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21.
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管,在77K温度下对其I-V特性进行了测量,得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明,纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。 相似文献
22.
根据激光与材料相互作用温度是地空特性,分析了光斑尺寸对温度场的影响,并计算了防止硅钢片表面层破坏及避免产生热弯曲变形时激光脉冲能量阈值,为优化激光处理工艺参数,更有效地降低铁提供理论依据。 相似文献
23.
神经网络高炉铁水含硅量预报模型 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了基于神经网络的高炉铁水含硅量预报模型,运用高炉生产过程中工艺参数,实现了铁水含硅量的中短期预报,仿真结果表明,本模型具有良好的预报效果。 相似文献
24.
25.
研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
26.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
27.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
28.
29.
木材陶瓷制备多孔SiC的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
椴木木粉/酚醛树脂复合材料经高温碳化制成木材陶瓷,然后经熔融Si反应性渗入制成了多孔的SiC陶瓷.借助X射线衍射、傅里叶红外吸收光谱和扫描电子显微镜等方法对木材陶瓷和多孔SiC的物相组成、微观结构和基本性质进行了研究,利用阿基米德法和三点弯曲法测定了木材陶瓷和多孔SiC的显气孔率和弯曲强度.结果表明,木材陶瓷是非晶碳材料,含有C—O—C醚键、C—C双键及C—H结构等,多孔SiC是由主晶相β-SiC和少量第二相Si组成的复合材料;多孔SiC遗传了木材陶瓷的多孔结构;木材陶瓷向SiC陶瓷的转变使弯曲强度从12.6MPa提高到73.8MPa,显气孔率从64.1%降至53.2%。 相似文献
30.
氮化硅陶瓷刀具的发展和应用 总被引:4,自引:0,他引:4
文章介绍了氮化硅陶瓷刀具的发展现状 ,阐述了氮化硅陶瓷刀具的切削性能及其在实际应用中须注意的问题 ,为在机械加工行业中推广应用陶瓷刀具作了初步的探讨 相似文献