激光沉积高温超导薄膜的研究

本文利用激光剥离超导靶材的技术,在相当低的基片温度下,原位生长出了零电阻温度90K左右、C-轴取向择优生长的Y-Ba-Cu-O超导薄膜;给出了激光剥离材料的新模型;推导了激光剥离材料的功率密度阈值、剥离层厚度和被剥离而喷射出来的粒子所受到的反冲压的数学表达式.     

发光分子水杨基荧光酮羧甲基纤维素铅微球固体基质室温燐光猝灭法测定痕量的钯

以NaCMC(羧甲基纤维素钠)为前驱体,掺杂水杨基荧光酮(THBF),Pb2 为沉淀剂,用Sol-gel法合成发光分子水杨基荧光酮羧甲基纤维素铅微球(简记为Pb(CMC)2–THBF).Pb(CMC)2–THBF在滤纸基质上可发射强而稳定的室温燐光(RTP).基于EDTA与Pb2 的络合反应,使Pb(CMC)2–THBF微球转化为水溶性组分(PbY2-、2CMC-、THBF),该水溶性组分与痕量上Pd2 作用生成(CMC)2 Pd–THBF,导致Pb(CMC)2–THBF上RTP猝灭,Pd2 上含量与△Ip值成线性关系,据此建立了Pb(CMC)2–THBF固体基质室温燐光猝灭燐上痕量钯上新方法.该方法上检出限为0.38fg/斑(对应浓度为9.5×10-13g/mL),工作曲线回归方程为△Ip=17.95 0.7847 C Pd2 (fg/斑),r=0.9989.本方法用于分子筛催化剂和黄矿石中痕量钯上燐上,结果满意.同时时时了固体基质室温燐光测定钯的反应机理.     

一种Ka频段微带隔离器

叙述了一种Ｋａ频段内的微带隔离器,其优点是利用软基片来制成器件,铁氧体圆片可方便地镶嵌入软基片内,最后,在这种器件结构下,可在大于２ＧＨｚ的带宽内获得小于１．２ｄＢ的正向损耗和大于２０ｄＢ的反向损耗。     

Ribonuclease 4, an evolutionarily highly conserved member of the superfamily

The structural and enzymatic properties of RNase 4 are reviewed. This RNase shows a much higher interspecies similarity (approximately 90%) than the other members of the RNase A superfamily. The enzyme is ubiquitous, with the highest amounts present in liver and lung. Its unique uridine specificity results from alterations in and around the pyrimidine-binding site. In particular, the shortened C-terminus and the side chains of Phe-42, Asp-80 and Arg-101 appear to be involved. RNase 4 binds tightly to the intracellular RNase inhibitor, with a K _d of 4 × 10⁻¹⁵ M.     

康氏木霉固体发酵生产纤维素酶条件的研究

为利用康氏木霉(Trichoderma.koningii)降解稻草提供工艺参数,以康氏木霉(T.koningii)N18为菌株,进行了固体发酵产纤维素酶条件的优化。确定了康氏木霉(T.koningii)的最佳固体发酵培养条件:稻草:麸皮的最佳比例为6:2,最佳氮源为(NH)SO,碳氮比为6:1,含水量为200%,最适产酶pH为6.0,最佳产酶温度为28℃,最佳产酶时间为7d,康氏木霉(T.koningii)所产纤维素酶各组分酶活力分别为:羧甲基纤维素酶活力为321.64U.mL,滤纸分解酶活力为59.58U.mL。4 2 4-1-1     

6英寸重掺Sb衬底外延后表面异常解决

6英寸Sb(锑)基板是国内半导体分立器件使用的主力材料,此材料主要供客户外延使用.但近期某司的基板在外延后出现表面类似气泡状的缺陷,此缺陷异常,无法抛光去除.文章主要研究此外延缺陷与硅晶体的关系,通过试验分析此异常缺陷出现的原因,找到解决的方法.     

四种基材国产厚型气体电子倍增器的模拟与性能研究

陶瓷基材厚型气体电子倍增器（THGEM）已被成功运用于中子探测. 用Geant4软件模拟研究和对比了陶瓷（Ceramic）、Kapton(聚酰亚胺)、PTFE(聚四氟乙烯)和FR4(环氧树脂)基材对热中子散射和吸收. 基于国内电路板（PCB）厂生产的陶瓷-THGEM、Kapton-THGEM、PTFE-THGEM和FR4-THGEM具有相同的几何参数,孔径为200 μm,孔间距600 μm,厚度200 μm,绝缘环宽度75 μm,灵敏面积50 mm×50 mm,用能量为5.9 keV的X射线源55Fe对他们分别都做了增益、长期稳定性和能量分辨率等方面的性能测试,结果显示出四种基材的THGEM都能正常工作. 单/双层陶瓷-THGEM在Ar + CO2 = 80:20的工作气体中的最大增益分别为1.2×104和4×104,在Ar + iC4H10 = 97∶3工作气体中双层陶瓷-THGEM能量分辨率好于24.4%,在100 h的连续测试中具有良好的增益稳定性. 用239Pu α源,测试了陶瓷-THGEM的α粒子能量沉积和增益.     

Fabrication of High Quality SiGe Virtual Substrates by Combining Misfit Strain and Point Defect Techniques

High quality strain-relaxed thin SiGe virtual substrates have been achieved by combining the misfit strain technique and the point defect technique.The point defects were first injected into the coherently strained SiGe layer through the "inserted Si layer" by argon ion implantation.After thermal annealing,an intermediate SiGe layer was grown with a strained Si cap layer.The inserted Si layer in the SiGe film serves as the source of the misfit strain and prevents the threading dislocations from propagating into the next epitaxial layer.A strained-Si/SiGe/inserted-Si/SiGe heterostructure was achieved with a threading dislocation density of 1×104cm-2 and a root mean square surface roughness of 0.87 nm.This combined method can effectively fabricate device-quality SiGe virtual substrates with a low threading dislocation density and a smooth surface.     

现代MOCVD 技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术。本文综合分析了现代ＭＯＣＦＶＤ技术的基本原理,特点及实现这种技术的设备的现状及其发展,重点讨论了能实现衬底温度,衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术,并对ＭＯＣＶＤ技术的进一步改进和应用作了展望。