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51.
功率晶体管背面金属化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善在电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。 相似文献
52.
研究溅射制备的NiTi薄膜的马氏体相变行为.电阻随温度的变化曲线以及变温X射线衍射实验表明,当温度由400℃连续下降到-180℃时,NiTi薄膜发生了B2→R→B19'以及B2→B19'相变. 相似文献
53.
采用电桥及X射线衍射线形分析法研究磁控溅射Cu/Ni多层膜(CLI及Ni单层厚度均为5nm)的室温电阻率及平均位错密度随对层(bilayer)层数的变化规律.结果表明,随层数增加,电阻率及平均位错密度减少;多层膜电阻率大于单层膜电阻率;单层膜电阻率大于同质块状体的电阻率.并对其微观机制进行分析. 相似文献
54.
利用射频磁控溅射方式将氧化铟锡(ITO)沉积在玻璃基板上,设定温度、压力、溅射功率为主要参数,每个参数均有3个水平,运用田口实验方法设计L9直交表,质量目标设定为方阻,以变异数分析得到的结果作为最优工艺参数条件,并测量膜厚、透光率.以X光衍射仪分析结晶状况、SEM观察结构及生长型态来了解其性质.结果显示功率对方阻的影响最大,贡献度占91%,而功率大,薄膜厚度越厚,晶粒粒径较大,结晶性较强,方阻减小及透过率降低.由于结晶性好也提高透光率,膜厚100~300 nm时,透光率80%以上.最优工艺参数为温度230 ℃、功率300 W及压力在1.5 mTorr下有方阻最小. 相似文献
55.
在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。 相似文献
56.
黄蕙芬 《东南大学学报(自然科学版)》1999,29(6):36-39
介绍了一种具有优良绝缘性能的Ta2O5介质膜,它由溅射/阳极氧化二步法工艺制备而成。用原子力显微镜对Ta2O5膜进行了表面形貌分析,对它的电特性进行了测试,并与溅射Ta2O5膜和阳极氧化Ta2O5膜进行了比较。结果表明,溅射/阳极氧化Ta2O5膜的漏电流比溅TMDFA2O5膜和阳极氧化Ta2O5膜分别减少了3-4和1-2个数量级,击穿场强也远高于后2种膜。 相似文献
57.
采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用X射线电子能谱(XPS) 和富里叶变换红外光谱(FTIR)对样品的电子结构进行了分析.结果表明:反应气体N2 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在N2 压力为8 Pa、溅射功率为200 W 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值41% ;XPS和FTIR分析结果揭示了膜中没有自由的N原子,所有的N原子均与C原子作用形成化学键,而且C N 单键、C N 双键、C N 三键共存.膜中C H 和N H 振动模式的存在,说明沉积在Si 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力. 相似文献
58.
在自行研制的离子束辅助孪生磁场中频反应溅射设备中制备光学氧化钛薄膜,利用郎缪尔静电探针研究等离子特性变化,同时测定基片表面的伏安(I-V)特性。结果表明,随离子束功率密度不断提高,等离子体电子密度不断增加,悬浮负电位绝对值减小,溅射阴极电压下降;基片表面经历从富电子向富阳离子转变,基片正电位不断提高;辅助离子束为109 W时,基片表面处于电中性等离子体平衡态。 相似文献
59.
60.
论述了一种高精度的原子力显微镜AFM.IPC-208B型机在分子形态学方面的应用.以磁控溅射获得的TiN薄膜和普通的聚酰亚胺纤维为例,从原子力显微镜测得的三维图上探析该TiN薄膜的优先生长面及其在优先生长面上的原子排布和聚酰亚胺的表面形态.这种实验不仅鉴定了测试材料的微观形态,也充分肯定了该原子力显微镜原子量级的精度及其在微观结构领域的潜在发展,为该机应用于微加工领域奠定了基础. 相似文献