燃煤可吸入颗粒物及重金属汞控制技术研究进展

对燃煤电站锅炉可吸入颗粒物及重金属汞控制技术的国内外研究现状进行了总结,阐述了其基本原理和技术特点,并详细介绍了可吸入颗粒物及重金属汞脱除技术在世界上的最新研究成果,分析了其目前存在的问题和不足,提出了进一步的研究方向及联合脱除可吸入颗粒物及重金属汞的集成控制技术.     

液相脉冲放电法合成碳化硅纳米晶

采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物二甲基硅油为原料制备了具有纳米尺寸的碳化硅颗粒。产物成分由X射线衍射和Raman光谱确定,碳化硅粉体为β型;尺寸由X射线衍射估算并由透射电镜观察,平均晶粒尺寸在20nm左右。     

SiC颗粒增强铝基复合材料细观损伤的温度效应

SiC颗粒增强铝基复合材料的宏观力学行为与其微观损伤机理密切相关,随温度的升高,材料力学性能明显下降,SiCp/A356复合材料表现出不同的细观损伤机理.文中对真空双搅拌方法制备的质量分数为20%的SiC颗粒增强铝基复合材料在室温和高温下的细观损伤机制进行了研究,在试样断口上,通过扫描电镜观察到了不同的裂纹萌生和扩展机制,根据不同温度下表现出的不同失效方法,归纳出了复合材料细观损伤的温度效应曲线.研究表明,在室温下复合材料的裂纹萌生以基体撕裂和颗粒断裂为主,高温下其裂纹萌生机制以颗粒脱离和基体撕裂为主.     

混料工艺对SiCp/AI复合材料SiC颗粒分布均匀性的影响

采用元素粉末法制备体积分数为12%的SiCp/2024Al复合材料,利用三维高效混料机混料,研究了混料工艺对SiC颗粒在基体中分布均匀性的影响.实验结果表明:球料比、混料时间和颗粒尺寸对SiC颗粒在基体中的分布均匀性有重要影响;球料比1∶2时,由于输入的能量较低,难于实现SiC颗粒在基体中的均匀分布;球料比5∶1时,随着混料时间的延长,SiC颗粒分布均匀性逐渐提高,达到一定时间后不再提高;当球料比5∶1,混料时间20h时,尺寸为3.5μmSiC颗粒在基体中分布均匀性最好,0.8μmSiC颗粒在基体中的分布则存在团聚现象.     

石家庄市大气颗粒物碳组分特征分析

于2013年春、夏、秋、冬采集石家庄市大气颗粒物样品,分析其有机碳和元素碳。结果表明,碳组分浓度季节变化明显。在颗粒物中占有较大比重;且在细粒子中累积效应明显。秋冬季存在二次有机碳污染。对8种碳组分丰度分析说明石家庄大气颗粒物中碳组分的主要来源是燃煤、机动车尾气及生物质样品燃烧。     

集群污染源颗粒物允许排放量调控

 以包钢工业园区采暖期颗粒物排放清单为基础,利用CALPUFF大气扩散模型进行集群污染源允许排放量动态调控,其模拟调控结果可为污染物排放控制对策、措施的制定提供一定的理论指导,有助于实现包钢工业园区大气环境稳定达标.模拟结果表明,集群污染源单位排污量对控制点浓度贡献随着污染源高度的增加而降低,低矮点源和面源应作为控制重点.在采暖期气象条件不利于污染物扩散的条件下,集群污染源最大允许排放量减少到现有排放量的8.82%,而在气象条件有利于污染物扩散的条件下,其最大允许排放量减少到现有排放量的12.03%,可以实现控制区大气环境质量达标.     

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal semiconductor field effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。     

喷油策略及EGR对柴油机排放微粒中碳质组分的影响

采集增压直喷柴油机在不同喷油策略及废气再循环(EGR)率下排放颗粒物,使用IMPROVE(Interagency Monitoring of Protected Visual Environment)协议热光反射法对其碳质组分进行试验研究.结果表明,推迟喷油提前角、降低共轨压力以及增加EGR率均能提高燃空当量比;当量比的上升增加了TC(Total Carbon)的排放,同时降低LowTemp EC (Elemental Carbon)/HighTemp EC比和OC(Organic Carbon)/EC比;OC组分中,挥发性OC1所占质量比例最高;EC组分中,HighTemp EC在低负荷时几乎不存在,而高负荷时相对较多.     

沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究

用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.     

感应加热电源在SiC单晶生长炉中的控制与应用

基于SiC单晶生长炉的特点,引入通过RS485串行通信的控制方式,实现SIEMENSS7-300PLC的CP340模块对感应加热电源的控制,并给出相应的程序实现及最后实验对比结果。