IEEE 802.11p物理层OFDM调制器的设计

IEEE 802.11p是关于车载自组织网络的协议,其物理层是IEEE 802.11a标准的扩展。整个OFDM(orthog-onal frequency division multiplexing)发送端的设计是基于FPGA技术,使用Verilog HDL硬件描述语言来编写底层代码。给出了基于IEEE 802.11p标准的OFDM调制系统的设计与仿真验证。仿真结果证明,该设计在精度和资源方面都能达到期望的结果,并且设计简单、高效,完全能够达到802.11p的OFDM系统设计要求。     

TYPE B芯片射频接口电路技术研究

整流器、时钟提取电路、调制电路和解调器等主要模块,符合ISO/IEC 14443 TypeB协议的非接触IC卡射频接口电路的基本构成,列举并分析了具体的电路实现形式.对于Type B射频接口电路的设计具有参考和指导意义.     

闪耀光栅产生光学势阱阵列

提出用液晶空间光调制器制作闪耀光栅产生光学势阱的新方案,优化设计光栅的相位变化参数,用单束激光照明,产生3×3和4×4等光强光学势阱阵列.根据现有空间光调制器性能和尺寸,模拟设计光栅,计算光阱阵列光强分布.研究结果表明：所产生的光阱阵列中各光阱具有较高的峰值光强和光强梯度,且光强分布均匀;对冷原子或冷分子囚禁有较高的光学偶极势和较强的偶极力,在原子光学晶格的实验研究中具有很好的应用前景.     

低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析

针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明：两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1550 nm时,仿真计算的半波电压值V_π为0.9 V,半波电压长度积为1.8 V·cm,消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析,得到静电场分量E_x,电位移矢量D_x,以及光模分布,并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果,与以往现有的电光调制器的半波电压（1.4～10.2 V）相比,经优化后的电光调制器的半波电压更低,进而使器件的功耗更低,有利于大规模光电集成。     

高性能电控太赫兹幅度调制器研究

设计了一种由具有高谐振强度的四开口圆环超材料结构和高电子迁移率晶体管(high electron mobility tran-sistor,HEMT)复合结构构成的电控太赫兹幅度调制器.将HEMT巧妙地设计在四开口圆环超材料结构的开口处,通过外加电压的方式调节HEMT沟道中的二维电子气浓度,改变超材料结构的谐振模式,进...