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51.
联吡啶钌络合物敏化钠晶多孔TiO2薄膜电极光电性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
<正>用有机光敏染料敏化半导体电极,拓展其光谱响应,可以改进宽禁带半导体的光电转换性能。近来,Graetzel研究联吡啶钉络合物敏化纳晶多孔TiO2薄膜,使光电转换效率大大提高,进一步证明这是提高半导体光电性能的一个非常有效的措施。联吡啶钌络合物有较强的可见光吸收,其氧化态稳定性高,是一种理想敏化剂。为设计、发展新型有机光敏体系、进一步提高敏化效果,本文研究联吡啶钌的空间结构因素和纳晶多孔TiO2薄膜电极的表面处理改性对其敏化性能的影响。 相似文献
52.
近年来利气相生长的方法制备高质量薄膜倍受人们重视。在地面上用气相沉积方法生长薄膜。由于重力作用人们很难精确控制传热和传质行为,从而影响薄膜质量。微重力条件,可以抑制气相传输过程中重力引起的对流,可望获得厚度均匀、表面质量好、结构完整的高质量薄膜。美国、俄国、日本、欧空局所属国等都投入相当大的人力、物力进行这一领域的研究工作。但是,空间实验昂贵,设备复杂,限制了空间实验的大量进行;进行充分的地基工作,如进行样品筛选、研究重力场效应等是十分迫切的任务。通过改变薄膜生长方向与重力场方向之间的相对取向关系来研究重力场的作用,对于指导地面及空间实验、对于探讨重力场对薄膜生长的物理本质具有重大意义。 相似文献
53.
脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究 总被引:3,自引:1,他引:3
铁电薄膜存储器(FRAM)由于具有动态随机存储器(DRAM)快速读写功能和可擦写唯读存储器(EPROM)非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb(ZrTi)O_3(PZT)等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在10~(12)次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。 相似文献
54.
嵌埋于极化BaTiO3薄膜内的Ag纳米微粒对基体中二次谐波产生的增强作用 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来,铁电薄膜的光学性质引起了许多研究者的注意.除较为常用的电光效应外,人们还发现了极化后的BaTiO_3薄膜在激光辐射下产生很强的二次谐波,表明这类材料在非线性光学领域有很好的应用前景.最近,我们利用sol-gel过程制备具有嵌埋结构的铁电薄膜——金属纳米微粒体系,发现这类新型材料具有很特殊的光吸收性质.本文对这类材料的二次非线性光学性质进行了研究,发现金属纳米微粒对铁电薄膜中二次谐波的产生有明显的增强作用.实验所用的样品为淀积在石英玻璃基片上的、嵌埋Ag纳米微粒的BaTiO_3薄膜,用sol-gel法制备,具体过程见文献[2].石英基片的厚度为lmm,面积约为1.5cm~2,利用局部腐蚀法和台阶测厚仪测得薄膜厚度在1.6~2.0μm之间.样品的极化过程在两块极 相似文献
55.
研究YAG脉冲激光辐照对SnO2超微业薄膜的改性作用,由AES分析表明,在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸量明显减少,并有一定的氧化作用。在300-600K范围内测量激光辐照前后样品的热电动热率(TEP),发现激光辐照后TEP值明显减小,薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响,表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱 相似文献
56.
报道了本征超导辐射探测器的实验过程及结果分析,探测器是利用超导的临界电流与温度的关系来工作的,而且完全工作在超导本征态,高温超导薄膜为采用准分子激光消融法制备的YBCO外延超导薄膜。采用离子束地刻蚀进行器件的图形制备,在8 ̄14μm红外波段进行了探测器的光响应测试,调制频率为10Hz时,探测器的等效噪声功率(NEP)为1.8×10^-12W·Hz^-1/2;归一化探测度为2.5×10^9cm·Hz 相似文献
57.
采用Ar^+离子溅射方法将300nm SnO2薄膜沉积在Si片上,分别对膜层进行60keV,5×10^16cm^-2Mg^+离子注入和100kdV,6×10^16cm^-1Nb^+离子注入,对未注入,Mg^+离子注入,Nb^+离子注入3种薄膜进行500℃,4h退火处理. 相似文献
58.
聚酰亚胺薄膜电容栅FET湿度传感器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
一种聚酰亚胺薄膜电容栅FET微型湿度传感器已经初步研制成功,这是一个n沟道增强型器件,具有曲折栅结构;沟道长约10μm,宽〉800μm,栅区绝缘层厚约300nm(SiO2+Si3N4);一个Au-PI-Al纵向湿敏电容覆植于绝缘栅上,本文报道该PI-HUMFET的结构设计;工作原理和主要性能并对某些有关问题进行了初步讨论。 相似文献
59.
高饱和磁化强度Fe16N2单晶薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
尽管Fe_(16)N_2的结构早已为人们所知“‘,但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和
磁化强度(Bs一258 T严之后.制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4].
然而,由于它是亚稳相,迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe_(16)N_2单
晶薄膜,并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线.关于
卜;刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁.作者曾详
细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷,本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜,井清
晰地观察到了沿[l叫和[110方向的电子衍射花样.磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高
达 264~ 289 Wbha’. 相似文献
60.
离子束溅射制备的C-N薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
Liu和Cohen采用经验模型和从头计算法计算了假想结构共价键化合物β-C_3N_4的弹性模量和结构性能。结果表明:该种共价键化合物的弹性模量与金刚石相当,其结构至少是亚稳态的,该种材料不仅具有高硬度,而且具有良好的导热性和热稳定性。为此,这种新型超硬材料受到了普遍关注,人们开始采用不同的实验方法合成β-C_3N_4.Wixom利用含氮的有机化合物进行冲击波合成,结果只得到了一些金刚石颗粒;Maya等人采用几种含氮的有机化合物进行高温热解,也未观察到碳氮成键的迹象。采用磁控溅射法合成β-C_3N_4时,得到的是非晶的C-N薄膜,其中含有极少量的纳米晶体。最近,Niu等人报道:采用脉冲激光蒸发高纯石墨并通进原子氮可制备出含有β-C_3N_4晶相的碳氮薄膜,薄膜中的氮含量可以达到40%。Gouzman等人采用低能氮离子注入到石墨表面,结果观察到氮的化合态,说明了β-C_3N_4的存在。 相似文献