酞菁钴的合成、性能及应用研究

文章比较了单核、双核、三核磺化酞菁钴(s-CoPc、b-CoPc、t-CoPc)和1,2-二羧基酞菁钴(CobcPc)的UV-Vis、IR光谱,分析了s-CoPc/CobcPc和顺二硫氰根-双(2,2'-联吡啶-4-羧酸-4'-羧酸四丁基铵)合钌(Ⅱ)(N719)协同敏化的纳米TiO2薄膜的UV-Vis吸收性能,利用循环伏安法研究了s-CoPc、CobcPc的氧化还原行为.结果表明,s-CoPc在Q带的最大吸收峰位于655 nm,b-CoPc、t-CoPc最大吸收峰分别红移至658 nm和663 nm,先吸附N719后吸附s-CoPc的纳米TiO2薄膜以及共吸附CobcPc和N719的纳米TiO2薄膜的协同敏化效果好.     

(Ba0.8Sr0.2)TiO3薄膜的室温发光行为研究

以醋酸钡和钛酸丁酯基特殊前驱体为原料,采用溶胶凝胶法制备钛酸钡锶(Ba0.8Sr0.2)TiO3(BST0.8)铁电薄膜,研究了组织结构、微观形貌和光致发光性能.结果表明,非晶BST0.8铁电薄膜表面表现为尺寸约为20 nm左右的岛状结构,光滑致密,无裂纹和孔洞等缺陷,1μm2表面粗糙度约为1.74 am.激发波长为450nm时,在室温环境下非晶BST0.8薄膜在波长520～610 nm处发出强烈的可见光,峰值为540～570 nm,结晶态的BST0.8薄膜无发光现象.非晶BST0.8薄膜在波长330～900 nm范围表现为极高的透过率,光学透过率大于80%,最高峰值达93%.     

超级电容器RuO_2·nH_2O电极材料的热处理工艺

以RuCl_3·3H_2O水溶液为电沉积液,采用直流一示差脉冲组合电沉积技术制备超级电容器用钽基RuO_2·nH_2O薄膜阴极材料.借助扫描电镜、X射线衍射仪和电化学分析仪,研究RuO_2·nH_2O薄膜的微观形貌、物相结构、循环伏安和充放电性能.实验结果表明:RuCl_3H_2O先驱体经热处理后转变成RuO_2·nH_2O薄膜,呈不定形结构时能获得较大的比电容;随着热处理温度的升高,薄膜材料的附着力提高,RuO_2·nH_2O薄膜由不定形结构向晶体结构转变,随之薄膜的比电容下降;在300℃热处理的RuO_2·nH_2O薄膜电极材料,其比电容为466 F/g,薄膜与钽基体的附着力为11.3 MPa,薄膜的单位面积质量为2.5 mg/cm~2,1 000次充放电循环后比电容为循环前的93.1%.     

预退火工艺对Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜性质的影响

采用溶胶一凝胶法在Pt／Ti／SiO2/Si基片上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜。将薄膜分别进行每一层预退火、每二层预退火、每三层空气中500℃预退火10min,分别称为a．b、c组薄膜,最后都于氮气氛中680℃总退火0．5h。结果表明,预退火工艺对薄膜的铁电性能影响较大,而对取向基本没有影响。同时,a,b两组薄膜的铁电性能（2Pr分别为47．8μC／cm2。和51．9μC／cm2）远远优于c组薄膜的铁电性（2Pr=28．7 μC／cm2）。所有Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜都呈现良好的抗疲劳特性。     

中频磁控溅射制备a-C∶H薄膜中沉积功率的影响

采用中频反应磁控溅射方法,在不同溅射沉积功率下,在单晶Si基片上沉积了a-C∶H薄膜.研究了不同沉积功率对a-C∶H薄膜的形貌、硬度、弹性的影响,并用Raman和FITR分析了引起a-C∶H薄膜形貌和力学性能变化的原因.结果表明,沉积功率对薄膜的形貌、硬度和弹性都有很大的影响,在功率为140 W时沉积的a-C∶H薄膜表面致密,具有最大的硬度和弹性模量.     

物理气相沉积法制备薄膜的内应力形成机理及测量方法

本文介绍了用物理气相沉积（PVD）方法制备薄膜的应力与微观结构的变化,及它们之间的相互关系,总结了应力产生的模型和机理。并就岛状模式生长多晶薄膜中的应力可逆现象给予了关注。最后,总结了当前薄膜应办的测试方法。     

氧化锌薄膜的光电特性研究进展

由于氧化锌特殊的结构及在光电等方面的广泛应用,关于氧化锌的光电方面的研究引起了人们极大的兴趣.综述了氧化锌薄膜在短波激光、透过率、电子特性方面的研究进展,对今后的研究方向进行了展望.     

MPCVD法金刚石薄膜的生长影响因素

金刚石具有许多优异的性能,但天然金刚石的价格也比较昂贵。金刚石薄膜的各种性质与天然金刚石几乎相同,具有非常广阔的工业前景。本文采用乙醇和氢气作为工作气源,利用微波等离子体化学气相沉积法,在较低的温度下制备了金刚石薄膜,并研究了反应气压对金刚石薄膜生长的影响。     

读者之声

本期学术论文审稿意见二则本期第19-21页刊登的腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响一文,考察了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微