宽温度液晶的合成

４．４’－双－（反式－对正戊基环己基）联苯（５ｃｐｐｃ５）具有熔点低，清亮点高的特点；因此，它的中介相温度很宽。本文提出一种通过三步反应合成５ｃｐｐｃ５的新路线，详细地讨论了这种液晶的合成方法以及有关影响反应的因素，并用红外、核磁、紫外、质谱等方法测定了该液晶的化学结构．研究了该化合物的热力学性质和偏光织构图。     

面向21世纪的Si基光子学

Si基光子学是近年来在半导体光电子学和纳米材料科学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科,旨在研究各类Si基低维材料的发光特性,各种Si基光子器件的设计与制作,并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。预计在未来10年内,随着Si基纳米材料发光效率的提高,器件制备技术的进步和光电子集成工艺的成熟,Si基光子学的研究将出现重大突破性进展,并很有可能引发一场新的信息技术革命。本文着重介绍了用于Si基光电集成的光子学材料、器件与工艺在近3~5年内所取得的研究进展,并预测了它们的未来发展趋势。     

介质层光学厚度为非λ0／4的-维光子晶体透射谱研究

采用光学传输矩阵方法，模拟研究了当一维光子晶体的介质层光学厚度不为λ/4时，光子晶体的光学传输特性。详细计算并分析了这类光子晶体的透射谱．结果表明。在这种常常被研究者们所忽视的介质层光学厚度为非λ/4情况下，仅通过适当调节介质层的实际厚度就能够产生一个或多个近完全透射带，这将为光子晶体滤波器的制作提供一种简单的方法．     

含缺陷模一维光子晶体的超窄带滤波特性分析

利用传输矩阵方法,计算含缺陷模的一维光子晶体中缺陷模产生的窄透过带的滤波特性。结果得出,缺陷模介质的折射率越小,产生的超窄滤波带滤波性能越好;一维光子晶体的两基元介质折射率比值越大,产生的透过带越窄;缺陷插入一维光子晶体正中间产生的滤波效果最好。     

光子晶体中光子的波动方程与光子能带

在矢量波的理论框架上,从麦克斯韦方程组出发推导了光子晶体中光子的波动方程,发现其在形式上与自然晶体中电子的薛定谔方程十分相似.因此,光子晶体中光子的运动将类似于周期性势场中电子的运动,会产生类似的电磁波或光波的"能带"结构,也可以借用固体能带理论的基本方法来研究光子晶体的带隙.     

单向拓扑密集波分复用光分组交换网络结构及性能分析

提出了在单向网络拓扑下应用密集波分复用技术构造的多波长分组交换网络及其节点结构模型，在此基础上，应用简化的带缓存固定路由算法模拟了网络在稳态下的分组丢失率和归一化节点吞吐量等性能参数．模拟结果表明，密集波分复用(DWDM)技术的应用能使分组交换网络缓存数量急剧减少，整体性能大幅度提高．     

Thermoelectric power and carrier concentration of La2−xSrxCuO4(0.03 <x <0.17) single crystals

Thermoelectric power (S) measurements have been systematically investigated in high-quality La2-x-Srx-CuO4 single crystals with different Sr concentrations (x =0.03, 0.05, 0.07, 0.1, 0.12). In this doping range studied, S remains positive, and with the increase of Sr concentration,room-temperature thermoelectric power S (290 K) decreases.An empirical formula which presents a relationship between hole concentration P and room-temperature thermoelectric power S (290 K) is reported in this note. Based on the theory of metallic diffusion model, the experimental results are discussed.     

有机极化电致发光进展

对近年来极化电致发光及其材料的进展进行了综述 ,主要介绍了极化电致发光器件的制备、液晶薄膜取向方法以及有机功能材料的性能和应用     

有机颜料晶体行为和颜色性能的关系——Ⅰ.联苯胺系黄色颜料

合成了系列联苯胺系黄色双偶氮颜料。采用X-射线粉末衍射枝术考察了它们的晶体行为,并关联了其颜色性能。发现C.I.颜料黄14和63为异质同晶体,C.I.颜料黄17存在同质多晶现象。测色结果表明:颜料的晶体行为对颜料的颜色性能具有重大影响。