硅光探测器紫外量子增益谱

对硅光探测器在紫外光波段的量子增益过程进行了分析,考虑到碰撞粒子的相对运动及终态的态密度分布,计算了增益谱,制作了紫外性能良好的硅光电二极管,测量了紫外谱响应,对实验测量与理论计算进行了比较,结果基本一致。     

稀土元素(镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇和钪)高分辨率ICP光谱谱线表与光谱图的编制

讨论并建立了高分辨率光谱仪参数,在带宽为3pm的光谱条件下摄取了稀土元素的高分辨率等离子发射光谱（ICP）,鉴定了在240～450um波长范围内的谱线,和估测了这些谱线的强度．在实验中也观测到了谱线复杂的物理轮廓,包括超精细结构和未完全分辨的定线轮廓．     

在不同热氧化条件下SiO2—Si结构的电子辐射效应研究

利用２ＭＶ电子静电加速器,研究了热氧化工艺与ＳｉＯ２－Ｓｉ结构的电子辐射效应和辐射损伤机制。结果表明,高能电子辐照ＳｉＯ２－Ｓｉ结构引起的ＭＯＳ电容平带电压漂移ΔＶｆｂ与ＳｉＯ２膜厚ｄｏｘ＾２成正比。由Ｐ型硅为衬底或掺氯氧化的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构对电子辐射较敏感;而由磷处理或干Ｎ２热退火的ＳｉＯ２－Ｓｉ结构能有效地降低对电子辐射的敏感性。     

非谐振多光子过程的Fokker—Planck方程

考虑非谐振情况下的多光子跃迁过程,由此导出耦合系统的Ｍａｓｔｅｒ方程和Ｆｏｋｋｅｒ－Ｐｌａｎｃｋ方程,。利用绝热消去方法,进一步导出Ｋ〉〉ｒ     

声—光型界面自皮与界面各向异性

在考虑了外磁场、界面各向异性后,详细研究了铁磁和反铁磁层间耦合下自以链系统中的声－光型界面自旋波及其存在的充要条件,在适当的界面各向异性条件下,系统中可以存在０、１或２个声－光型界面自旋波,并发现其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,随反铁磁是耦合强度的增大而降低。     

LiNbO3：Fe晶体横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合

从实验上较全面地研究了ＬｉＮｂＯ３：Ｆｅ的横向光生伏打效应引起的各向异性两波耦合,得到衍射效率随调制度和光强变化的规律,并观察了两波耦合的能量转移特性,实验结果与理论分析符合得很好。     

光聚合和热聚合蒙脱土插层纳米复合材料的制备

利用光引发聚合和热引发聚合研究了单体(MMA)和蒙脱土(Mot)插层复合材料(PMMA/Mot)的制备.用X衍射技术对两种产物内蒙脱土的结构进行了表征.结果表明,蒙脱土经改性后能很好地使聚合单体插入蒙脱土层内并在光或热的作用下发生原位聚合反应生成复合材料.利用DSC、SEM研究了产物的结构和形态,并对两种聚合方法制备蒙脱土纳米复合材料的特点进行了初步讨论.     

由ZnO胶体球生长光子晶体(英文)

利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体.通过扫描电镜图谱、反射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征.结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,并且改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸.制得的样品有明显的光子禁带,且禁带波长位置随胶体球粒径的减小而蓝移,这是光子晶体的典型特征.     

通用串行总线在测井模拟信号采集中的应用

设计了一种基于通用串行总线（USB）的用于采集测井模拟信号的数据采集系统。介绍了该总线的特点及其优越性，对用该总线实现模拟信号采集的整个组成部分做了详细的说明。该系统设计包括硬件设计、单片机固件设计以及设备驱动程序设计和用户应用程序设计。对USB驱动程序栈和应用程序中打开USB设备的方法给予了简要分析。测试结果表明，该系统实测精度超过13位二进制，其控制逻辑灵活，便于升级扩展。     

华工科技一项目入选

华工科技“光电子信息及光器件技术改造”项目被武汉市经济委员会列入2005年武汉市30项重大技术改造项目．