金刚石膜微结构分析

对在Si(100)基底上利用化学汽相沉积(CVD)法制备的金刚石膜，采用X—射线衍射(XRD)技术和正电子湮没谱学(PAS)原理进行了有关物相成分和微结构的测量分析．研究发现，在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异．结果表明，金刚石膜体和表面的结晶、微晶和非晶结构与正电子谱分析的3种正电子态相符合．     

宜宾煤中氮的形态及其变迁规律研究

利用X射线光电子能谱(XPS)，研究了宜宾煤及其煤焦中氮的官能团结构，分析了氮官能团在热解过程中的迁移。所有煤焦在马弗炉上制取，制焦温度分别为700、900、1100℃。研究结果表明，宜宾煤中氮的官能团有4种，即吡啶(N—6)、吡咯(N—5)、质子化吡啶(N—Q)和氮氧化物(N—X)，其中吡咯含量最大，煤中的N—X就是N—O，是煤中吡啶结构氮与氧直接结合的结果。在700℃热解时，由于煤的脱氧脱氢，吡啶酮和N—O均向吡啶转化，N—Q基本不变。当热解温度升高到1100℃时，N—Q完全分解，残留在煤焦中的氮为吡啶结构，当有氧气存在时被氧化成吡啶酮和N—O。     

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

管道内壁重防腐陶瓷涂料在氯化钠溶液中的电化学行为

利用交流阻抗技术,对管道内壁重防腐陶瓷涂料涂层在3.5%的氯化钠溶液中的电化学腐蚀机理进行了研究.结果表明, 该涂料的电阻非常大,可达109 Ω左右,且长期浸泡保持不变.表明管道内壁重防腐陶瓷涂料具有很好的绝缘性、抗渗透性和耐蚀性.     

氟聚物与TATB界面作用的XPS评价

该文用X射线光电子能谱 (XPS)技术考察了 4种氟聚物与TATB间的界面。通过对实验结果分析 ,认为在该界面上不可能存在着强氢键和明显的酸碱作用 ;同时 ,在这个界面上 ,由相关XPS谱峰平移得到的结合能变化值并不是化学位移。造成这个结合能变化的原因可能是在该界面上存在着分子间弛豫效应 ,因此其不能用于表征氟聚物 /TATB界面分子间作用大小。     

铜的微晶蜡相反射散射光度法研究

研究了微晶石蜡萃取铜与二乙胺硫代甲酸钠配合物的条件，并设计了固相反射散射分光光度法直接测定石蜡相中铜的含量，方法有较好的选择性，可以用于水样中铜的测定。     

La-Cu-Mn系钙钛矿型复合氧化物的表面特征

采用以EDTA为配位剂的Sol-gel法制备La-Mn体系钙钛矿型复合氧化物，借助X射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS）等手段对其表面的结构和性质进行表征。结果表明，Cu^2 部分取代A位、B位或同时部分取代A位、B位将导致氧化物特征发生变化，部分取代A位的La^3 比部分取代B位的Mn^3 更有利于锰离子在表面富集，更能提高晶格氧的相对含量和阳离子缺陷的浓度，但对Mn^3 含量的影响程度没有明显差异。     

简并Λ型三能级原子与大振幅腔场Raman相互作用过程中光场的位相演化特性

应用PB位相理论研究了简并^型三能级原子与腔场Raman相互作用过程中光场的位相演化特性,计算光场的位相几率分布函数和位相涨落。     

2,6-二甲基-4-(3-硝基苯基)-3,5-(二甲酸二乙酯基)-1,4-二氢吡啶的电化学反应机理研究

用电化学和表面增强拉曼散射(SERS)光谱方法研究了2，6-二甲基4(3-硝基苯基)-3，5(二甲酸二乙酯基)-1，4-二氢吡啶(NIT)的电化学反应机理．发现当电位正于1．0V时，NIT开始氧化，失去2个电子和2个质子，形成吡啶衍生物．当电位负于-0．25V时，该吡啶衍生物被还原．但硝基苯中的硝基并不发生电化学反应．     

不锈钢衬底碳纳米管薄膜的场发射特性

不需要添加任何催化剂,直接在含有少量Ni和Cr成分的不锈钢衬底上,用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法沉积碳纳米管薄膜.在SEM下观察,生成的碳纳米管取向无序,但浓度大、杂质含量少、直径小且分布均匀,其直径在50～60 nm,为多壁碳纳米管.Raman光谱实验证实了此碳纳米管中存在大量缺陷.场发射实验表明,本样品的开启电压低,电子发射均匀,发射电流大.当用ITO玻璃作阳极且场强为11 V/μm时,电流密度可达到31 mA/cm2;当用荧光粉包覆的ITO玻璃作阳极且场强为6 V/μm时,电流密度可达到1.25 mA/cm2,这时的电子可稳定发射,使该样品变成良好的电子发射体.