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111.
用溶胶-凝胶法制备了Li4 xBxSi1-xO4-yLi2O(x=0.1-0.6;y=0.0-0.5)离子导体材料,并用DTA-TG,XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试,结果发现用溶胶-凝胶法可降低Li4 xBxSi1-xO4的合成温度;随Li2O的掺入可增强基质材料的致密性并可提高其离子的导电性能。 相似文献
112.
采用示踪棉股线与普通棉股线在四步法编织机上编织6×4和6×6两种类型三维编织物,以较小间距横切编织物后。用QUESTER视频显微系统拍摄截面得到示踪纱截面中心点定位坐标,以三次周期样条插值方法处理经归一化的示踪纱线空间定位坐标,得到同一编织物中不同纱组内纱线在一个完整编织循环中空间构型的数学表达,以此反映矩形截面三维编织物的细观结构。 相似文献
113.
在室温至150℃范围测量了纯PWO4晶体和掺镧(La)PWO4晶体的频域介电谱,发现两种样品的介电弛豫都不是德拜型的,晶体中的空位和杂质形成的二和三级结构使得频域介电谱和样品的热力学历史有关。 相似文献
114.
评述了移动通信在三个阶段的演进,介绍目前移动通信的一些关键技术如功率控制技术、软切换技术、PN码技术、RAKE接收技术、话音编码技术、MC-CDMA,OFDM, 智能天线、软件无线电.展望了第四代移动通信的发展. 相似文献
115.
低热固相法合成纳米(NH4)3PMo12O40·4H2O及其机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过低热固相反应合成了纳米(NH4)3PMo12O40*4H2O,XRD、31P NMR研究发现,在此固相反应的4个步骤中(扩散,反应,成核,生长),反应的速率控制步骤是产物的成核. 相似文献
116.
Al-Mg-Si合金的价电子结构分析 总被引:9,自引:0,他引:9
用经验电子理论(EET)对Al—Mg—Si合金中主要成分(如α—Al、镁、硅,以及强化相(β—Mg2Si)的价电子结构进行计算,计算结果表明各成分晶胞最强键上的共价电子对数与其密度、熔点、硬度、电负性有对应关系;Mg、Si原子上次强键的共价电子分布有利于β相的形成。 相似文献
117.
以LiNO3,Mn(NO3)2和弱有机酸为原料,将其按一定比例混合,先于低温蒸干水分,再在250℃加热1h,得到黑色前驱物粉末;将前驱物在650~800℃焙烧10~20h便可得到LiMn2O4晶体.此外,研究了生产LiMn2O4晶体过程中温度及添加Ni,Co,Al对LiMn2O4晶化程度和结晶结构的影响.研究结果表明:利用液相法可以使反应物充分反应,能够得到晶形完整、结晶度高的尖晶石型LiMn2O4;并通过该液相法能更均匀掺杂,得到晶粒粒径更小的掺杂Ni,Co,Al型LiMxMn2-xO4. 相似文献
118.
Si基片各向异性腐蚀特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构 相似文献
119.
以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料,采用凝胶一固相反应法制备了SrBi2Ta2O9。利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过程和烧结特性进行了研究。结果表明,球磨时间、烧结时间以及烧结温度对烧结密度和SrBi2O9的分解都有明显的影响。介电性能显示,该方法合成的SrBi2Ta209和传统的固相法合成的SrBi2TaO9性能差别不大。 相似文献
120.
利用在氨性条件下2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑对焦性没食子酸-H2O2-Co(II)体系的化学发光具有抑制作用,从而建立了测定2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑的流动注射分析方法,该法线性范围为1.0×10-3-1.0×10-4mol/L;相对标准偏差为3.6%;检出限为5.8×10-6mol/L. 相似文献