磁控溅射镀铜芳纶织物的制备及其性能研究

芳纶纤维具有优异的力学性能和加工性能,还具有极好的耐热和耐化学药品性能、尺寸稳定性、耐疲劳性及耐腐蚀性等。磁控溅射镀膜法是一种高效的薄膜沉积工艺,具有装置性能稳定、操作控制方便、无环境污染等优势。采用磁控溅射法在芳纶织物表面镀覆纳米铜薄膜,使纺织品表面金属化。镀铜芳纶织物采用XRD与扫描电镜进行表征,且评价镀铜织物的抗静电性、导电性及拒水性。结果表明,溅射镀膜50 min的镀铜纤维表面致密地沉积纳米铜;XRD图显示铜的结晶存在。溅射镀膜50 min的镀铜芳纶织物接触角高达132.5°,表面电阻为129Ω/sq,抗静电半衰期为0.4 s。表明其具有良好的拒水、导电及抗静电性。     

粉末溅射SnO2:Pt薄膜及SnO2/SnO2:Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型SnO2 :Pt薄膜和SnO2 /SnO2 :Pt双层膜 .这两种薄膜材料不仅对CO气体有很高的灵敏度 ,良好的选择性和较低的工作温度 ,而且其电导在CO气体中均出现了振荡现象 .本文分析了电导振荡温区、振幅和频率与CO气体浓度及膜厚的关系 ,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论     

微波ECR等离子体高速溅射装置的研制

研制了一台高速率溅射的ＥＣＲ等离子体沉积装置．采用微波真空波导及反常模式或输入技术，利用腔内双靶构成的电场镜，使高能γ电子在电场镜中振荡，从而获得高密度的等离子体．并且，导电膜能连续高速沉积，在２．７×１０－２Ｐａ的低气压下，铜膜的沉积速率可达１２０ｎｍ／ｍｉｎ．     

用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征

采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.     

Photoluminescence from Ge-SiO2 thin films and its mechanism

Ge-SiO₂ thin films were deposited on p-type Si substrates using the radio frequency (rf) magnetron sputtering technique with a Ge-SiO₂ composite target. Films were annealed in N₂ ambience for 30 min at 300℃—1000℃ with an interval of 100℃. Through the X-ray diffraction, the average size of Ge nanocrystals (nc-Ge) was determined. They increased from 3.9 to 6.1 nm with increasing annealing temperature in the range of 600℃—1000℃. Under ultraviolet excitation, all samples emit a strong violet band centered at 396 nm. With the formation of nc-Ge, the samples exhibit another emission of orange band with the peak at 580 nm and its intensity increases with the increasing size of nc-Ge. The peak positions of two bands do not shift obviously. Experimental data indicate that the violet band comes from GeO defect and the orange band originates mainly from the luminescence centers at the interface between the nc-Ge and SiO₂ matrix.     

基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响

采用离子束溅法，在单晶Si（100）基片上制备CNx薄膜。研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响。结果表明：随着基片温度的提高，薄膜生长致密，表面光滑；薄膜硬度逐渐提高，但温度升高到200℃后，硬度增加缓慢。同时，基片温度升高使薄膜中的N含量增加，促进C－N化合物结晶。X射线衍射结果证明在850℃时，薄膜中产生α－C3N4晶相。     

辉光放电阴极溅射,瞬变原子化／原子吸收光谱分析性能的研究（Ⅱ）

通过一些元素的测定，进一步研究了辉光放电阴极溅射、瞬变原子化／原子吸收光谱分析技术的如下分析性能：不同Ａｒ气压力下放电电流与放电电压的关系；放电电流、放电功率分别与吸光度的关系；石墨阴极空穴溅射时间对元素分析灵敏度的影响；分析校正曲线的线性范围：基体干扰等。试验表明；增加放电功率是提高分析灵敏度的关键；采用峰面积吸光度方式将大大扩展一些元素分析校正曲线的线性范围。     

2021 年 2 期目录

β钛合金因其具有良好的生物相容性和耐磨性而被用作硬组织的替代物。对钛合金植入体进行表面改性可以保证材料的整体强度和弹性模量,同时使其与人骨接触部位能够呈现低弹性模量特性。选用Ti-40Nb合金作为基体材料,采用磁控溅射与去合金化相结合的表面改性工艺获得表面纳米多孔结构,并对纳米多孔结构进行微观组织表征和力学性能测试。结果表明,在0.5% HNO₃水溶液中去合金化4 h,随后在1 mol/L KOH水溶液中去合金化12 h,能够得到微纳通透的分层多孔,多孔结构的形成使得Ti-40Nb合金表面的弹性模量达到37 GPa,接近人骨的弹性模量,避免了应力屏蔽带来的影响,同时还保证了Ti-40Nb合金的整体强度。此外,通过分析铸态和薄膜态Ti-Nb-Cu合金去合金化形成多孔结构的过程,探索两者成孔机制的区别。     

Ag-Cu、Ag-H_(62)复合电接点材料界面的原子扩散行为

用扫描电镜能谱分析半定量和定量测定,经不同热处理工艺的Ag-Cu、Ag-H_(62)冷复合和磁控溅射复合电接点材料界面的成分分布,计算了扩散系数激活能实验表明,材料复合界面是金属键结合。     

离子束作用下动态靶的计算机模拟

固体中离子传输和原子碰撞级联的计算机模拟程序ＴＣＩＳ已发展起具有模拟离子 束作用下固体靶中成分动态演变的功能。本文详细介绍动态 ＴＣＩＳ模拟程序的物理模 型及计算方法，给出算例及有关问题的讨论。动态 ＴＣＩＳ可以研究离子束轰击三元靶 的复杂问题：如大剂量离子注入、择优溅射和界面混合等。