Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

三维稳态晶体生长的物理本质

考虑在均匀流场的作用下，分析了金属熔液凝固过程中晶体生长的三维稳态数学模型。应用傅里叶级数展开法，在周期性条件下得到了相应的八阶常微分方程的精确解析解，并确定了解中各系数之间的关系。该解揭示了在均匀流场的作用下，晶体生长呈现了一种周期性振荡式的模式，从理论上证实了固液界面前沿浓度呈现指数振荡衰减性是晶体生长的一个本质特性。     

Fe∶LiNbO3晶体中全息图的选择性擦除研究

研究选择性擦除的原理和方法，针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点，介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法，通过引入π相位差记录互补全息图，利用全息图及其互补全息图的非相干叠加，消除原全息图对晶体折射率的调制，从而实现对未来影全息图的选择性擦除，实验中实验了在晶体中某一数据面面内部分数据的擦除，并从理论上对实验结果进行了分析。     

单生过程首中时的各阶矩

给出了单生过程首中时多项式阶矩和指数阶矩的显式表达，讨论了4个判别准则的概率意义，并得到了单生过程指数遍历的一个显式判别准则．     

四乙基铵碳酸氢盐水主客体加合物的晶体结构研究

合成了(C2H5)4N+HCO-3*H2O加合物并用X射线单晶衍射解析了其晶体结构.晶体属单斜晶系, P21/n空间群, a=0.8186(1) nm, b=1.5330(3) nm, c=0.9562(3)nm, β=97.82(2)°, Z=4, V=1.1888(5) nm3, Mr=209.28, ρc=1.169g*cm-3, μ(MοKα)=0.090mm-1, F(000)=464,对1837个独立衍射点的最终偏离因子R=0.0486.每个不对称单位由1个碳酸氢根离子、1个水分子与1个四乙基铵阳离子组成.阴离子和水分子之间通过氢键连成皱折纽带,被包含在四乙基铵阳离子列所形成的未完全封闭管道中.     

石英晶体传感器

介绍了石英晶体传感器的结构及频率输出的特点，分析了由石英晶体构成的温度、应力、微质量、声压等传感器的测量机理，评述了与其对应的各种应用及其优缺点。     

单光子发射断层成像散射解析模型的快速算法

为校正单光子发射断层成像(SPECT)中Compton散射的影响,对投影过程进行了解析建模计算。对相机参数进行预计算形成查找表,结合初始放射源活度和散射媒质分布计算得到投影中的原发光子和一次散射光子分布。用数论方法计算查找表中的高维数值积分,使计算速度提高。分别用解析建模方法和Monte-Carlo程序对均匀模型和胸腔模型进行投影计算,比较其相对误差、归一化方差和计算时间。结果表明:解析建模方法的精度与Monte-Carlo方法相当,而计算速度快8倍,可以满足临床需求。     

阳离子-π相互作用:[K(18C6)][BPh4] 的合成与晶体结构

合成了冠醚配合物:[K(18C6)][BPh_4],通过元素分析、红外光谱、单晶X-射线衍射对配合物结构进行了表征,该配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/n,晶体学数据:α=1.454 8(4)nm,b=1.395 6(4)nm,c=1.749 7(6)nm,β=111.254(5)°,V-3.311 0(18)nm~3,Z=4,F(000)=1 328,R_1=0.079 7,ωR_2=0.204 7.配阳离子[K(18C6)]~+中的K~+与[BPh_4]~-中的其中一个苯环存在K~+-π相互作用.     

多步进电机控制算法研究

采用单台PC机，也就是用单CPU，代替多个CPU控制多个步进电机。根据步进电机工作的特性曲线，计算出单个步进电机运行的时间控制数组，然后把多个步进电机的相对时问控制数组合并成为一个相对时间控制结构数组，利用此一个相对时间控制数组同时对多个步进电机进行控制。     

钨酸铅的非德拜型介电谱

在室温至150℃范围测量了纯PWO4晶体和掺镧(La)PWO4晶体的频域介电谱，发现两种样品的介电弛豫都不是德拜型的，晶体中的空位和杂质形成的二和三级结构使得频域介电谱和样品的热力学历史有关。