镍诱导纳米晶硅薄膜的生长

采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜．对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析．结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度．对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长．     

一种带有伴音监听功能的新型红外遥控式CATV变频器的研制

描述了作者自己设计的带有伴音监听功能的新型电压合式具有增补频道收功能的彩色电视ＣＡＴＶ机外变频器电路，它既可以用于非遥控彩色电视机，也可用于一般无增补频道接收功能的空彩电及黑白电视接收机。而不需要修改电视接收机内部任何电路及组成。     

桥梁检测系统中的无线数据采集卡组件

在大跨度桥梁检测中,为了摆脱传统数据采集卡与传感器间导线的限制,我们采用无线数据采集卡组件,实现数据采集和无线传输.采集卡组件由主卡和从卡构成,并分别与计算机和传感器相连.主、从卡之间以“询问———应答”通讯方式,实现一主多从组合,满足实际检测需求.系统启动后,主卡为每一从卡分配互不重叠的时间片,在每个时间片内主卡向特定从卡发送询问字,并接收从卡发回的应答字.主卡通过PCI总线与计算机交换数据.该组件经过测试,性能稳定.     

E类射频调谐功放的分析与设计的新方法

介绍了Ｅ类调谐功放的主要特点，提出了一种分析与的新方法，实验结果与理论分析基本相符。     

涤棉织物分散/活性一浴中性法染色工艺研究

采用烟酸钠、双氰胺和醋酸钠、双氰胺分别对周色助剂对涤棉织物的分散／活性一浴中性法工艺进行了研究。结果表明,该工艺采用两组助剂的染色效果均较好,但后者的成本低于前者。     

氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响

在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。     

多羟基亚铁络合物还原转化活性黑5的实验

通过调控反应条件,制备了高活性的亚铁羟基络合物(FHC),以活性黑5(RB5)为目标污染物研究了FHC还原转化偶氮染料的反应性能.探讨了FHC对RB5还原脱色的影响因素,包括亚铁结构形态、FHC的投加量、初始pH值、溶解氧等,结果表明结构态亚铁具有很强还原反应活性,亚铁投加量89.6 mg·L-1,染料初始质量浓度为1...     

掺Ag离子的纳米CdTe薄膜的结构和电性能研究

采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌形态进行了表征.利用扫描电镜配备的能量色散谱仪(EDS)对薄膜化合物元素组成进行定量分析,并使用HMS-3000型霍耳效应测试测定薄膜电导等电学参数.     

计及电压稳定的电力系统无功规划优化

提出了一种考虑电压稳定的多目标无功规划优化的模型，并用模糊方法和遗传算法对其进行了求解。在无功优化的多目标中，包括了电压稳定性的静态指标一系统的静态稳定裕度λmin，约束条件中考虑了发电机的无功备用约束。无功优化前，首先用特征结构分析法确定当前运行方式下的系统薄弱节点作为候选补偿点，然后用无功优化模型决定候选补偿点应加装的无功补偿容量。     

低压电网中无功补偿技术的研究

通过技术改造,可使低于标准要求的功率因数达标,实现节约用电的目的。通过分析低压电网中无功补偿的作用和补偿容量的选择方法,阐明了采用无功补偿技术提高低压电网和用电设备的功率因数,已成为节电工作的一项重要措施。