基于马尔可夫预测模型的数据仓库缓存管理

提出了一种基于马尔可夫预测模型的数据仓库缓存管理策略.将Chunk作为缓存的基本粒度单位,通过收集用户已提交的查询,利用马尔可夫模型预测下一步用户将要访问的视图区域的概率分布,并在此概率分布的基础上提出了基于预测风险的缓存淘汰算法.实验结果表明,算法缓存命中率高,有效地缩短了OLAP查询的响应时间,提升了系统的整体性能.     

离心叶轮回转S1流面流动数值计算方法探讨

采用贴体坐标下的有限差分法计算了离心泵叶轮回转S1流面流动,并用试验结果进行了验证,发现了流层厚度对流动数值计算有重要影响.     

污水自然生物处理组合技术研究进展

对污水自然生物处理组合技术做了简要的归纳，将其大致分为工艺组合和生物物种组合两大类，并总结了相关的研究与应用进展，指出了发展该组合技术需要解决的关键技术问题。     

CDMA 1X数据业务的优化探讨

叙述了CDMA 1X数据业务优化前应解决的问题及数据优化过程，重点探讨了SCH管理与分配的流程，指出通过网络优化可以综合评估网络的潜力，从而能够更合理、更经济地配置和利用资源，为数据用户提供高质量的服务。     

大学英语分级教学之改革与探索

本文结合大学英语教学现状及分级教学的理论依据,提出了大学英语教学改革--分级教学的必要性和科学性,并进一步就分级教学的模式构想进行了探讨,旨在倡导实行分级教学,以提高大学英语教学水平和质量,为大学英语教学跃上一个新台阶提供一种新思路。     

负相关随机变量加权和的矩完全收敛性

概率极限理论是概率论的主要分支之一,是概率统计学科中非常重要的理论基础;经典的极限理论是以独立随机变量为主要研究对象,但实际大部分随机变量是非独立的,负相关随机变量序列就是相依随机变量序列中的一类典型且应用广泛的随机变量序列,针对负相关随机变量加权和序列的极限问题,应用负相关序列、截尾和矩不等式等知识,推广了负相关随机变量加权和的矩完全收敛性,并给出了一个NA随机变量完全矩收敛的线性过程,所得结果改进了的相应结果。     

Cpf1 和 Cas9核酸酶靶向EGFR-L858R突变的研究

表皮生长因子受体(EGFR)单核苷酸突变(2573TG,L858R)占所有EGFR突变的90%.使突变的EGFR失活对有此突变的病人非常有利.这里,应用双荧光报告分析的方法分析规律成簇间隔短回文重复(CRISPR)系统中Cpf1和Cas9在靶向EGFR-L858R突变的编辑效率.在EGFR-L858R突变位点的附近,有两个Cpf1前间区序列邻近基序(PAMs)——TTTN.并且,2573TG突变形成了一个Cas9的PAM——NGG.因此本文通过构建两条AsCpf1的gRNAs(gRNA1和gRNA2)和一条SpCas9的gRNA(gRNA3)在体外通过双荧光蛋白分析系统去评估SpCas9和AsCpf1特异性靶向等位基因的能力.结果证实了AsCpf1和SpCas9都能够特异性的编辑突变的EGFR(2573TG).     

鼠源VCAM-1真核表达载体构建及在同源细胞中过表达研究

构建鼠源VCAM-1基因的真核表达载体,并使其在C2C12细胞中过表达,为相关病毒受体研究奠定基础.采用RT-PCR方法扩增鼠源VCAM-1基因,构建重组载体pcDNA3.1-VCAM-1.通过脂质体法转染至C2C12细胞内;采用实时荧光定量PCR和Western-blot分别检测目的基因和蛋白的过表达情况.应用间接免疫荧光实验分析VCAM-1在细胞中的定位.构建的重组质粒pcDNA3.1-VCAM-1转染C2C12细胞后,实验组VCAM-1基因和蛋白表达均显著高于对照组细胞(P0.01),且主要表达定位于胞浆中.结果表明,实验成功地构建了鼠源VCAM-1真核表达载体,并在同源细胞中实现过表达.     

硬化非高斯结构响应首次穿越的Monte Carlo模拟

在对比分析已有硬化非高斯模型(Winterstein硬化模型、Ding和Chen模型)的基础上,提出了一个基于Zhao和Lu模型的新硬化非高斯模型.新模型预测偏度和峰度的误差比既有硬化模型小,且最大误差分别为0.311和0.479,表明新模型具有良好的精度;同时新模型扩展了Zhao和Lu模型的适用范围.最后运用新硬化模型模拟硬化非高斯过程样本,发展了硬化非高斯结构响应首次穿越的Monte Carlo模拟方法.数值算例验证了本文方法用于硬化非高斯结构响应首次穿越失效概率计算有较高的精度;杭州新火车东站大跨屋盖以及南水北调工程渡槽结构工程实例说明了本文方法的使用过程.     

微量镍元素添加对铁基非晶/纳米晶磁芯软磁性能的影响

用单辊法制备的宽20 mm,厚25μm的Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9和Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材,绕制成外径为40 mm,内径为25 mm的环型磁芯,然后将磁芯在不同的温度下进行退火处理,研究了微量Ni元素添加对合金带材的晶化行为以及对横向磁场退火后的非晶/纳米晶磁芯的软磁性能的影响。结果表明:与Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9合金带材相比,添加微量Ni元素的Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材的一级起始晶化温度Tx1和一级晶化峰温度Tp1降低,其二级起始晶化温度Tx2和二级晶化峰温度Tp2升高,两级起始晶化温度之间的差值ΔTx增大;与横向磁场退火后的Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶/纳米晶磁芯相比,横向磁场退火后的Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8非晶/纳米晶磁芯的起始磁导率μi和饱和磁感应强度Bs减小,矫顽力Hc增大;当测试频率f和最大磁感应强度Bm不变时,有效幅值磁导率μa增大,比总损耗Ps和矫顽力Hc减小;当测试频率f不变时,电感Ls和品质因数Q增大;当励磁电流I不变时,感应电动势E大。