s-2)=116.3+4.559×108c(mol·L-1),(r=0.9985)。循环伏安研究表明,该极谱波为吸附波。     

Dielectric and Structural Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy

Dielectric and Structural Properties of SrTiO_3 Thin Films Grown by Laser Molecular Beam Epitaxy[1]Hao J H,Gao J,Wang Z,et al.Interface structure and phase of epitaxial SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on silicon[J].Appl Phys Lett,2005,87:131908. [2]Hao J H,Gao J,Wang HK.SrTi O3(110)thin fil ms grown directly on different oriented silicon substrates[J].Appl Phys A,2005,81:1233. [3]Aki mov I A,Sirenko A A,Clark A M,et al.Electric-field-induced soft-mode hardening in SrTi O3fil ms[J].Phys Rev Lett...     

直接有限环

证明了如下结果:1)环R是直接有限环当且仅当每个右R-满射f:R→R是单射;2)若R是右C2环,则R是直接有限环当且仅当每个右R-单射f:R→R是满射当且仅当R/J(R)是直接有限环;3)设R是左半A-bel环,则R是直接有限环;4)设R,S是两个环,RVS是(R,S)双模,则C=RV