TiO2薄膜光催化降解二氯乙酸和三氯乙酸水溶液

用常压化学气相沉积法镀TiO2薄膜,以紫外灯为光源,对二氯乙酸和三氯乙酸溶液进行光催化降解,并证实了此过程符合一级反应动力学方程。结果表明:卤代度以及不同的半导体化合物底物均对二氯乙酸和三氯乙酸溶液的降解有影响,卤代度低的二氯乙酸比卤代度高的三氯乙酸降解效果要好;同样条件下半导体的带隙能越低,降解效果越好。     

微乳法制备均匀分散的PbCrO4纳米发光椭球

采用水 (溶液 ) /TritonX 10 0 /环己烷 /正戊醇的微乳体系 ,分别配制Pb(NO3 ) 2 和K2 CrO4微乳液 ,经充分反应后 ,成功制备出分散均匀的纳米PbCrO4椭球 .利用透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)对产物的形貌、尺寸、结构进行了表征 ;在不同的微乳体系中 ,通过傅立叶变换远红外光谱 (FT IR)、紫外可见光谱 (UV Vis)、荧光光谱 (PL)对产物的光学性质进行了研究 .     

小叶臭黄皮中的苯丙素苷和降类胡萝卜素苷

从云南西双版纳的小叶臭黄皮（Clausena excavata Burm．f．）中分离到三苯丙素苷和两个降类胡萝卜素苷，他们的结构分别鉴定为4-丙烯基-2，6-二甲氧基苯酚1-O-β-葡萄糖苷，4-烯丙基-2，6-二甲氧基苯酚1-O-β-葡萄糖苷，4-丙基-2，6-二甲氧基苯酚1-O-β-葡萄糖苷，icariside B1和B6。这五个化合物均为首次从黄皮属植物中首次分离得到。     

反应热压法制备B4C基复合材料的烧结致密化研究

通过在B4C中添加Si3N4以及少量的SiC和TiC,在1 820~1 900℃,30 MPa的热压条件下反应生成了B4C基轻质复合材料,烧结助剂为(Al2O3+Y2O3)。结合材料的断口SEM形貌,分析讨论了烧结致密化过程,结果表明:在相同烧结温度下,随基体相B4C含量的增多,复合材料变得更难烧结;对同成分组成的复合材料来说,随着烧结温度的升高,最终得到的材料致密度有所提高。两步烧结过程中的降温保温阶段,有利于放热反应的彻底进行,使最终复相陶瓷组织中含有少量细小的TiB2和BN相,同时,放热反应可以维持致密化进程的继续进行,这对于提高复合材料的强度和韧性有利。     

BiCrO3薄膜的溶胶-凝胶制备方法

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3／Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶，呈（I0I）择优取向．铁电性测试表明，室温下薄膜具有铁电性，剩余极化强度为0．6μc／cm^2，漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。     

2,4-二羟基二苯甲酮在硫酸介质中的极谱行为研究

用单扫示波极谱法研究了2,4-二羟基二苯甲酮在不同浓度H2SO4介质中的极谱行为。实验表明,在0.2mol·L-1的H2SO4介质中其二阶导数峰电位为-1.01V(vs.SCE),峰电流与其浓度在2.5×10-8mol·L-1～1.0×10-6mol·L-1范围内有线性关系,线性方程为ip″(nA·s-2)=116.3+4.559×108c(mol·L-1),(r=0.9985)。循环伏安研究表明,该极谱波为吸附波。     

人造金刚石金属包覆膜内γ-(FeNi)(111)与Fe3C(004)晶面上原子匹配关系与电子密度分析

用透射电子显微镜(TEM)检测了高温高压下铁基触媒合成金刚石外的金属薄膜,发现存在大量的合金相γ-(FeNi)与高碳相Fe3C,但未发现石墨与金刚石结构.γ-(FeNi)(111)晶面与Fe3C(004)晶面上的原子有对应匹配关系.应用余氏理论(EET)计算了γ-(FeNi)/Fe3C界面的共价电子分布,发现一级近似下两晶面的平均共价电子密度(简称电子密度)连续,符合程氏理论(TFDC)提出的"相邻晶面电子密度连续"的原子边界条件.分析认为,γ-(FeNi)与FeaC分别是金属薄膜中形成金刚石的催化相和过渡相.     

硬质薄膜力学性能测试技术的研究

叙述了目前常用的硬质薄膜力学性能测试方法、原理及它们的优缺点.介绍了一种新的测试技术即薄膜冲击试验,可用来分析多次冲击载荷下薄膜失效机理及膜基体系疲劳强度或冲击韧性更多的信息.     

正交设计法优化纳米Fe_3O_4的合成工艺条件

采用液相共沉淀法制备纳米级Fe3O4颗粒,并利用芷交设计法对制备纳米级Fe3O4颗粒的影响因素如Fe3 /Fe2 的物质的量比、制备Fe3O4的晶化温度和晶化时间等进行实验设计,利用Zetasizer粒径分布仪对所制备纳米粉的颗粒大小进行表征,据此找出最佳实验条件为Fe3O4的晶化温度为90℃,Fe3 /Fe2 的物质的量比为1:2和制备Fe3O4的晶化时间为30min,此时制得的纳米粉体平均粒径可达15nm;并利用XRD、HRTEM对所制备纳米粉进行结构表征.     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.