半导体制冷技术研究

本文讨论了目前制冷技术存在的问题,详尽分析了半导体制冷的特点、应用及发展动向。     

硅扩散型压力敏感元器件的研制

硅扩散型压力传感器件自70年代问世以来,由于它有诸多优点,受到许多技术先进国家的重视.本文着重介绍作者所做的工作,即扩散型压力敏感元器件的特点、压力效应、圆片应力分析、制造的关键工艺和敏感元器件的结构设计及其应用,并提出对今后研究发展的见解.     

双汞探针C—V法测试硅材料杂质浓度分布

鉴于单汞探针C-V法测试半导体材料杂质浓度分布还有不方便之处及不能准确测试n/p;p/n等异型多层结构外延片电阻率分布的弊病,本文提出了双汞探针C-V法。文章中阐述了这种方法的测试原理和测试可行性分析。对各种硅材料样片大量测试结果表明:这种方法即方便又准确,测试结果的重复性相当好。     

制造半导体器件的能带工程

自从分子束外延生长技术出现以来,半导体物理的研究获得许多惊人的突破。近年来这些成果被应用于半导体器件和电路的研制,形成一门新的能带工程。本文简要介绍从杂质工程到能带工程的发展过程,以及能带工程的三种基本方法。     

钛基锡锑钴氧化物涂层电极的改性研究

本文初步总结了钛基锡锑钴氧化物涂层金属阳极的改性研究工作。依据氧化物半导体的一般原理,所获得的贵金属掺杂的锡锑钴电极在食盐水电解工业中做阳极使用,具有放氯电位低,使用寿命长,优于原锡锑钴阳极,更优于石墨阳极。一定程度上接近能钛阳极。本文还测量交换电流等动力学参数,并对电极性能作了进一步分析。同时,从半导体电催化的角度,对电极过程作了定性的探讨。     

平面外腔半导体激光器的一种新的瞬态模型

视外腔半导体激光器的场为统一场,直接由内、外腔场的传播方程、边界条件出发,建立了平面外腔半导体激光器的瞬态模型。数值模拟的结果与实验结果的比较表明：无论对于强反馈、还是弱反馈,此模型基本上反映了平面外腔半导体激光器的瞬态特性     

热电式制冷器的最佳化设计

本文论述微气候空调系统冷源——热电式制冷器的最佳化设计。通过合理配置半导体热电堆,使制冷器处于最佳化运行电流状态,从而取得较为理想的制冷效果。笔者根据此最佳化设计,已研制出一套制冷量为384 W,功率消耗为1000 W,运行电压为24V(DC),运行电流为40 A(DC)的制冷器,经实测表明,达到设计要求。     

随杂质位置的变化异质结中的束缚极化子的性质

本文对GαAs/AlxGα1-xAs异质结,采用三角势近似异质结势,考虑外界恒定电场以及体纵光学声子和两支界面光学声子的影响,应用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用和杂质-声子相互作用,计算了极化子结合能随电场强度、杂质位置和电子面密度的变化关系.结果表明：结合能随电场的增强而缓慢增大.IO声子对结合能的负贡献受电子面密度的影响显著增加,LO声子的负贡献相对IO声子贡献较小.另外,三角势的选取说明,导带弯曲引起的势垒变化不容忽视.还须指出的是,电子像势对结合能的影响很小,可以忽略.     

Differenc es between amorphous indium oxide thin films

A series of 60~nm thick indium oxide thin-films,all amorphous as determined by x-ray diffraction,were found to have physical and electrical properties that depended on the temperature of deposition.The carrier mobility and flm conductivity decreased with decreasing deposition temperature;the best electrical properties of high mobility and conductivity were observed at a deposition temperature just below the temperature at which crystalline films formed.The density of the flm also decreased with deposition temperature from 7.2g/cm3 at+50℃ to 5.3g/cm3 at 100℃.     

半导体器件失效分析研究

统计分析了引起半导体器件失效的一些主要原因,阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用.