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81.
理论分析了磁光薄膜垂直不均匀静磁场对静磁波以及导波光衍射效率的影响,并以抛物线分布的不均匀磁场为例对Bi:YIG薄膜波导进行了计算,计算表明,在适当分布的不均匀场作用下,与均匀磁场情形相比,波导中传播的静磁波振幅以及导波光的衍射效率都有显著增加。  相似文献   
82.
利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。  相似文献   
83.
利用放射性标记和薄层层析(TIC)分离发现2,4-D,GA3和6-BA可不同程度地促进肌醇-1,4,5-三磷酸(IP3)水平的增加.在最适浓度下的作用效果是:GA3>2,4-D>6-BA.但脱落酸(ABA)没有引起IP3含量的变化.低温(0℃)和高温(35℃)胁迫亦引起IP3含量的增加.2,4-D,GA3,6-BA和温度胁迫的共同处理对IP3含量的增加有协同作用.表明2,4-D,GA3,6-BA和温度胁迫促进绿豆黄化幼苗肌醇磷脂代谢,ABA也许不参与绿豆黄化幼苗肌醇磷脂代谢.  相似文献   
84.
利用手性源(2R,3S)-3,4-二甲基-2-苯基-1,4-氧氮杂-5,7-二酮(1)合成了具有光学活性的7,8-二甲基-3,6-二苯基-5-氧-8-氮螺[2.6]壬-4,9-二酮(3).测定了化合物(3)的晶体结构,并讨论了在环加成反应中的不对称诱导作用的机理.  相似文献   
85.
以SrS∶Ce和ZnS的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色SrS∶Ce薄膜电致发光(TFEL)器件,研究了新法制备的SrS∶Ce膜的光致发光(PL)性能和它的电致发光(EL)器件的电致发光性能,并与直接用SrS∶Ce粉末制备的薄膜和器材的性能进行了对比.结果表明混晶法制备的薄膜电致发光器件的亮度和效率比直接法制备的器件要高得多,且ZnS的引入弥补了在SrS∶Ce薄膜S的不足,避免了直接用SrS∶Ce材料蒸发而采用的共S蒸发方法中S气氛对环境的污染.  相似文献   
86.
KTiOAsO4(KTA)晶体是一种新型的性能优良的铁电晶体,它的电光效应和非线性光学效应尤为突出,使得它在光电子技术及非线性光学领域有一系列重要应用[1].KTA与另一种已知的性能出众的非线性光学材料KTiOPO4(KTP)相比,具有更高的非线性光...  相似文献   
87.
使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。  相似文献   
88.
前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度(pH值)对薄膜结构和结晶性的影响.pH<2和pH>35的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Bi2Ti2O7和Bi2Ti4O11杂相.pH=25~35的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Bi4Ti3O12结构的取向薄膜  相似文献   
89.
介绍了Solgel法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程,研究了BiTi溶胶在Si基片上的匀胶规律;用TGDTA和TEM技术研究了BiTi干凝胶的形态,并成功地在Pt/Ti/Si基片上制备了c轴取向的Bi4Ti3O12薄膜.  相似文献   
90.
研究了MnBiAlGe合金薄膜的磁光特性,并着重探讨Ge在合金薄膜中组分变化对磁光特性的影响,得出了当Ge为0.3时,其克尔角可达1.75°,是很有希望的新型磁光材料.  相似文献   
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