温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

O_2、CO、CO_2、N_2O、NO、NO_2和C_3H_6混合气的同时色谱检测

在改装的102G型气相色谱仪上,采用氢火焰离子检测器、电子捕获检测器和5 A分子筛、10%OV-101/Chromosorb W、G.D.X.-502等色谱分离柱,对文题进行了研究,得到了准确的定量分析结果。它们的最低检测浓度为:O_2、N_2O是5 ppm,NO_2、CO、CO_2和丙烯是1 ppm,NO是20ppm。该法具有检测灵敏度高,操作方便,分析快速等优点,适合在燃烧尾气的测定和治理工作中使用。     

PKXF-Ⅰ型节能喷嘴的工业应用试验研究

通过对PKXF—I型可调式旋缝节能喷嘴在20t/h锅炉除氧器上的工业应用试验研究,确认这种喷嘴运行稳定可靠,负荷适应性优良,除氧效果良好。尤其是在低负荷下运行时,其出水溶氧量仍完全达到GB1576—85《低压锅炉水质标准》中规定的指标。     

瓦松和长药景天NAD－苹果酸酶的比较研究

通过对专性ＣＡＭ植物瓦松（Ｏｒｏｓｔａｃｈｙｓｆｉｍｂｒｉａｔｕｓ）和兼性ＣＡＭ植物长药景天（Ｓｅ－ｄｕｍｓｐｅｃｔａｂｉｌｅ）的ＮＡＤ－苹果酸酶进行比较研究，在反应系统含５ｍｍｏｌ／ＬＭｎＣｌ＿２，５０μｍｏｌ／ＬＣｏＡ，５ｍｍｏｌ／Ｌ　ＤＴＴ，ｐＨ值为７ｈ，其苹果酸饱和曲线均为双曲线，且瓦松的ＮＡＤ－苹果酸酶对苹果酸极为敏感。光对该酶活性无明显影响。该酶对温度较敏感，其最适温度为５５℃。晴天的酶活明显比阴天高；即使在阴天，瓦松的酶活也较高。在同一温度条件下，瓦松的酶活高于长药景天。     

氧化铜光谱标准样品的研制

本文介绍了氧化铜光谱标准样品的研制方法，探讨和解决了标样研制中的若干问题．采用本文介绍的标样，能对ＧＢ４６６－８２［１］规定的纯铜中馑铋、锑、砷、铁、镍、铅、锡、锌八个杂质元素进行光谱定量分析．     

FCY-4型耐消毒溶氧电极的研制及应用

本文研制成功一种为小型国产或进口发酵罐配套的FCY-4型敞口式耐消毒溶氧电极。经测试,其各项性能指标接近或超过进口电极。通过应用于多种罐及品种的发酵,发现本电极与进口罐上的原配电极所走的溶氧曲线均具有很好的同步性和一致性。能正确反映发酵过程中的溶氧变化。     

溶氧对黄原胶发酵的影响

黄原胶是野油菜黄单孢菌分泌的胞外多糖,可用淀粉或葡萄糖为碳源发酵生产。本文着重以淀粉为碳源研究不同的溶氧水平对多糖的影响。试验结果表明:溶氧水平高于饱和度的20%对多糖发酵影响不大,低于20%时菌的生长受影响。溶氧水平为饱和度的25%,菌体生长最佳。     

可伐合金与铜复合材料热膨胀特性

研究和分析了可伐合金与无氧铜复合材料的热膨胀曲线和在热循环中(室温至400℃)复合材料的热膨胀特性。测定了复合材料中不同复合比(体积%)对热膨胀性能的影响。结果表明,虽然可伐合金和无氧铜的膨胀系数差异很大,但芯材无氧铜占复合线总体积比小于22％时,铜芯对复合线的总体积热膨胀曲线的特征不变。     

荧光分析法研究抗氧化剂与单重态氧的反应能力

本文以二苯基苯并呋喃为发荧光的单重态氧(~1O_2)接受体,并作为与抗氧化剂(X)竞争反应中的标准物质。根据它在反应时引起的荧光强度变化,利用类似的Stern-Volmer方程式作图,从中求得各X的β值(~1O_2自行失活为基态氧的速度常数和~1O_2与X反应的速度常数kx的比值)和kx值。在选用的五类X中,以色满类的kx为最大(kx=3.78×10~8m~(-1)s~(-1));双螺色满类次之(9—10×10~7m~(-1)s~(-1));再次为对苯二酚类(6—7×10~7m~(-1)s~(-1))和双酚类(2—3×10~7m~(-1)s~(-1));苯酚类最小(5×10~6m~(-1)s~(-1))。将上述各X加入彩色相纸的品红层乳剂中进行光退色试验时,所得结果亦相一致。即kx愈大,染料影像的密度变化愈小。     

氢氧注入在GaAs器件中的应用

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。