FAD非晶金刚石薄膜的场电子限射性能研究

利用真空磁过滤弧沉积技术制备得到了无氢的非晶碳膜。由于非晶碳膜中数量极高的四面体键的存在，这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜。报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性，并对其能带结构和发射机理进行了研究。实验结果表明，在阈值电场为１５Ｖ／μｍ的情况下，测得的场发射电流超过了２０μＡ，薄膜的电子发射行为符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论，非晶金刚石膜是有负电子亲合势和较小的有效功函数，如此     

用压电薄膜进行板振动能动控制

研究了关于具有压电式传感器（Ｓｅｎｓｏｒ）和调节器（Ａｃｔｕａｔｏｒ）的板振动的能动控制，并用有限元素的方法预测了面板的动态响应。该系统由于模型的误差可能导致溢振（ｓｐｉｌｌｏｖｅｒ），从而需用具有鲁棒性的Ｈ∞控制方法来抑制板的振动。实验证明，这种控制方法是有效的。     

衬底对SnO2薄膜结构的影响

ＳｎＯ２透明导电膜的光学、电学特性与它的结构有关。研究守底温度对薄膜结构的影响表明：衬底温度影响薄膜的结晶程度，衬底温度高，容易结晶化，衬底温度低，则易形成无定型结构的膜。     

光辉依旧——投资新亮点 有机薄膜太阳能电池

由于价格优势抵消了效率不足的缺点,市场对于薄膜太阳能电池需求的增长速度将是传统硅太阳能电池的两倍,其中蕴涵的巨大商机无以估量。     

超硬膜β-C_3N_4的研究进展

理论分析认为β－Ｃ３Ｎ４可能是一种比金刚石还要硬的材料，它的研究成为当今材料科学的一个热点。文章论述了β－Ｃ３Ｎ４问题的由来和研究进展，以及今后的研究趋势。     

碳氮化合物硬质薄膜的结构与摩擦性能

碳氮化合物（ＣＮ）是经理论预测的、硬度有可能超过金刚石的非天然共价化合物。该文使用反应离化团束（ＲＩＣＢ）方法，以低分子量聚乙烯为蒸发源材料，氮气为反应气体，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣＮ薄膜。用激光喇曼（Ｒａ－ｍａｎ）散射分析了薄膜中的成键情况。结果表明，当氮气分压为１３．３ｍＰａ时，在波数１２４８ｃｍ－１附近出现源于共价Ｎ—Ｃ单键的喇曼峰，而且该峰强度随氮气分压的增加而增加。这个结果与Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析结果是一致的。硬度测定结果表明，生长的ＣＮ薄膜的努氏显微硬度最高可达６１ＧＰａ。在无润滑条件下进行滑动摩擦试验，测得的摩擦因数最低为～０．０８。     

PECVD α—SiNx：H的^1H NMR研究

用质子核磁共振（＾１Ｈ ＮＭＲ）方法对等离子体化学气相沉积非晶氢化氮化硅薄膜进行测量，分析膜中Ｈ的含量和分布与沉积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。     

慢正电子技术研究ZrO2（Y2O3）薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压，纯Ａｒ气氛，基片分别为加热３００℃和不加热的情况下制备的Ｎｏ．２系列和Ｎｏ．７系列的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜（简称ＹＳＺ膜）。研究发现：ＹＳＺ膜心部区Ｓ参数随退火温度升高而降低；ＹＳＺ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄；基片加热，有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织。