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131.
Bulk samples with nominal composition Zn0.95Co0.05O and Zn0.92Co0.05Mn0.03O were fabricated by a solid-state reaction method at 600℃.X-ray diffraction experiment showed that the peaks of secondary phase Co3O4 with a cubic structure were visible in both samples,besides the main peaks of wurtzite structure as ZnO.Magnetization measurement indicated that doping Co alone can induce ferromag- netism in ZnO itself,while the introduction of Mn significantly enhances ferromagnetism.However, both samples showed different magnetic behavior at temperatures below 50 K.It was also noted that ferromagnetic coupling interaction was weakened due to the presence of antiferromagnetic Co3O4.  相似文献   
132.
采用固相法合成了系列掺硼SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料。通过测试分析合成粉体的物相组成、激发光谱、发射光谱和余辉时间,研究了硼掺杂对SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光材料合成温度与发光性能的影响。实验结果表明,添加硼一方面做为助熔剂可以降低合成温度,另一方面当硼摩尔分数小于30%时,增加硼含量可以延长余辉时间,但硼含量的变化对激发和发射光谱峰值没有明显影响。  相似文献   
133.
ZnO是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文介绍了ZnO的制备和掺杂研究进展及其气敏机理,并指出了今后的发展趋势。  相似文献   
134.
以溶胶-凝胶法合成了阴阳离子复合掺杂尖晶石型锰酸锂正极材料LiCu0.05Mn1.95O3.9F0.1,XRD表征合成产物具有良好的尖晶石结构;SEM测试表明所合成产物的颗粒达到了亚微米级,且分布均匀,形貌较好.以该物质作为锂离子电池的正极材料组装成扣式电池,经充放电循环测试可知 LiCu0.05Mn1.95O3.9F0.1材料比LiMn2O4正极材料能够更好地抑制电池的可逆容量在充放电过程中的衰减,循环性能有了很大改善,表现出很好的电化学可逆特性.  相似文献   
135.
SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %.  相似文献   
136.
Novel N-doped TiO2 (denoted as N-NTA600) was prepared by treating nanotube titanic acid (NTA) in NH3 flow. Its visible light photocatalytic activity,evaluated by decoloration reaction of methylene blue,is higher than that of N-P25(600) prepared by treatment of P25-TiO2 in the same condition. It is suggested that the origin of visible-light photocatalytic activity is single-electron-trapped oxygen vacancy (Vo·) modified by chemisorbed NO.  相似文献   
137.
透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。  相似文献   
138.
采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了掺杂钙钛矿型氧化物LaCoO3-δ系列粉末,并通过X射线衍射分析、扫描电镜和激光粒度分析等技术对粉末进行了表征。结果表明合成的粉末为均匀、近似球形、粒度在0.5~50μm的颗粒团聚体。采用碘滴定法测定了合成氧化物的氧非化学计量值,结果说明氧空位浓度随掺杂铁含量的提高而降低。采用直流四端子法考察了合成材料的混合电导率,结果表明材料的混合电导率随温度、氧空位和密度的提高而提高。  相似文献   
139.
140.
用微波—高分子网络法 ( m-p)合成掺杂 Li Lax Nd0 .0 0 6 - x Mn1 .994O4( x=0 .0 0 6,0 .0 0 4 ,0 .0 0 2 ,0 ) .XRD图显示用此法可制得晶型很好的样品 .充放电测试说明 Li Mn2 O4的特征容量为 1 2 0 m A/g,循环 2 0次后容量衰减率为 4 .7% .EIS和计时电量图说明掺 La的 Li Mn2 O4表层电阻小 ,而掺 Nd的 Li Mn2 O4的电导率高 .所以 ,将 La和 Nd以合适比例掺入 Li Mn2 O4中有可能提高材料的电导率和循环性能  相似文献   
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