掺铁Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3单晶的生长及性能研究

采用改进的布里奇曼法(坩埚下降法)生长了掺0.3%(摩尔分数) Fe的0.74Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃- 0.26PbTiO₃(PMN-0.26PT)单晶. 系统研究了该单晶的生长、结构、介电和热释电性能, 并与纯PMN-0.26PT单晶进行了比较. 研究发现, 掺杂晶体的畴宽度明显大于纯晶体; 单晶的矫顽场和剩余极化都明显增大; 在居里温度以下, 介温谱上出现两个大的异常, 温度较纯晶体更接近于室温. 实验结果表明, 掺杂离子通过缺陷偶极对2Fe′_Ti -V^••_o对畴起钉扎作用, 增加了晶体的矫顽场, 降低了晶体的介电常数和介电损耗, 提高了晶体的探测优值, 并保持高的电压响应优值, 这对PMN-PT单晶的实际应用非常有利. 这种高性能的热释电和压电单晶的掺杂改性研究将会更好地增进对其高性能本质的理解.     

氧和铝在氧化铝中的自扩散参数评估

评估了氧和铝在Ａｌ２Ｏ３中的自扩散参数,分析了其扩散机理．得出：（１）在１７７０～２１００Ｋ 温度范围内,氧分压不超过１．０×１０５Ｐａ时,杂质总含量为３０×１０－６～５００×１０－６,Ｍｇ,Ｔｉ含量低于３０× １０－６的未掺杂Ａｌ２Ｏ３单晶中,氧的自扩散系数与温度的关系式,氧分压和扩散方向对该扩散系数 值影响不明显．（２）在１９４３～２１７８Ｋ范围,多晶Ａｌ２Ｏ３中铝的自扩散系数在１０－１５到１０－１４ｍ２／ｓ之间, 扩散活化能为 ４７７ ｋＪ／ｍｏｌ．（３）单晶Ａｌ２Ｏ３中主要杂质为ＴｉＯ２和 ＭｇＯ,掺Ｔｉ将降低氧的自扩散系 数,增加铝的自扩散系数;掺Ｍｇ使氧的自扩散系数略有增加;其他杂质对氧和铝在Ａｌ２Ｏ３中的 扩散系数影响不大．（４）氧和铝均通过空位扩散．     

Ferroelectric phase transition in relaxor ferroelectric single crystals 0.76PMN-0.24PT

The features of the single crystals 0.76PMN-0.24PT in dietectric, ferroetectric, pyroetectric properties and domain structures indicate that they are located between typical ferroetectrics and normal ones. The unpoled crystals present a transitional domain configuration between microdomains and typical macrodomains while the crystals on (001) cuts undergo fietd-induced phase transition under poling, showing two special temperature points T_d andT _m during the succedent heating procedure. The dietectric constant starts to decrease drastically at T_d during cooling, or the transformation from induced macrodomain to transitional domain takes place atT _d during heating. Ferroetectric-paraetectric phase transition or depolarization continues within the whole temperature range ofT _d-T _m, where ferroetectric phase in the form of transitional macrodomains coexists with paraetectric phase. Then the crystals macroscopically transoform into paraetectric phase containing ferroetectric microdomains at a temperature aboveT _m. However, owing to the influence of crystallite orientation on fietd-induced phase transition, the temperatureT _d does not appear in the same temperature-etectric fietd history in multicrystal ceramics with the same composition as the above single crystals.     

HMX的晶体缺陷和酸值的关系

该文研究了奥克托今(HMX)的晶体缺陷和酸值(以醋酸计)之间的关系。在实验分析和显微照像基础上,提出在HMX晶体内形成母液包裹体的一种机制,即在晶体生长过程中出现了巨阶梯,进而形成包裹体,当HMX从强酸溶液中迅速成长时该包裹体由硝酸或汽泡充满。     

液晶Sc相的格胞模型

采用格胞模型，定义了Ｓｃ相分子相对格胞中心的取向序参量、质心位置序参量及两者耦合的序参量，得出平衡状态下分子质心作层状分布而分子取向的优先取向与层面法向倾斜．求出分子层厚度、指向矢倾斜角的表达式，并计算了它们随温度的变化，理论结果符合实验，     

复杂点阵对单晶体多波长衍射的影响

本文根据单晶体简单点阵劳厄衍射理论,利用衍射指数变换的方法,论证了复杂点阵对单晶体多波长衍射的影响导致某些衍射指数在衍射中消失,结果表明各种复杂点阵衍射指数消失的条件是C面底心点阵H与K的和为奇数;B面底心点阵L与H的和为奇数;A面底心点阵K与L的和为奇数;体心点阵H,K和L三者的和为奇数;面心点阵H,K和L奇偶混杂。     

液晶近晶A相层状结构的统计理论

根据液晶分子的统计理论模型，讨论了近晶A相分子质·C层状分布的状态特征。     

具有纳米质点性质的MFI型硅沸石微细晶粒的合成及表征(英)

分别以白炭黑（Ⅰ）和硅溶胶（Ⅱ）为硅源，在（TPA）2O－Na2O－SiO2－H2O体系（TPA为四丙基铵）中，反应温度为60℃，合成了高结晶度纯硅沸石．用扫描电子显微镜（SEM）法测得的晶粒大小分别为0．20μm（Ⅰ）和0．45μm（Ⅱ）；用粉末X射线衍射（XRD）线宽法测得的晶粒大小为0．02μm．与高温（180℃）合成的硅沸石样品相比较，低温合成的微细晶粒硅沸石样品已具备纳米级材料的若干特性．微细晶粒硅沸石的正己烷吸附量和比表面都非常大．XRD谱，红外吸收光谱（FT－IR），29Si魔角固体核磁共振（29SiMASNMR）和热重分析（TG／DTG／DTA）的研究证明，微细晶粒硅沸石的结构破坏温度和单斜／正交对称性相转变温度明显地比高温合成的硅沸石低，硅羟基缺陷也明显地增加．0．20～0．45μm的微细晶粒硅沸石的比表面几乎与胶体质点相同，它的外表面积达100m2／g，中孔容积为0．10～0．12ml／g，平均孔径为2．6～2．7nm．这表明微细晶粒硅沸石实际上是纳米质点的结合体．     

等规聚苯乙烯单链单晶的结构和耐辐照性能

利用电子衍射（ED）和高分辨电子显微（HREM）技术，研究等规聚苯乙烯（i－PS）单链单晶的结构．纳米级的单链单晶具有很强的耐电子辐照性能．按照i－PS的晶胞能对ED图中的衍射环和HREM像中的晶格条纹进行晶面指标化，但发现低指数衍射缺失．由于单链单晶的尺寸很小，电子辐照所产生的次级电子可以逸出晶体，使辐照损伤大大减小．另外，单链单晶存在着较少的低指数晶面，未能产生足够的衍射强度，使低指数晶面的衍射缺失．单链单晶对电子辐照稳定，在室温下，可得到高分辨晶格条纹象，这为研究高分子晶体的结构开辟了新的实验方法．