玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

助成胶作用和氧化镧掺杂对活性氧化铝热稳定性的影响

研究水溶液成胶制备氧化铝过程中,掺杂氧化镧及利用聚乙二醇助成胶对氧化铝热稳定性和比表面的影响。通过XRD表征手段和TG检测方法来检测氧化铝在不同温度焙烧后的晶相改变和热失重情况,并利用BET检测方法检测不同温度焙烧后的比表面。实验结果表明,氧化镧的掺杂可提高氧化铝的热稳定性,利用聚乙二醇助成胶可有效提高氧化铝的比表面。     

四-α(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜LB膜制备及电子吸收光谱研究

将四-a(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁铜在亲水基片上以Z型成膜方式拉制了多层LB膜。膜崩溃压为60 mN·m-1,分子极限面积为0.33nm2。研究了酞菁铜的成膜条件,表明LB膜形成与水的纯度、铺展剂、铺展量、推膜速度等因素有关。不同层数的酞菁铜LB膜的紫外可见光谱表明,在LB膜中酞菁铜分子之间是以J-聚集形态存在。     

巨磁电阻效应

重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。     

用蛋壳制备柠檬酸-苹果酸钙的研究

介绍了1种利用蛋壳制备新型钙营养强化剂柠檬酸-苹果酸钙的方法。考察了蛋壳前期处理方法、煅烧条件、结晶方式等因素对产品产率及溶解度的影响。在结晶过程中引入冷冻法,结果表明,在-18℃下低温结晶对柠檬酸-苹果酸钙的产率及溶解度均有提高。用正交实验确定了反应时间为2h,反应温度为50℃,加水量为50mL,物质的量配比为n(蛋壳灰分):n(柠檬酸):n(苹果酸)=5:2:4的工艺条件,用该方法生产的产品产率可达到94.5％以上,并对产品进行了质量检验。     

硅对汞毒害玉米幼苗生长的缓解作用初探

研究表明,在幼苗生长阶段,较高浓度的汞能使玉米苗叶绿素含量、光合强度、根系活力、硝酸还原酶活力和水分利用率降低,而叶片蒸腾强度升高.培养液中加硅能使上述生理指标的变化明显减轻,说明硅在一定程度上起到缓解汞对玉米的毒害作用.     

含苯并三氮唑的三脚架化合物及其配合物研究

合成了两个新的三脚架结构化合物；1，1，1-三（1-苯并三氮唑基甲氧甲）丙烷（A）和三[2，1-苯并三氮唑基甲氧基）乙基]胺（B），获得了它们和一些过渡金属离子形成的配合物，并用元素分析，红外光谱，摩尔电导和热分析等手段对其进行了表征。     

一类新的液晶性芳香羧酸化合物的合成

合成了一系列新的液晶性芳香羧酸化合物，化合物的结构通过元素分析、红外光谱、核磁共振波谱和质谱等方法确证。化合物5的液晶行为用示差扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)表征。发现化合物5加热至各自的熔点以上都能形成液晶态，在液晶态可以观察到向列相的丝状织构和纹影织构，随分子中末端烷氧基碳原子数增加，化合物5的熔点(Tm)和液晶态的清亮点(Ti)呈规律性变化，液晶态温度范围变宽。     

复合二项风险模型破产概率ψ(0)的近似计算

对理赔量为一般随机变量，给出复合二项风险模型破产概率ψ(0)的近似计算公式．这个近似计算公式十分简洁，方便于数值计算．而且当理赔量为离散型随机变量时，它与Gerber(1988)和Shiu(1989)给出的精确计算公式一致．对连续型情形，给出了一些数值计算例子．从指数分布的数值例子看，有较好的近似效果。     

缔置法制取二元复肥硫酸钾铵的工艺研究

以氯化钾、硫酸、氨为原料 ,在常温下采用缔合置换法合成无氯钾肥 ,在试验范围内找出适宜的工艺条件 ,同时测定了该产品的主要物性 .