遗传算法对模糊控制的优化及其应用

为了使模糊控制器具有自学习能力,本文将遗传算法与模糊控制相结合,提出了使用遗传算法对模糊子集进行划分的优化方法,并根据模糊控制的特点,给出了改进的编码方法和交叉算子,加快了算法的收敛速度．应用该方法对锅炉过热汽温进行了仿真研究,结果表明本文提出的基于遗传算法的模糊控制优化方法是很有效的．     

LF-CD-CC过程中钢液温度控制模型

在分析ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程各阶段热平衡状况的基础上,开发了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程中钢液温度控制模型。用该模型模拟计算了ＬＦ－ＶＤ－ＣＣ过程的温度变化。结果表明,该模型对预报过程钢水温度,计算的命中率较高,可用于工业生产．     

功能梯度材料的基体与颗粒界面热应力研究

研究金属－陶瓷功能梯主材料的基体与颗粒的界面热应力。方法给出功能制备的有限元计算优化设计方案,针对所制备的梯度材料的结构特点,采用双层嵌套模型研究基体与颗粒的界面热应力与两相材料体积分数的变化关系。     

FMS故障诊断专家系统的研究与开发

为保证柔性制造系统的可靠运行,对其发生的故障进行快速诊断,研究开发ＦＭＳ故障诊断专家系统。方法根据ＦＭＳ故障的特点综合运用模糊数学、专家系统、神经网络、数据库和机器学习等理论,解决专家系统中许多关键技术,     

温度对茶毛虫Euproctis pseudocons persa发育速率的影响

茶毛虫(Euproctis pseudoconspersa Strand)是茶树主要害虫之一,福建各茶区时有暴发成灾,对茶叶产量影响极大。在福建年发生代数3—5代,发生代数因各地气候条件而异(华南农学院1981)。发育起点温度和有效积温研究是测定各地茶毛虫年发生代数的有效途径。前人对茶毛虫的发育起点温度和有效积温曾有过初步研究(卜可华1988;陈文瑞等1989;张汉鹄等1987),但温度设置方面不全面,并且处理数偏少。为了弄清茶毛虫各虫态及全世代发育速率与温度的关系,确定茶毛虫在福州地区的年发生代数,从而为生产上准确预报和安全有效防治提供科学依据,我们于1996—1997年开展了此课题的研究。     

车间作业计划的模糊多目标网络方法

讨论了模糊集理论在车间作业计划中的应用,提出了车间作业计划的模糊多目标网络模型及其算法。     

盐胁迫下Na^＋,K^＋,Cl^—对碱蓬和玉米离子的吸收效应

用ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＮＯ３和ＫＮＯ３处理碱蓬（Ｓｕａｅｄａｓａｌｓａ）和玉米（Ｚｅａｍａｙｓ）幼苗,发现ＮａＣｌ胁迫引起Ｋ＋、Ｃａ２＋、Ｍｇ２＋、Ｆｅ２＋、Ｚｎ２＋、ＮＯ－３等必需元素的含量降低．认为ＫＣｌ和ＫＮＯ３处理引起碱蓬幼苗幼叶黄化的主要原因是Ｎａ＋的缺乏;ＫＣｌ处理引起玉米和碱蓬幼苗的干枯死亡主要是由于植物体内高浓度Ｃｌ－引起的;Ｎａ＋是引起盐生植物碱蓬叶片肉质化的重要因子;Ｃｌ－是刺激碱蓬生长的重要因子     

Stability of the Sarcin/Ricin domain of 28S RNA in rat ribosome under hydrostatic pressure

Under 2 100 bar of hydrostatic pressure, KNA N-glycosidase can still cleave the N-C bond of adenosine at position 4324 in R/S domain of 28S RNA in rat ribosome, demonstrating that high pressure has no effect on the tertiary structure of S/R domain.     

Kinetic model for the smectite to illite transformation in active geothermal systems

The smectite to illite transformation in active geothermal systems of New Zealand can be simulated by a first-order reaction kinetic model, which provides direct estimates about the minumum ages of active geothermal systems themselves. The derived kinetic values show that the smectite to illite transformation is sensitive to both temperature and time.     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.