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111.
用四氯化碳溶解样品后去与稀酸溶液一起于水浴中加热回流使淀粉进入水相,除掉四氯化碳后在沸水浴中加热回流使淀粉水解为葡萄糖。在加热条件下,以次甲基蓝作指示剂,用样品溶液滴定标定过的碱性酒石酸铜溶液。计算葡萄糖的含量,再换算成淀粉的含量。本法测定结果回收率99.81%,变异系数0.16%,方法准确可靠。  相似文献   
112.
Si_3N_4-SiC纳米复合陶瓷材料的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用粒度为 50~70 nm的纳米级 SiC粉体与微米级的 Si3N4粉体复合来制备 Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料,对纳米SiC含量不同的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织结构与性能的关系进行了研究。结果表明:纳米SiC质量分数为10%时,经热压烧结法制备的Si3N4-SiC纳米复合陶瓷材料的抗弯强度为 844 MPa,断裂韧性为 9. 7 MPa· m1/2。微观组织结构的研究还表明,纳米SiC的不同含量影响着基体Si3N4的晶粒形貌,从而决定了复合材料的性能。探讨了纳米级SiC在基体中的形态、分布及其对基体强化增韧的新机制。  相似文献   
113.
NiTi形状记忆合金表面多层梯度陶瓷膜的制备   总被引:2,自引:1,他引:2  
在NiTi形状记忆合金表面采用三步法制备了多层梯度钛酸铅陶瓷薄膜。第一层膜采用原位水热法制备,第二层膜以醇热法制备,第三层膜应用溶胶-凝胶法制得。X射线衍射研究确认最外层薄膜具有四方钙钛矿结构。扫描电子显微镜观察表明,薄膜总厚度约为3μm;由里及外三层膜中的晶粒尺寸依次约为0.1μm、0.2μm和0.3μm。在陶瓷膜与记忆合金基体的界面处可观察到明显的根状结构,而且在三层陶瓷膜之间的界面处也观察到  相似文献   
114.
SnO_2 薄膜光谱透过率及气敏特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了半导体氧化物SnO2膜及其掺杂薄膜的光谱透过率气敏特性,导出了光波在固体介质中传播时的光折射率、消光系数、吸收系数的表示式,以及在“空气—薄膜—玻璃”三元系统中光透过率的近似表达式;解释了气敏使半导体氧化物薄膜系统光透过率变化的原因。所有这些结果与解释,与我们的实验结果相一致,也与一些文献报导的实验结果相符合[1,2]。  相似文献   
115.
Zn2SiO4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶—凝胶法制备及其光致…   总被引:3,自引:0,他引:3  
以硝酸锌,硝酸锰,正硅酸乙酯,无水乙醇为主要原料,用溶胶-凝胶提拉法制备了Zn2SiO4:Mn薄膜,并利用XRD,SEM,荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析。结果表明,采用上述先驱动通过溶胶-凝胶过程可获得的均匀致密的薄膜。  相似文献   
116.
高Tc超导薄膜红外(光)探测器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统地报道了近年来关于高Tc超导薄膜红外(光)探测器的研究成果,先后进行了单元分立器件、2×2、2×4集成式阵列器件以及约瑟夫逊结型红外(光)探测器的研究。器件经过10多次的液氮温度至室温的冷热循环,并在室温下保存两年以上,所得测量结果基本不变。采用具有约瑟夫逊效应的高Tc超导双晶晶界结的光探测器具有量子效应,其响应速度快于6.35×10-7s。  相似文献   
117.
118.
复合氧化物SrTiO3—TiO2氧敏材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
将具有氧敏特性的SrTiO3与TiO2复合化,采用电子束蒸发方法,制备了SrTiO2-TiO2薄膜,研究了其氧敏特性。实验结果表明,复合氧化物SrTiO3-TiO2薄膜的n-p型转换点比SrTiO3薄膜的n-p型转换点高,氧敏特性有所改善,从而提高了贫燃共氧灵敏度曲线的线性化。  相似文献   
119.
铌酸锂(LiNbO3)优良的电光、声光、压电、铁电和非线性光学特性可用于制备性能优良的频率转换器、固体激光器等,更为重要的是与光发射性能相结合可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径之一.本文介绍了LiNbO3掺杂过渡金属元素、稀土元素和LiNbO3多层结构薄膜的光致发光机理及影响因素,指出了目前LiNbO3光致发光存在的问题,并对其发光性能的应用前景进行了展望.  相似文献   
120.
1引言近年来,由于光电子器件潜在的巨大市场,使光电材料成为研究的重点。ZnO薄膜是一种光学透明薄膜,纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的薄膜材料之一。目前,研究ZnO材料的性质涉及许多研究领域,其中包括:透明导电膜(T  相似文献   
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