硅胶负载硫酸银催化合成水杨酸苄酯的研究

应用硅胶负载硫酸银 (Ag2 SO4/SiO2 )催化合成水杨酸苄酯 ,该催化剂活性高 ,选择性好 ,易分离 ,反应时间短 ,不腐蚀设备 ,是一种环境友好催化剂。考察了影响酯化反应的条件 ,获得优化工艺条件如下 :Ag2 SO4负载量 15 % ,水杨酸 0 2 5mol,苯甲醇 1mol,催化剂 1 73g ,反应温度 190℃ ,反应时间 15 0min。此条件下 ,水杨酸的转化率 96 %以上。     

GB176-87氟硅酸钾法测定二氧化硅的改进

针对GB176-87拟定的氟硅酸钾法测定二氧化硅结果偏低的问题,本文采用热溶液中制备沉淀,慢速滤纸过滤。5％KCl-50％乙醇水溶液洗涤沉淀等改进措施,使测定二氧化硅的回收率由原方法的约95％提高到约99％,测定的精度由原方法的约1.6％优化到约0.6％。     

The use of electro-deoxidation in molten salts to reduce the energy consumption of solar grade silicon and increase the output of PV solar cells

Solar photovoltaics, based upon silicon, are the most popular form of solar cell with efficiencies around 20%. These efficiencies can be further increased by employing light trapping schemes to minimise optical losses through scattering and reflection which enhances the amount of light absorbed and number of photo-carriers generated. Typical approaches employ antireflection coatings (ARCs) or texturise the surface of the silicon disks, so that the structure consists of an array of needles which can absorb most of the light. Usually, these structures are created by leaching the silicon with hydrofluoric-based acids or by reactive ion etching (RIE) methods. This paper reviews some of the methods for improving the energy efficiency of silicon production, and describes the use of electro-deoxidation of SiO2 layers, on silicon, in molten calcium chloride to form nano-porous black silicon (b-Si) structures. By coating b-Si surface with TiO2, a common ARC, extremely black surfaces with negligible reflectance of about 0.1%, are produced, which can have applications for low-cost high efficiency solar cells.     

激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的测定

我们用常规的高频和准静态C-V技术测量了氩离子激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面的氧化物固定电荷密度N_f和界面态陷阱密度N_(it)。结果表明,和未再结晶的热退火样品相比,激光再结晶后,背界面的界面态密度大幅度下降。该界面态性质还与二氧化硅的生长方法和条件有关。在硅单晶抛光片上用氯化氢氧化法或三氯乙烯氧化法热生长约1400A的SiO_2层,然后用低压化学气相淀积法淀积约5000A多晶硅薄膜。使用氩离子激光器连续扫描辐照样品,功率选用4.5W、扫描速度2cm/s、束斑直径40μm,交叠50％,衬底温度300℃—400℃。经激光再结晶后多晶硅薄膜的晶粒由原来的100A长大到数微米。     

全固态锂离子电池阳极V_2O_5薄膜的性能研究

通过磁控溅射法制备全固态锂离子电池阳极V2O5薄膜,对不同条件下制备的V2O5薄膜用原子力扫描显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)进行测试分析。结果表明,氧气比例高于20%,溅射功率120W,环境压强1.2Pa时,V2O5薄膜在表面形貌、物相和物态方面表现出良好的电化学性能。     

TiH2的SiO2凝胶包裹对其释氢的影响

制备了ＳｉＯ２凝胶，用其包裹于发泡剂外表，释氢试验证明，包能有效延迟发泡剂的开发释气时间，解决了进入熔融铝后在未来得及分散均匀前前开始释气，而造成的泡沫铝制品孔洞结构不易控制及成品率低的问题。     

硅对热浸锌镀层的影响

实验研究了浸镀时间、钢基及锌池中的硅含量对热浸锌镀层厚度的影响。结果表明，随浸镀时间延长，镀层厚度明显增加；当钢基中的硅在一定范围内时，合金层厚度也明显增加，镀层灰暗，且ζ相为不连续的颗粒状，呈现出硅的反应性特征；改变锌池中硅的添加量，对镀层结构及厚度影响较小。     

硅扩散型压力敏感元器件的研制

硅扩散型压力传感器件自70年代问世以来,由于它有诸多优点,受到许多技术先进国家的重视.本文着重介绍作者所做的工作,即扩散型压力敏感元器件的特点、压力效应、圆片应力分析、制造的关键工艺和敏感元器件的结构设计及其应用,并提出对今后研究发展的见解.     

二氧化硅的氢氟酸缓冲腐蚀研究

本文讨论了二氧化硅在氢氟酸缓冲(BHF)腐蚀溶液中的腐蚀特性。研究了二氧化硅在腐蚀液中的腐蚀速率、表面粗糙度及腐蚀深度随着NH4F配比、HF配比及腐蚀液温度的变化规律。通过改变腐蚀液配比和腐蚀温度等条件,从腐蚀速率及表面形貌等方面进行了比较和分析,确定不同条件下二氧化硅的腐蚀速率,以及腐蚀条件对二氧化硅表面粗糙度及表面深度的影响。     

开发区的二次创业与硅谷标杆的再思考

探究了在我国当前的文化背景、资源条件和创新环境下打造像“硅谷”一样的创新谷的可能性。区分了创新谷与工业开发区、科技园区三者之间的区别,分析了硅谷创新发展的驱动因素,参考以上因素比较中国已有的条件与存在的不足,并结合苏州独墅湖的案例进行了讨论。认为中国的目光应该从物质资本或技术本身转移到构建区域创新创业结构上去,这样方能打造具有本国特色的创新谷。