具有自适应干扰抑制措施的直接序列扩谱通信接收系统

采用专用数字信号处理器TMS32010实现了具有自适应干扰抑制措施的直接序列扩谱通信接收系统,并就干扰抑制的三种方案比较它们在定点运算的有限字长实现中的性能,从理论上研究了在有限字长实现中提高性能的基本方法.测试结果表明,双精度编程方案的参数特性与无限精度的理论分析结果基本一致;单精度编程方案的参数特性与有限精度的理论分析结果基本一致.双精度或单精度编程,其自适应最佳滤波器方案的单频干扰抑制性能,均优于其它两种方案.     

小型低温引力波探测器

用高密度天线、升频式超导换能器、超导LC回路、DC SQUID和非相关检测电路构成一个小型低温引力波探测器。     

基于应变增量迭代的单桩分析方法

结合单桩荷载传递模型基本假定,提出一种计算分层土中竖向受荷单桩桩身变形和内力的迭代算法.该算法在假定桩顶沉降的前提下,通过对桩身应变和桩周土弹簧反力积分,求得桩身各部位的变形、内力及应变,并以桩身应变增量收敛控制迭代过程,进而得到桩身摩阻力和端阻力分布及相应的桩顶竖向荷载.算例分析表明,该算法对多种类型荷载传递函数具有良好的适应性,计算值与实测值和其他方法的计算值具有较好的一致性.     

苯并三氮唑、Cr(Ⅲ)和磷钨酸构成的无机-有机杂化化合物的合成与性质

合成了一种无机-有机杂化多酸化合物[Cr(H2O)6][BTA]3[P2W18O62]·12H2O(BTA=苯并三氮唑).采用X射线单晶衍射、元素分析、红外光谱、热重分析和XRD分析对该晶体的结构进行了表征.结果表明:该晶体属于六方晶系,P-62c空间群;晶胞参数a=1.674 36(5)nm,b=1.674 36(5)nm,c=3.121 55(14)nm,γ=120(10)°,V=7.578 8(5)nm3,Z=1,F(000)=5 543.43,R1=0.052 4,wR2=0.096 5.在该晶体结构中,带负电荷的多阴离子簇、质子化的苯并三氮唑分子、Cr3+和水分子在分子中交替排列.电化学实验证明,该化合物对NO-2具有良好的电催化性质.     

钕配位聚合物的合成、结构、电化学和荧光性质研究

合成一种新的钕和丁二酸的配位聚合物,通过红外、紫外、荧光、热重、电化学和X线单晶衍射对其进行表征.晶体结构检测结果表明:中心离子钕(III)以九配位形成变形十四面体,该晶体属于三斜晶系,其中a=0.784 5(3)nm,b=0.811 4(3)nm,c=1.422 7(5)nm,α=96.933(5)°,β=97.023(5)°,γ=103.513(5)°,Z=2,V=0.863 4(5)nm3.荧光光谱显示,配位聚合物在367 nm处有一个较强的发射峰(λex=326 nm),归因于配体的π*→n跃迁;热重分析表明,配位聚合物分3步失重,最后剩余Nd2O3.电化学结果表明,在-0.4~0.3 V电势范围内,配位聚合物在0.024 V和-0.07 V处有一对不可逆的氧化还原峰,通过峰电位和半峰电位的计算公式|Ep-Ep/2|=47.7/αn(α=0.5),可以计算出转移电子数为2,由此可见,Nd(III)和Nd(V)之间的转换导致该配位聚合物具有电化学活性.     

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。     

一维光子晶体的量子透射特性

用光的量子理论方法研究一维光子晶体的量子透射特性,先给出一维光子晶体的量子转移矩阵和量子透射率,再计算缺陷层数目、厚度及折射率变化对一维光子晶体量子透射特性的影响.结果表明,缺陷层参数的变化对禁带位置、缺陷模位置和强度均产生影响.     

随机变量非正态分布且相关的机械零件单模失效可靠度分析

研究含有非正态随机变量且随机变量具有相关性的机械零件单模可靠度统一模型,运用Rosenblatt变换(RT变换)、R-F变换、Edgeworth级数法将非正态分布随机变量变换为正态随机变量,利用线性代数理论将相关标准正态随机变量转换为线性无关的正态随机变量,然后利用一次二阶矩(FOSM)法、改进的一次二阶矩(AFOSM)法求得机械零件单模可靠度指数及可靠度.基于所建机械零件单模可靠度统一模型,提出了含有非正态随机变量且随机变量间具有相关性的零件单模可靠度计算机求解的实现算法.以某1.6 MW风电齿轮箱中一对标准直齿轮啮合传动为例,通过探讨齿面接触疲劳这一单模失效下的可靠度,分析了随机变量间相关系数的变化对零件可靠度的影响规律,同时验证了算法的适用性和高效性.     

火焰雷管装药恶劣温度下安定性分析

为分析火焰雷管用N-LTNR(中性斯蒂芬酸铅)和Pb(N₃)₂(叠氮化铅)装药在-70℃~+130℃恶劣环境温度下的安定性,采用相机观测了N-LTNR在DSC(示差扫瞄量热仪)中连续升温中(≥110℃)药剂变色、颗粒变碎、变疏松,以及降温过程中(≤-40℃)颗粒破碎、蹦跳等结晶水带来的物理不安定性;为检验N-LTNR失去结晶水对Pb(N₃)₂水解反应的影响程度,对N-LTNR和Pb(N₃)₂混合装药采用纯度分析鉴定化学安定性,结果表明Pb(N₃)₂的水解反应使纯度由98.6%降到95.26%,所以该雷管装药应限制在110℃以下使用.     

Vertically aligned ZnO nanorods on porous silicon substrates: Effect of growth time

Vertically aligned ZnO nanorods were successfully grown on porous silicon(PS) substrates by chemical bath deposition at a low temperature.X-ray diffraction, field-emission scanning electron microscopy(FESEM), transmission electron microscopy(TEM), and photoluminescence(PL)analyses were carried out to investigate the effect of growth duration(2 h to 8 h) on the optical and structural properties of the aligned ZnO nanorods. Strong and sharp ZnO(0 0 2) peaks of the ZnO nanorods proved that the aligned ZnO nanorods were preferentially fabricated along the c-axis of the hexagonal wurtzite structure. FESEM images demonstrated that the Zn O nanorod arrays were well aligned along the c-axis and perpendicular to the PS substrates regardless of the growth duration. The TEM image showed that the top surfaces of the ZnO nanorods were round with a smooth curvature. PL spectra demonstrated that the ZnO nanorods grown for 5 h exhibited the sharpest and most intense PL peaks within the ultraviolet range among all samples.