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51.
52.
文章采用电子束物理气相沉积法在单晶Si(100)基片上制备了单层SiC薄膜和Al2O3/SiC双层膜,然后在不同温度下经氩气保护退火。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对所制备的薄膜进行了结构和表面形貌分析。研究表明:退火后SiC薄膜由非晶态转为晶态,随退火温度的升高,薄膜结晶更充分,薄膜表面平均粗糙度变小;双层膜与单层膜相比,其SiC衍射峰有所增强,薄膜表面更加平滑。 相似文献
53.
四方氧化锆相变增韧、碳化硅晶须补强、碳化钛粒子弥散强化,同时引入一个新的陶瓷基复合材料系统中产生了叠加的强韧化效果。热压ZTA-SiCw-TiC复相陶瓷材料与Al2O3-SiCw-TiC相比具有更高的综合机械性能。碳化钛在基体中形成连续的骨架阻碍晶粒的长大,随着碳化钛含量的增加,基体的硬度明显增加。主要强韧化机理有相变增韧、晶须拔出、载荷转移、裂纹偏转等。基体的主要断裂方式为穿晶解理断裂。 相似文献
54.
采用在有机物液体中脉冲放电的方法,以液态有机物二甲基硅油为原料制备了具有纳米尺寸的碳化硅颗粒。产物成分由X射线衍射和Raman光谱确定,碳化硅粉体为β型;尺寸由X射线衍射估算并由透射电镜观察,平均晶粒尺寸在20nm左右。 相似文献
55.
3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光 总被引:1,自引:1,他引:1
采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4+SiH4+H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光(PL)分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C-SiC晶体薄膜造成应力损伤。 相似文献
56.
化学镀Ni-P镀层具有良好的耐蚀性,但耐磨性不佳,通过引入纳米或微米粒子可以提高其耐磨性。本文综述了近几年来国内外在颗粒增强复合镀层、稀土增强复合镀层和减摩复合镀层方面的研究进展,并指出了Ni-P复合耐磨镀层在基础研究中的主要发展方向。 相似文献
57.
南湖水体多相介质中重金属元素的分布特征 总被引:5,自引:2,他引:5
以南湖水体中的水、 沉积物、 生物膜和悬浮物为研究对象, 对重金属元素的分布与富集情况进行了研究. 结果表明, 不同采样点、 不同相中Zn的含量最高, Cd的含量最低, 但Cd的富集能力最强, 生物膜和悬浮物富集重金属的能力远大于沉积物的富集能力, 且Zn,Cu,Cd和Pb均表现出点源污染的特性; 采用社会科学统计程序(SPSS)相关分析方法分析了重金属元素(Zn,Cu,Cd,Pb,Fe和Mn)在固相介质中的相互关系, 结果显示, 沉积物、 生物膜和悬浮物中元素间的相关性趋势存在着一定差异, 3种固相介质中Cd与Fe的相关系数均大于Cd与Mn的相关系数, 而Pb与Fe的相关系数均小于Pb与Mn的相关系数, 说明铁氧化物对镉环境化学行为的贡献大于锰氧化物, 对铅环境化学行为的贡献小于锰氧化物. 相似文献
58.
采用有限元分析方法对Acheson炉内温度场进行研究 ,进而采用ANSYS数值模拟软件对冶炼炉内温度分布进行模拟 ,得到了冶炼炉内温度分布的模拟图 ,分析了炉内的温度分布规律及其对SiC的生成和产率的影响 ,并提出了扩大SiC生成温度区域的措施 相似文献
59.
SiC埋层的红外吸收特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
在较低衬底温度下,用离子合成技术对单晶Si衬底进行高能C+离子注入,可获得含有SiC的埋层,经高温退火形β-SiC颗粒沉淀。通过傅里叶经外吸收谱对其研究有明埋层中a-Si和β-Si共存,且有一含量最高区。 相似文献
60.
为了合成高热电性能的n型SiC基材料,尝试用过渡塑性相工艺对SiC基复合材料进行了Ti掺杂的实验。当以纳米级SiC为原料,并选择合适的保温时间及温度,室温时功率因子f 相似文献