多孔硅在射频/微波电路中的研究进展

多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.     

甲烷在硅底靶上吸附的计算机模拟研究

采用Tersoff和Brenner作用势,用分子动力学模拟方法,研究了甲烷入射到硅（001）-（2×1）表面的动力学过程。通过定点入射模拟计算出6个代表点的吸附阈值,分析了多种吸附结构。计算了随机入射的吸附概率。讨论了入射位置以及甲烷荷能大小对吸附结构的影响。     

有色薄膜覆盖对豌豆芽苗生长及富硒的影响

探讨了黑色、蓝色、黄色、绿色、红色、无色六种薄膜覆盖和无覆盖物条件下豌豆芽苗生长及富硒的影响.结果表明喷施亚硒酸钠处理的豌豆芽苗的根、芽部分间存在一定的相关性.覆盖黑色薄膜可以增加芽长,提高芽鲜重,从而提高豌豆芽苗菜产量和商品价值;但各种覆膜处理降低了豌豆芽中大分子结合硒和总硒的含量.     

头盔用微显示技术的发展

头盔显示器采用微显示器作为信息输出元件,技术发展日新月异,并逐步向高分辨率、高画质、高集成度以及小型化方向发展,在消费类领域和特种领域有着广泛的应用市场。目前常见的头盔微显示技术主要有硅基OLED、高温多晶硅LCD和透射式硅基LCD三种．本文对这三种微显示技术进行了较为详细的分析,并介绍了最新的技术发展情况和发展趋势。     

太阳能电池制备工艺理论研究

太阳能是一种取之不尽、用之不竭的可再生清洁能源,对太阳能电池的研究与开发也变得日益重要;但是太阳能电池的转化效率低,制备工艺复杂,使得成本一直居高不下,远不能达到大规模应用的要求。本文在现有的材料,电池结构和生产工艺的基础上,研究其转化效率不高的影响因素,进而提出优化方案。     

一种高残碳率树脂为碳质前驱体制备致密SiC陶瓷

以一种残碳率达到67％的树脂取代反应形成技术常用的糠醇树脂为碳质前驱体制备了致密SiC陶瓷。结果表明,制得的SiC陶瓷具有典型的形貌特征,由SiC、Si以及极少量的未反应的C组成。SiC陶瓷的密度及弯曲强度分别为3．04g·cm^-3和360．7MPa。碳质前驱体的取代依然保持了反应形成技术的主要特点,所以同样具有复杂形状、净成型能力。     

美国大学、政府和企业合作的角色定位、特征与不足分析

大学、政府和企业的有效合作可达到科技资源运用的高效率与高效能。探讨了美国大学、政府和企业合作中三者各自的角色定位、合作的特征与不足。认为政府主要是提供完善的法律、政策环境和有力的资金支持,大学主要为合作网络内的创新活动提供知识和人才来源,企业作为创新的主体以主动加强合作的方式推动持续创新。美国的大学、政府、企业合作具有动态开放、共生共赢等特征,初步形成了市场和价值传到机制,但是也有政府定位不准、缺乏长效利益机制等不足。     

Si（111）表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟

本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学（MD）方法在Si（111）面上模拟研究了离子束辅助沉积（IBAD）类金刚石（DLC）膜的物理过程.重点讨论了C2分子和Ar离子的入射能量及到达比（Ar/C）对平均密度和sp^3键含量的影响,并与Si（001）-（2×1）表面生长类金刚石膜的结果进行比较.结果表明,到达比和入射能的改变,对薄膜结构的影响不同;Si（111）面上生长类金刚石膜,薄膜在衬底的附着力更强.     

光电池在光强测量中的最佳使用条件

从理论和实验上探讨了硅光电池的光电转换性能。推导了在光强测量实验中光电池光生伏特和光生电流与外接测量线路电阻的关系。指出了硅光电池的最佳使用条件,并设计出测量线路。     

硅对盐胁迫下金丝小枣叶片不同多胺形态和含量的影响

对盐胁迫及盐胁迫下施硅肥的金丝小枣叶片中游离态(f)、高氯酸可溶性共价结合态(PSCC)和高氯酸不溶性共价结合态(PISCC)3种不同形态多胺(PAs)的含量变化进行了分析.结果表明:在盐分浓度c≤4.0 g/kg范围内,金丝小枣叶片f-Put含量及f-PAs总量均显著下降,(Spd Spm)/Put的比值均显著上升;金丝小枣叶中PSCC-Put和总PSCC-PAs含量随着盐浓度的增加显著增加;PISCC-Put含量随着盐浓度的增加而显著增加,PISCC-Spd和PISCC-Spm含量则随着盐浓度的增加而减少.在同一土壤盐分水平下,硅处理可以显著增加盐胁迫下金丝小枣叶中多胺(f-Spm f-Spd)/f-Put比值及f-Put、f-Spd、PSCC-Put、PSCC-Spd和总PSCC-PAs的含量;施硅可以增加盐胁迫下金丝小枣叶中PISCC-Spd和PISCC-Spm的含量,抑制盐胁迫下PISCC-Put水平的升高,表明外源硅可以调节盐胁迫下金丝小枣体内不同种类和形态的多胺含量,从而缓解盐对金丝小枣的毒害作用.