射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

物质的稳定性和化学反应的活性

由化学热力学原理探讨了物质稳定性的概念．并根据过渡态理论分析了物质的稳定性和反应活性的关系．通过皮应物、产物及活性中间体的稳定性与反应活性的关系，将反应体系的能量和反应速率有机地联系起来．     

苯乙烯反应挤出过程模拟及数值计算

在SHL-Ф35型自洁式、同向旋转双螺杆挤出机上进行了以丁基锂为引发剂的阴离子聚合苯乙烯反应挤出实验。采用静态实验法得到物料在螺杆结构中的填充度分布,在此基础上用平板模型对反应挤出过程进行了模拟。对沿螺杆轴向反应转化率,以及反应热、耗散热、机筒导热等热传递现象所致的温升进行了数值计算,计算结果与苯乙烯反应挤出实验结果比较,符合良好。     

氩气分压与膜厚对溅射Al膜微结构及应力的影响

在不同氩气分压下,用直流溅射法在室温Si基片上制备了不同厚度的Al膜。用光学干涉相移法和X射线衍射技术,对薄膜应力和微结构进行了测试分析。微结构分析表明:制备的Al膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;氩气分压分别为1Pa和3Pa的Al膜相比,1Pa下制备的薄膜结晶程度明显优于3Pa下制备的薄膜。1Pa下Al膜平均晶粒尺寸随膜厚的增加由17.9nm逐渐增大到26.3nm;晶格常数由0.4037nm增大到0.4047nm,均比标准值0.40496nm稍小。应力分析表明:同一工作气体压强(氩气分压)下,Al膜的平均应力随着膜厚的增加变小,应力分布趋向均匀。相同时间1Pa和3Pa的Al膜,其微结构和应力有较大差别。     

掺Ag离子的纳米CdTe薄膜的结构和电性能研究

采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌形态进行了表征.利用扫描电镜配备的能量色散谱仪(EDS)对薄膜化合物元素组成进行定量分析,并使用HMS-3000型霍耳效应测试测定薄膜电导等电学参数.     

一种基于环路结构的RFIC内建自测试方法

提出一种基于环路(Loopback)测试的内建自测试(BIST)方法。为了基于环路结构的内建自测试, 设计了一种可编程CMOS衰减器。具有内建自测试(BIST)电路RF收发器的测试结果表明, 此方法能够正确检测出系统故障, 可以应用于生产测试, 并能减少测试时间和测试成本。     

粘胶纤维切断刀的腐蚀磨损与寿命

本文分析了粘胶纤维切断刀的腐蚀磨损形貌,并将几种钢经不同表面处理后进行试验。结果表明:镀覆 TiN 的 Cr15Ni18Mo2Cu3或1Cr18Ni12Mo2Ti 不锈钢切断刀能显著提高其寿命。     

两级式光伏系统的低电压穿越控制技术

针对光伏系统在电网电压跌落时可能产生过流、过压的情况,在传统双闭环控制策略的基础上,采用无功控制与Crowbar电路相结合的方法对光伏系统进行控制,使系统具有低电压穿越的能力。采用有功、无功电流协调分配的无功控制,不但能够解决电网电压发生跌落时的过流问题,而且能够根据电网电压跌落幅值,利用光伏电站自身的无功补偿特性向电网提供一定的无功功率;Crowbar保护电路则能够保证直流侧电压在安全范围内。最后通过仿真验证了该方法的正确性和有效性。     

低压电网中无功补偿技术的研究

通过技术改造,可使低于标准要求的功率因数达标,实现节约用电的目的。通过分析低压电网中无功补偿的作用和补偿容量的选择方法,阐明了采用无功补偿技术提高低压电网和用电设备的功率因数,已成为节电工作的一项重要措施。     

涤棉织物分散/活性一浴中性法染色工艺研究

采用烟酸钠、双氰胺和醋酸钠、双氰胺分别对周色助剂对涤棉织物的分散／活性一浴中性法工艺进行了研究。结果表明,该工艺采用两组助剂的染色效果均较好,但后者的成本低于前者。