3-乙基戊烷分子振动与构象分析

通过正交坐标计算与红外和拉曼光谱的对比分析，确定3—乙基戊烷分子可以很多种空间构象存在，其中存在量最大的是3种空间构象：Cs，C1，C3，并通过分子力学和量子力学半经验方法的计算，得到这3种稳定构象的相对能量。     

16电子半夹心结构含硫碳硼烷钴配合物CptCoS2C2B10H10的合成以及结构表征

八羰基二钴Co2(CO)8与叔丁基取代的环戊二烯反应，可以得到半夹心结构的羰基钴化合物Cp^tCo(CO)2(2)(Cp^t=η^5-^tBuC5H4)，化合物(2)与元素碘进行反应可以被氧化成相应的钴的碘化产物Cp^tCo(CO)I2(3)，采用碳硼烷含硫锂化合物[(THF)3LiS2C2B10H10Li(THF)]2(1)与18电子半夹心结构羰基钴的碘化物Cp^tCo(CO)I2(3)反应得到16电子半夹心结构化合物Cp^tCoS2C2B10H10(4)，表征了化合物(2)，(3)和(4)，并解析了配合物(4)的X—衍射的单晶结构。     

正规BZ—代数

引入正规BZ－代数的概念，证明了正规BZ－代数一定是零对称BZ－代数、拟结合BZ－代数一定是正规BZ－代数，并举例说明了其逆均不成立。同时还讨论了正规BZ－代数与分支有关的若干性质。     

具有Neumann边界及临界Sobolev指数的半线性抛物方程

主要运用能量方法及稳定集和不稳定集的观点,研究一类半线性抛物方程的整体解和局部解的存在性及爆破问题.这里Ω是RN(N≥3)上的光滑有界区域,2 是临界Sobolev指数.     

遗传正规弱θ↑——空间的无限乘积

主要证明(1)如果X=∏σ∈∑Xσ是遗传∑-仿紧空间,则是遗传正规弱θ-可加空间当且仅当F∈∑<ω,∏σ∈∑FXσ是遗传正规弱θ-可加空间.(2)设X=∏i∈ωXi是遗传可数仿紧的,则下列三条件等价是遗传正规弱θ-可加的;F∈ω<ω,∏i∈FXi是遗传正规弱θ-可加的;n∈ω,∏i≤nXi是遗传正规弱θ-可加的.     

单调线性互补问题的非精确不可行内点算法

对单调线性互补问题提出了一种非精确不可行内点算法．该算法的迭代方向仅需要达到一个相对的精度．在初始点位于中心线的某邻域内的假设下，证明了算法的全局收敛性．     

三酮类化合物的电子结构与活性关系的研究

采用量子化学半经验的AMl方法计算了三酮类化合物的电子结构，用分子中原子的静电荷，分子的前沿轨道能级探讨了该类化合物的构效关系，从理论上解释了三酮类化合物的生物活性。     

P-内射模的特征

引进P-内射维数的概念，给出P-内射模的一些性质，并且用P-内射维数刻划了半单环、Von Neumann正则环和遗传环的特征。     

D-半乳糖诱导大鼠肺微血管内皮细胞衰老

探讨了D-半乳糖(D-galactose, D-gal)诱导的大鼠肺微血管内皮细胞(pulmonary microvascular endothelial cells, PMVECs)衰老与细胞凋亡的关系. 以含D-gal(10 g/L)DMEM培养液培养PMVECs, 经内皮细胞鉴定后, 再通过下述鉴定建立了大鼠PMVECs衰老模型: (1) 约90%的细胞呈现b-半乳糖苷酶活性阳性染色; (2) 流式细胞仪检测可见细胞周期分布变化, 90%细胞停留在G0/G1期, 而S期和G2/M期细胞近于消失. 与未诱导的对照组细胞比较得到如下结果: (1) 荧光显微镜和透射电子显微镜观察, 可见D-gal诱导的PMVECs细胞核染色质浓缩和凝聚, 并可见凋亡小体; (2) 流式细胞仪检测Annexin V /PI双染色的D-gal诱导的PMVECs中, 早中期凋亡细胞明显增加, 其细胞凋亡率为(39.8±2.8)% (对照组为(14.0±3.7)%); (3) PMVECs在衰老终末阶段出现典型的晚期凋亡亚二倍体峰. 实验表明: D-gal可诱导体外培养的PMVECs老化, 从而复制细胞衰老. 经D-gal诱导的衰老PMVECs易发生凋亡, 提示细胞凋亡参与了D-gal诱导细胞衰老的过程.     

弹性支承上轴心受压构件的屈曲分析及应用

分析了跨度、节间距以及支承弹性系数对弹性支承上轴心受压构件的屈曲的影响，把用不同方法得到的解作了比较，得到了弹性支承上轴心受压构件屈曲规律和一些结论。