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21.
低聚丙烯酸钠用于纳米氧化锌表面改性的研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
利用低聚丙烯酸钠对纳米氧化锌进行表面改性,通过对6种不同的分散剂分散效果的比较,研究了低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性;并利用透射电镜技术观察了水分散体系的形貌。结果表明,低聚丙烯酸钠表面改性纳米氧化锌水分散性体系的稳定性比其它分散剂分散效果好的多,其水分散性体系的形貌为单包敷结构的珠链状纳米粒子;同时认为低聚丙烯酸钠改性纳米氧化锌水分散性体系稳定性的主要因素有3个方面,即纳米胶粒间的排斥力、低的表面张力、高的空间位阻,并提出了相关模型。  相似文献   
22.
通过对不同类型的化合物在多种固相萃取柱上的回收率进行评价,对影响萃取效率的各参数进行了测定,确定了测定不同水样以及不同组分的最佳萃取条件,建立了系统的半挥发物富集方案,为松花江水中有机毒物的分析测定提供了有效的样品处理方法和测定方法。  相似文献   
23.
掺杂Fe3+的纳米TiO2光催化降解氮氧化物研究   总被引:10,自引:0,他引:10  
利用Fe(NO3)3*9H2O,采用浸渍的方法,制备了掺Fe3+的纳米TiO2.讨论了此种纳米TiO2对氮氧化物的光催化效率,并分析了Fe3+在催化过程中的作用.试验结果表明:Fe3+明显提高了纳米TiO2的光催化性能;在室内自然光作用下对较高质量浓度的氮氧化物均具有较高的光催化效率.通过对TEM照片和XRD谱的分析,从能级理论解释了Fe3+提高催化活性的原因.  相似文献   
24.
研究了Fe_3O_4表面改性悬浮共聚合法制备墨粉的工艺,试验了主要因素对墨粉粒度的影响。结果表明,当St/BA为5:1、搅拌速度为1000rpm、超声分散时间为15min、水油比为7:1、PVA用量为4%和聚合温度为85℃时,制备的墨粉粒径为12~13μm,达到了商用墨粉对粒度的要求。图9,表1,参10。  相似文献   
25.
研究了熔融碳酸盐燃料电池(MCFC)阴极材料锂铁氧化物电极的导电性能。实验结果表明在合成锂铁氧化物的过程中,使Li2CO3轻微过量,可以提高锂铁氧化物电极的导电性。在同一温度下,随着Li:Fe值的增大,锂铁氧化物电极的导电性增加。相同Li:Fe条件下,锂铁氧化物电极的导电性随着温度升高按指数规律增加。扫描电镜研究(SEM)表明,Li:Fe比值不同,制备的锂铁氧化物电极表面形貌也不同。  相似文献   
26.
氧化铝表面有机改性及其在聚苯乙烯中分散性能的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
为了增强无机化合物氧化铝的亲油性能,采用硅烷偶联剂对氧化铝表面进行预处理,并以本体聚合的方式制备了掺杂氧化铝聚苯乙烯.分别用红外光谱、热重分析和光电子能谱对氧化铝的处理结果进行分析,发现在氧化铝的表面化学吸附了有机层.扫描电镜结果表明经改性的氧化铝在聚苯乙烯中的掺杂量明显增大,分散性更强。  相似文献   
27.
研究水溶液成胶制备氧化铝过程中,掺杂氧化镧及利用聚乙二醇助成胶对氧化铝热稳定性和比表面的影响。通过XRD表征手段和TG检测方法来检测氧化铝在不同温度焙烧后的晶相改变和热失重情况,并利用BET检测方法检测不同温度焙烧后的比表面。实验结果表明,氧化镧的掺杂可提高氧化铝的热稳定性,利用聚乙二醇助成胶可有效提高氧化铝的比表面。  相似文献   
28.
用蛋壳制备柠檬酸-苹果酸钙的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了1种利用蛋壳制备新型钙营养强化剂柠檬酸-苹果酸钙的方法。考察了蛋壳前期处理方法、煅烧条件、结晶方式等因素对产品产率及溶解度的影响。在结晶过程中引入冷冻法,结果表明,在-18℃下低温结晶对柠檬酸-苹果酸钙的产率及溶解度均有提高。用正交实验确定了反应时间为2h,反应温度为50℃,加水量为50mL,物质的量配比为n(蛋壳灰分):n(柠檬酸):n(苹果酸)=5:2:4的工艺条件,用该方法生产的产品产率可达到94.5%以上,并对产品进行了质量检验。  相似文献   
29.
硫铁矿烧渣生产固体复合混凝剂及在废水处理中的应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
对用硫铁矿烧渣,硫酸和其它添加剂生产固体复合混凝剂(PISC)进行了研究。考察了反应时间、反应温度对铁溶出率的影响,用其对造纸废水和生活废水进行处理时,废水中CODCr的去除率可分别达75%和80%。  相似文献   
30.
氧化铟锡薄膜在光学太阳反射镜上的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了光学太阳反射镜抗静电放电用氧化铟锡薄膜的设计原则.理论分析和实验结果表明,在将氧化铟锡(ITO)薄膜应用于光学太阳反射镜(OSR)表面防静电放电时,ITO薄膜的表面方阻R□不能小于5 kΩ@□-1,否则会导致OSR的太阳光谱吸收率增加.建议取R□=5~106kΩ@□-1,薄膜厚度d=(150~200)×10-10 m.同时必须保证ITO薄膜接地效果良好,否则会使OSR表面充放电现象更加严重.  相似文献   
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