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301.
单片机控制的存贮式大屏幕显示系统魏忠仁,梁予,高武军,吴俊林,杨瑞科,薛波(陕西师范大学物理学系,西安710062;第一作者,男,55岁,教授)1存贮式显示系统作者曾在文献〔1〕中介绍过APPLE且机控制的大屏幕显示系统的结构及特点,在此基础上,本文...  相似文献   
302.
本文以纵切自动机床的主轴箱控制凸轮机构为例,对低速大质量凸轮从动件系统的动力学问题进行了较为系统的研究,提出了改进凸轮设计的方案,进行了对比实验,论证了对低速大质量凸轮从动件系统进行动力学研究的必要性,为这类问题的研究提出了一个方向.  相似文献   
303.
利用黄昆公式和晶格场动力学参数与静晶场参数的关系估算了硼酸铝钕(NAB)激光晶体中钕离子的 S 因子。进一步讨论了 Auzel 关于自激活激光晶体浓度猝灭效应准则的深层含意.  相似文献   
304.
溶致液晶及其显微织构   总被引:1,自引:0,他引:1  
溶致液晶是液晶的重要组成部分,通过实验,详细地研究和讨论了目前溶致液 晶体系中存在的主要的液晶相(SL, M, NL, Nbx, Nc,ChL.及 Chc)及其特征的显微 结构。  相似文献   
305.
研究了 LiNbO_3单晶的蚀象、光象。观察到与晶体方向有关的蚀象和光象之间有对应关系,且各晶面上蚀象及光象的对称性均与晶体的对称性相一致。认为晶体的微观结构决定了它的表面形态,蚀象是该形态的一种表现形式,而光象则是蚀象的一种光学效应。  相似文献   
306.
利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。  相似文献   
307.
利用单相奥氏体及晶界碳化物+奥氏体的两种 15Cr-25Ni不锈钢,研究了晶界碳化物对室温及860℃拉伸性能的影响。结果表明,室温下晶界碳化物对屈服强度几乎没有影响,但提高了抗拉强度约14%,降低材料塑性(断面收缩率)约38%,在850℃,晶界碳化物对抗拉强度没有影响,但提高了村料的塑性,其延伸率反断面收缩率分别提高约70%和58%,探讨了晶界碳化物影响拉伸性能的机制,室温下由于碳化物与基体界面结构与晶界结构不同导致与位错的不同交互作用,在高温下则是晶界碳化物阻碍晶界的滑移。  相似文献   
308.
本文报道从毛茛科乌头属植物七星草乌(Aconitum contortum Finet et Gagnep)的根中分离得到9个化合物.根据其物理化学常数和IR,UV,NMR和MS分析,分别确定为七星草乌碱(1),三十二烷(2),十三烷(3),三十一烷(4),二十烷(5),二十六烷(6),二十一烷(7),单斜硫(8),化合物(9)结构待定.七星草乌碱(1)为未见报道的新化合物.  相似文献   
309.
本文用完整晶体的动力学理论讨论了 Pendell sung 条纹的形成条件。以 Si、Ge 为试样用同步辐射光源,模拟出了偏光因子剧烈变化条件下容易产生 Pendell sung 条纹的参数,并依照这些参数在同步辐射上最先观测到这一由偏光因子的变化而形成的新型的 Pendell sung条纹。  相似文献   
310.
本文利用 Vinet 等人提出的普适能量函数和 Grüneisen 第二定则,计算了12种NaCl型结构碱卤晶体的热膨胀系数,得到和实验一致的结果。  相似文献   
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