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571.
Spiking neural P systems with anti-spikes (ASN P systems) are variant forms of spiking neural P systems, which are inspired by inhibitory impulses/spikes or inhibitory synapses. The typical feature of ASN P systems is when a neuron contains both spikes and anti-spikes, spikes and anti-spikes wil immediately annihilate each other in a maximal way. In this paper, a restricted variant of ASN P systems, cal ed ASN P systems without anni-hilating priority, is considered, where the annihilating rule is used as the standard rule, i.e., it is not obligatory to use in the neuron associated with both spikes and anti-spikes. If the annihilating rule is used in a neuron, the annihilation wil consume one time unit. As a result, such systems using two categories of spiking rules (identified by (a, a) and (a,a^-)) can achieve Turing completeness as number accepting devices.  相似文献   
572.
以聚偏氟乙烯(PVDF)/N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)/辛醇/水为制膜体系,采用干、湿相转化法制膜.考察了辛醇含量对膜结构、表面浸润性和透过性能的影响.结果表明,辛醇的加入使成膜过程中液-固分相在与液-液分相的竞争中占据优势,随着辛醇含量的增加,膜结构由海绵状结构向球晶堆积结构转变,当辛醇含量增至10%时,生成“菜...  相似文献   
573.
在泥水平衡盾构施工过程中,针对佳木斯地质条件的具体情况,经过对泥浆的反复调配、试验,找出了适合本地层的泥浆配比。解决了在富水砂砾石地层中采用膨润土加粉质粘土混合浆液充当砂石输送载体、土体开挖面护壁支撑介质的难题,为泥水平衡盾构在富水砂砾石地层中施工提供了一些思路。  相似文献   
574.
分析了跨膜信号传导传导稳态模型以及电生理实验数据局限性,针对生理情况下随机刺激和响应的特点,采用遗传算法优化模型动力学参数,结果与大量实验数据能较好地符合。  相似文献   
575.
反应烧结碳化硅材料的Na2CO3熔盐腐蚀行为研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了在1000℃空气中的Na2CO3溶盐对反应烧结SiC材料的腐蚀行为,研究结果表明,Na2CO3熔盐加速了材料的高温氧化失效,其腐蚀动力学过程主要包括3个阶段:第1阶段是SiO2氧化膜快速溶解所造成的快速失重阶段;第2阶段为材料面液相膜形成所引起的快速氧化(增重)阶段;第3阶段是由于熔体底部形成一层保护性SiO2氧化膜所表现出的慢速氧化(增重)阶段,因此,Na2CO3溶盐的使用使得材料表面形成大量蚀坑。  相似文献   
576.
本文研制的电极是在铂丝上涂双层聚合膜而制成的一种甘草次酸涂丝药物电极。该电极制作简便,性能较佳,具有较强的应用价值。  相似文献   
577.
用DBA(N,N′二甲庚基乙酰胺,简称DBA),L113B,液体石蜡,磺化煤油和内相NaOH溶液液膜体系,研究了苯酚的迁移富集行为,确定了乳状液膜迁移富集苯酚的最佳适宜条件,苯酚在10min内,迁移率达99.5%以上,在此条件下,一般常见共存离子都不迁移透过此乳状液膜,只有苯酚能从共存离子中得到满意的分离,此法已成功地应用到富集测定水和工业废水中的微量苯酚,结果相当满意。  相似文献   
578.
棉花由露地栽培改为覆膜栽培以后,棉花生长发育的环境条件、进程发生了一系列变化,包括对水分养分的吸收、生长发育的规律、根系层的温湿度、分布空门,土壤微生物活动及病虫害、土壤结构等都与露地条件下不同.由此地膜栽培创造了更高的产量,更高的效益.在这场农业白色革命的同时,另一场灾难也在悄悄来临.那就是由此带来的对土地及环境的"白色污染”.  相似文献   
579.
580.
采用自制的制膜工具有n-型硅片上制备了互穿聚合物网络(IPN)绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆项电极形成了Al/IPN/n-Si(MIS)结构。在室温条件下测定了电容-电压(C-V)特性。根据测定的C-V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。  相似文献   
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