CNX薄膜的PCVD制备及研究

ＣＮＸ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法，制备了含氮量的２１ａｔ％的ＣＮＸ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜听屡元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｂ，Ｃ－Ｎ键的形成与碳结合。     

Y型沸石分子筛羟基谱带的红外光谱研究

本文制备了一系列不同硅铝比的Y型沸石样品,以红外光谱法系统地研究了样品的羟基谱带及其变化情况。结果表明,Y型沸石羟基谱带随沸石体系组成的变化及晶格空位和骨架外铝的出现而发生一系列的变化,样品表面羟基振动频率受骨架内电负性和骨架外电荷变化的影响会产生规律性的位移,进一步还讨论了其作用的机理,另外讨论和归属了Y型沸石常出现的几种羟基红外吸收谱带。     

从物理科学发展看类比法的方法论意义

在讨论类比法基本含义的基础上论述了类比法在物理科学发展中的贡献,并就其方法论意义作了理论分析。     

海森伯矩阵力学和测不准关系的产生及其哲学贡献

分析了海森伯阵力学和测不准关系产生的背景及思想基础，并对其在“物理客体”和“物理实在”的哲学关系上所起的作用作了较为深入的挖掘。     

大学生体质指数研究

本文用体质研究指数比值方法,从形态、机能、素质三方面对照分析了哈师大、上海师大二所师范大学和东北三省大学生身体发育比例指标,并做了综合性评价,为确立大学生各项身体发展合理指数提供了理论数据。     

高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

对中专学生体育能力与培养的探讨

本文通过对中专学生体育能力的概念、范畴、结构的理论探讨，得出如下结论：体育能力是人们独立地、科学地从事体育锻炼作身体活动的能力。它的结构是体育认知能力、身体活动能力、体育技术和运动技能诸因素构成的个性身心的综合体。中专学生体育能力的结构是一个多层次，多因素的系统。系统中各个因素相互联系，相互作用，互相制约。本文并对在教育实践中培养中专学生体育能力的主要途径进行总结和研究。     

试论现代教育技术在体育教学中的应用

随着现代科学技术的飞速发展,体育教学也从经验教学时代走向科学时代;在体育教学中,运用现代教育技术辅助学生,使其进行科学地学习、训练已成为现代体育的标志,现代教育技术包括电视、录像、电教媒体、多媒体计算机及微格教学.     

Epitaxy of SiGe Layers by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Introduction　　Becausethepropertiescanbeadjustedbythestraindistributionandthepossibleintegrationwithstandardsilicontechnology,silicon-germanium(SiGe)heterosystemshavebecomemoreimportantinrecentyears.AnumberofinterestingelectronicandopticaldeviceshavebeendevelopedusingSiGe.Thesedevicesincludeheterostructurefieldeffecttransistors(HFET)[1,2],heterojunctionbipolartransistors[35],andinfrareddetectors[6,7].Futureprospectshaveencouragedthesearchforimproveddepositiontechniquesforsiliconandsilicon…     

担载型镍催化剂上CH_4/CO_2重整反应的研究 Ⅱ.添加Co对Ni/Al_2O_3催化剂性能的影响

考察了ＣＯ助剂对Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的活性和抗积炭性能的影响，发现添加少量Ｃo使催化剂 的抗积炭能力显著增强．ＴＰＲ、ＸＲＤ结果表明，Ｃo的添加降低了金属镍的分散度，并促进了尖晶石 ＮｉＡＩ２Ｏ４的生成．