一种SOL-GEL制备钛酸锶钡(BST)薄膜新路线的工艺研究

研究利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐,采用sol-gel技术制备Ba1-xSrxTi O3(BST)铁电薄膜的工艺过程.以碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料,采用sol-gel工艺制备BST薄膜,对比研究了用两种混合溶剂制胶和制膜的工艺.通过XRD分析了薄膜的结构,用AFM测定表面形貌,结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,并制备出膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜.     

衬底处理方式对电化学法制备的BaWO_4多晶膜形貌的影响

采用恒电流型电化学工艺,控制适当的电化学反应条件,分别在酸腐蚀的钨片和机械抛光的钨片上制备了BaWO4多晶膜.运用XRD,SEM测试手段分析表征了产物的晶相和表面形貌,结果表明,在相同的电化学条件下,机械抛光这种衬底处理方式可以较为有效地改善BaWO4多晶膜的表面平整度和均匀性.     

SrNdCoO_4陶瓷的磁学性能研究

采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析.     

铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3 部分替代Bi3 或者Ca2 ,以及用V5 和W6 取代部分B位的Ti4 的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.     

纳米Fe3O4/BaTiO3复合体系的微波吸收特性

研究了纳米Fe3O4和BaTiO4及其复合体系在2～18GHz频率范围内的微波吸收性能，并分析了其吸收机制以及复合组分对吸波性能的影响。研究结果表明，通过调节材料组分可调节电磁参数及吸收峰的位置，复合体系的有效吸收频带较单一材料的吸附频带变宽。单一组分的纳米Fe3O4和PaTiO3都有2个吸收峰。在复合体系中，多个吸收峰发生重叠。这2种材料的微波吸收能力随电磁波频率的变化而规律不同，当频率低于14GHz时，PaTiO3的吸收能力大于Fe3O4的吸收能力；当频率高于14GHz时，Fe3O4的吸收能力大于BaTiO3的吸收能力。因此，将这2种材料复合，产生协同效应，材料的整体吸收能办提高，有效吸收频带拓宽。当样品的厚度为2mm，Fe3O4与BaTiO3的质量比为3：2时，反射率为10dB的有效频宽可达2．7GHz；当Fe3O4与BaTiO3的质量比为2：3时，反射率为10dB的有效频宽可达4GHz。     

基于混合预测模式的新型帧内编码算法

提出了一种新型的基于混合预测模式的帧内预测编码算法,它仅仅采用一种预测模式,避免了其它算法中从众多模式中选择模式的过程.实验结果表明,它能够充分利用空间的冗余度.     

射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.     

新一代IP地址--IPv6地址

IP协议的一个重要意义是定义了IP地址，IP的成功带来了互联网的巨大发展，但同时也造成了地址匮乏问题，超出了IPv4的支持能力。IPv6协议最重要的改进之一体现在扩展地址空间，IPv6将IP地址扩大到128位，为将来网络的发展提供了巨大的地址资源。     

4～6岁儿童心血管机能的测试与分析

采用实验法,对4～6岁儿童的心血管机能进行测试,分析了他们在运动负荷后的变化规律,探讨如何科学地安排好该年龄段儿童的体育锻炼,为他们参加系统的体育训练提供依据,以促进其身体的正常发育,并为科学合理地安排他们的体育训练提供依据.     

Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。