带背景激波系的凹腔流动特性研究

凹腔作为超燃冲压发动机的一种火焰稳定器受到广泛关注,凹腔剪切层与背景激波系的相互作用影响凹腔火焰稳定器的性能。为深入分析背景激波系对凹腔流动的影响,设计了长深比为13.3的闭式凹腔,将凹腔模型前缘激波和风洞上壁面干扰激波作为背景激波系,在Ma=2的直连式风洞中开展了背景激波系与凹腔剪切层的相互作用的试验,采用高速纹影系统对瞬态流场进行了捕捉,重点关注背景激波系和凹腔剪切层的动态变化特性。采用纹影序列的本征正交分解来研究流场中的主要相干结构,采用快速傅里叶变换和连续小波变换对流场的频率域特征进行了分析。结果表明：在背景激波与剪切层相互作用下,激波结构产生大尺度振荡,凹腔内流动结构产生小尺度脉动。通过对激波位置的傅里叶变换分析,发现激波振荡的主导频率集中在90～400 Hz的范围内。通过对纹影图像的空间傅里叶变换分析,发现5 kHz以下的流场振荡主要由激波振荡引起,5 kHz以上的流场脉动主要由凹腔内流动结构引起。     

MD Method in Solving Multiple Criteria Decision Problems Arising from Investment Systems

ＭＤＭｅｔｈｏｄｉｎＳｏｌｖｉｎｇＭｕｌｔｉｐｌｅＣｒｉｔｅｒｉａＤｅｃｉｓｉｏｎＰｒｏｂｌｅｍｓＡｒｉｓｉｎｇｆｒｏｍＩｎｖｅｓｔｍｅｎｔＳｙｓｔｅｍｓＤＵＷｅｎｚｈｏｎｇ;ＣＩＪｉａｎｈｕａ（ＥｃｏｎｏｍｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＣｅｎｔｅｒｏｆ...     

一类一阶线性非齐次方程组的解法

利用二阶线性微分方程的可解定理,给出一阶线性非齐次方程组的一种新解法     

有间隙系统自激振动的近似解析解

对有间隙系统自激振动非线性方程的解析解进行了分析,通常平均法产生误差的重要原因在于假设平均法的解时未考虑间隙的影响,从而提出一种新的方法,即加权平均法。经验证,计算精度符合工程要求,为某些非线性方程提供了一条求其近似解析解的途径。     

Banach空间二阶微分方程的周期解

研究了有序Ｂａｎａｃｈ空间中二阶微分方程周期解的存在性,利用凸锥理论与上、下解方法获得了周期解的存在性结果,并把Ｌｅｅｌａ关于二阶常微分方程的结果推广到了无限维空间．     

二阶非线性非驻定系统——周期解的存在性

讨论二阶非线性非驻定系统周期解的存在性,给出相应的例子加以说明。     

反胶束溶液和血红蛋白水溶液相平衡的研究

研究了十六烷基三甲基溴化铵－正庚烷反胶束溶液和牛血红蛋白水溶液的相平衡,探讨了有机相助表面活性剂种类和浓度、水相ｐＨ值、水相离子种类和强度、表面活性剂浓度的影响,适宜条件下,牛血红蛋白的萃取率可达９５％以上。对实验结果从表面活性剂极性头与蛋白质分子间的相互作用和反胶团包溶蛋白质时的空间阻碍作用上进行了解释。     

Hilbert空间中的发展包含

在Ｈｉｌｂｅｒｔ空间中研究发展型微分包含ｘ’＋Ａ（ｔ）ｘ∈Ｆ（ｔ,ｘ）,其中Ｆ是一个多值映象,证明了以上 系统ｍｉｌｄ解的存在性,得到一个新的存在性定理。     

Explicit analytical solutions of non-Fourier heat conduction equation for IC chip

Four basic explicit analytical solutions of non-Fourier heat conduction equation simulating IC chip thermal condition are derived. Some other analytical series solutions can also be derived with the above-mentioned basic solutions. Analytical solution has its own irreplaceable important meaning in theory. In addition, as the standard solution to check the accuracy, convergence and effectiveness of various numerical computational methods and their differencing schemes, grid generation ways and so on, the analytical solution is very useful also for the newly rapidly developing computational heat transfer.     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.