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991.
用单离子模型计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ中的晶场，给出了晶场系数随Ｇａ含量的变化关系。在晶场和交换作用近似下，计算了体系的自由能随Ｇａ含量和温度的变化关系，用最小二乘法拟合自由能给出各向异性常数Ｋ，Ｋ２从而得到各向异性场Ｂａ。计算结果与实验中的规律基本符合。 相似文献
992.
本文从蔗糖转化过程中不同磁场强度对反应速度常数的影响探讨了磁场中由于电子运动状态发生沿磁力线方向的旋进而产生的轨道变形效果，以及由此影响化学反应的可能机理． 相似文献
993.
994.
徐启旺在进行生物波的实验研究过程中,建立了奇异变形杆菌(proteus mirabilis)在波动生长系统中发生简单自发波动的模型.将奇异变形杆菌点种于波动生长系统中培养8h后,细菌菌落开始周期性地以同心环的形式向外扩展,每3h向外波出一环,直到波满整个平板,表现出精确的时空变 相似文献
995.
李斌 《上海大学学报(自然科学版)》1998,4(2):180-186
本文从电解质溶液Ｈａｌｌ效应的基本关系式出发，分析了电解质溶液Ｈａｌｌ效应的测量问题。 相似文献
996.
Co—Ag／Ag颗粒型多层膜中的巨磁电阻效应 总被引：1，自引：0，他引：1
研究了Co－Ag（1．8nm）／Ag多层膜的巨磁电阻效应，发现随Ag层厚度的增加，ΔR／R先增加后减小；而且当Co的含量增加时，ΔR／R的峰值向Ag层较厚的方向移动.磁电阻的上述行为是由于相邻磁层中近邻的Co颗粒之间的反铁磁耦合引起的．对于Ag层厚度固定的Co－Ag／Ag多层膜，当Co的含量较低时，ΔR／R随着磁性层厚的增加而单调增加；当Co的含量较高时，ΔR／R在磁性层厚度为2.2nm处有一极大值，这表明在Co－Ag／Ag多层膜中分流效应有重要作用． 相似文献
997.
998.
简献忠 《武陵学刊：社会科学版》1998,19(6):13-17
本文从Ｆ－Ｐ腔及电光调制器的基本特性出发，分析了具有位相调制器的腔内调制特性；数值计算表明，腔内位相调制在某些频率处具有腔增强效应，在某些频率处不具有腔增强效应。 相似文献
999.
高倍增GaAs光电导开关的设计琚抽 总被引：3，自引：0，他引：3
施卫 《西安交通大学学报》1998,32(8):19-23,110
首次报导了采用Ｓｉ３Ｎ４、硅凝胶钝化／保护的微带低电感输出的全固态ＳＩ－ＧａＡｓ高压亚纳秒光电导开关的研究结果，该器件的耐压强度为３５ｋＶ／ｃｍ，具有理想的暗态伏安特性； 相似文献
1000.