粘胶纤维切断刀的腐蚀磨损与寿命

本文分析了粘胶纤维切断刀的腐蚀磨损形貌,并将几种钢经不同表面处理后进行试验。结果表明:镀覆 TiN 的 Cr15Ni18Mo2Cu3或1Cr18Ni12Mo2Ti 不锈钢切断刀能显著提高其寿命。     

一种具有无功补偿功能的晶闸管变流装置

针对普通晶闸管变流装置深控时功率因数低的问题,在分析了晶闸管超前相控基理及其实现条件的基础上,提出了一种采用晶闸管超前相控、提供无功补偿的方法．现场运行结果表明：该装置在输出有功功率的同时,还可根据需要提供无功补偿,提高了电网功率因数,减小了无功损耗,节约了电能,经济效益和社会效益显著．     

电力市场下的一种无功优化方法

针对市场环境下无功优化目标由最小化一次能源消耗量转变为最大化经济利益这一问题，通过对能量交易过程的分析，提出在电力市场环境下，电网公司为购买无功电量的支出应计入无功优化目标函数；无功优化有可能对电网公司为购买有功电量的支出产生较大的影响；网损减少而节约的支出不等同于购电支出的减少，数字仿真结果表明，所提出的无功优化数学模型是可行的，并具有较好的经济性。     

常温直流对靶溅射制备高TCR氧化钒薄膜

常温下用直流对靶磁控溅射的方法在玻璃基片上制备出了高电阻温度系数（TCR）氧化钒薄膜．通过设计正交试验，系统分析了Ar和O2的标准体积比、溅射功率、工作压强和热处理时间对氧化钒薄膜TCR的影响．对最佳工艺条件下制得的薄膜进行电阻温度特性测试，TCR达到-3．3％／K，室温方块电阻为28．5kΩ，个别样品的TCR达到-40%／K以上．扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）的形貌分析显示，这种制备方法结合适当的退火可以制备出氧化钒多晶薄膜，晶粒尺寸在纳米数量级．X射线光电子能谱（XPS）分析发现，高TCR薄膜样品中钒的总体价态接近＋4价．所有结果表明，制得的氧化钒薄膜电性能满足红外探测器的要求，且该工艺能与CMOS工艺兼容．     

低压电气系统无功功率补偿的可行性分析

分析了低压电气系统无功功率产生的原因以及带来的危害和损失,重点介绍了根据实际情况降低无功损耗的方法,以及采取补偿措施后所产生的经济效益。     

矽肺病人的免疫状态

本文检查了矽肺病人的多种免疫状态,发现患者同围血中T细胞百分率平均值比对照组显著降低,而B细胞百分率呈有意义增高;血清蛋白、r、α_1、α_2球蛋白有随病程进展而增高趋势;血清免疫球蛋白IgG和IgA含量的增高亦与病程相一致,至Ⅱ期矽肺二者含量增高显著,但IgM含量未见明显变化,仅在矽肺合并结核组,IgG、IgA、和IgM含量呈明显增高;患者组类风湿因子(RF)和抗核抗体(ANA)合并阳性率(24.5％)比接尘组(13.3％)为高;血中循环免疫复合物(CIC)阳性检出率较高,但Ⅰ期矽肺组与对照组相比,未呈统计学差别;患者血中总补体(CH_(50))和C_8含量未见明显变化。根据患者的T细胞检出率降低,B细胞增高、体液免疫结果与细胞免疫相一致,均和病程进展而呈现规律性变化,以及自身抗体增高等免疫现象,似与自身免疲性疾病有类同之处。随着杂交瘤技术的广泛应用,联系近年国外关于石棉肺免疫学研究,对T细胞亚群变化进行了讨论,这方面的深入研究,对阐明矽肺发病机理是有意义的。对矽肺免疫的进一步研究,从实验设计上也提出了有益的建议。     

加工工艺对鸡酥松脂肪氧化的影响

为研究加工工艺对鸡酥松加工过程脂肪氧化的影响,考察蒸煮时间、蒸煮温度、炒松时间对2-硫代巴比妥酸值的影响,分析炒松工艺对鸡酥松脂肪氧化以及综合评分的影响,结果表明,炒松时间显著影响脂肪氧化,加工工艺中对脂肪氧化影响程度由大到小依次为炒松时间、蒸煮温度和初煮时间,而影响产品综合评估得分的因素由强至弱依次为炒松时间、初煮时间和蒸煮温度;优化后较适的加工工艺条件为初煮50min、复煮10min、蒸煮温度90℃、炒松时间20min、2-硫代巴比妥酸作用底物值为2.26mg/kg。产品综合评分与2-硫代巴比妥酸作用底物值的趋势并不完全吻合,鸡酥松加工过程中的工艺影响脂肪氧化程度和产品品质。     

气相生长碳纤维的制备

以苯和氢气为原料在石墨,陶瓷等基板表面催化热解制取低成本,高性能的气相生长碳纤维（ＶＧＣＦ）,实验考察了催化剂类热解温度、热解时间,苯带入量,载气,基板材料等参数对ＶＧＣＦ生长情况及性能的影响,并提出了碳纤维的生长机理。结果表明,在合适条件下,用直接播种法制得的ＶＧＣＦ直径为０．７￣１０μｍ,长度为１￣５μｍ,采用金属原子溅射沉积的基板可得到均匀稠密的ＶＧＣＦ,直径为３￣８０μｍ,碳纤维的生长过程     

Au/(C/SiO2)/p-Si结构中的电流输运机理研究

采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜，利用Au／（C／SiO2）／p-Si结构的I-V特性曲线，对其电流输运机理进行了分析．结果表明，正向偏压较小时，薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制；正向偏压较大时，薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果．这一结论与样品的EL（electroluminescence）是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致．     

含纳米硅氧化硅薄膜的光致发光特性

利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心.