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211.
针对平面3-DOF并联手指机构的任务要求,对并联机器人分布式计算机控制系统的结构进行了分析,提出了平面3-DOF并联手指的分布式计算机控制系统方案。 相似文献
212.
为了改善聚合物HDPE的强韧性,利用扫描电子显微镜、微机控制电子万能试验机和液晶式摆锤冲击试验机等研究了表面处理剂、增容剂对HDPE/CaCO3共混材料力学性能的影响。结果表明,用表面处理剂硬脂酸处理的纳米级CaCO3粉体对HDPE相界面粘接作用有一定的改善,纳米CaCO3粉体在基体HDPE中的均匀分散性得到改善;加入增容剂(HDPE—g—MAN)后使得HDPE/纳米CaCO3共混材料力学性能进一步提高,为HDPE/纳米CaCO3复合材料的设计和生产运用提供重要的理论依据。 相似文献
213.
214.
用溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si衬底上在450℃退火条件下制备了BiCrO3.薄膜XRD研究发现BiCrO3仅有少量结晶,呈(I0I)择优取向.铁电性测试表明,室温下薄膜具有铁电性,剩余极化强度为0.6μc/cm^2,漏电流研究表明薄膜的导电机构分为三种。 相似文献
215.
用单扫示波极谱法研究了2,4-二羟基二苯甲酮在不同浓度H2SO4介质中的极谱行为。实验表明,在0.2mol·L-1的H2SO4介质中其二阶导数峰电位为-1.01V(vs.SCE),峰电流与其浓度在2.5×10-8mol·L-1~1.0×10-6mol·L-1范围内有线性关系,线性方程为ip″(nA·s-2)=116.3+4.559×108c(mol·L-1),(r=0.9985)。循环伏安研究表明,该极谱波为吸附波。 相似文献
216.
文章主要讨论如何使用 DSP Builder来实现 MP3音频解码中的 IMDCT。MDCT和 IMDCT是 2种重叠正交变换 ,也是 MPEG音频标准中运算量最大的 2种运算 ,主要应用在数字信号处理当中。采用正弦递归循环公式 ,实现 IMDCT的内核 ,得到一种该变换的高效实现方法 ,这种方法特别适合 VLSI的并行实现 相似文献
217.
SF,F_2和SF_2分子的结构与势能函数 总被引:2,自引:0,他引:2
在6 311+G(2df,2pd) 和6 311+G(p,d)基组水平上,采用二次组态相互作用(QCISD)方法,对 SF2,SF,F2 分子进行了理论计算,得到了它们的结构参数、能量、谐振频率和力学性质,其结果与实验值符合得非常好.在此计算的基础上,用二原子分子Murrell Sorbie势能函数得到了 SF和 F2 分子的势能曲线,并推导出其光谱数据和力常数, 通过多体展式理论方法推导出了SF2 分子的解析势能函数,该函数正确反映了SF2 分子的结构特征和能量变化. 相似文献
218.
正交设计法优化纳米Fe_3O_4的合成工艺条件 总被引:3,自引:0,他引:3
采用液相共沉淀法制备纳米级Fe3O4颗粒,并利用芷交设计法对制备纳米级Fe3O4颗粒的影响因素如Fe3 /Fe2 的物质的量比、制备Fe3O4的晶化温度和晶化时间等进行实验设计,利用Zetasizer粒径分布仪对所制备纳米粉的颗粒大小进行表征,据此找出最佳实验条件为Fe3O4的晶化温度为90℃,Fe3 /Fe2 的物质的量比为1:2和制备Fe3O4的晶化时间为30min,此时制得的纳米粉体平均粒径可达15nm;并利用XRD、HRTEM对所制备纳米粉进行结构表征. 相似文献
219.
李玲 《云南大学学报(自然科学版)》2005,(Z1)
以Ge3 掺杂TiO2溶胶制备自清洁玻璃,并研究Ce3 掺杂量在紫外光照射条件下对甲苯分解能力的影响.AFM照片显示:Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃表面膜是由平均粒径30nm的TiO2颗粒组成的,膜厚度为53nm.光催化研究表明:Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃在紫外光条件下,具有良好的光催化效果,其甲苯分解率都在90%以上,分解时间小于120min.在质量浓度为50μg/mL的甲苯溶液中,波长为365nm紫外光照射条件下,Ce3 与TiO2摩尔比为0.02时,玻璃表面对甲苯的降解率为92.85%;Ce3 掺杂纳米TiO2自清洁玻璃膜对甲苯的光催化分解能力随的Ce3 质量分数的增加而有一最佳值98.5%,其Ce3 /TiO2摩尔比等于0.06;甲苯溶液浓度越高,自清洁玻璃表面对甲苯的分解效率越低;自清洁玻璃表面与甲苯体积比越大,分解甲苯的效率就越高. 相似文献
220.
采用固相烧结方法制得了具有K2NiF4结构的SrNdCoO4陶瓷,并对其磁性能进行了系统研究.结果发现,其磁化强度(M)分别在200K与20K附近随温度降低而迅速增大;150K,200K与275K下的磁化强度-磁场强度(H)曲线分别表现出铁磁性、超顺磁性及顺磁性的特征,表明SrNdCoO4陶瓷在200K附近发生顺磁-铁磁相变,引起磁化强度的迅速增大;在20K附近的磁化强度迅速增大也可从相应温度的M-H曲线特征得到解释.此外,对不同磁场强度时磁阻的温度依赖性以及两个特殊温度点20K与200K处磁阻的磁场强度依赖性进行了评价,得到一些有趣的结果.作者就以上的磁性能评价结果作了详尽分析. 相似文献